公开(公告)号：CN114464545A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202210027367.7

申请日：2022-01-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨挺立 ,  蔡柏豪 ,  郑明达 ,  庄咏涵 ,  王学圣

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/528 ,  H01L23/522

Abstract: 公开了用于形成具有不同表面轮廓的凸块下金属(UBM)结构的方法和通过该方法形成的半导体器件。在实施例中，半导体器件包含：位于半导体衬底上方的第一再分布线和第二再分布线；位于第一再分布线和第二再分布线上方的第一钝化层；位于第一再分布线上方并且电耦合到第一重布线的第一凸块下金属(UBM)结构，该第一UBM结构延伸穿过第一钝化层，该第一UBM结构的顶面是凹面的；以及位于第二再分布线上方并且电耦合到第二再分布线的第二UBM结构，该第二UBM结构延伸穿过第一钝化层，该第二UBM结构的顶面是平坦的或凸起的。

公开(公告)号：CN112670195A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202010894054.2

申请日：2020-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林孟良 ,  蔡柏豪 ,  庄博尧 ,  吴逸文 ,  翁得期 ,  郑心圃

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 本公开涉及封装结构及其形成方法，此方法包含设置半导体晶粒于重布线结构的第一表面之上。此方法还包含形成第一保护层以围绕半导体晶粒的一部分。此方法还包含设置装置元件于重布线结构的第二表面之上。重布线结构介于装置元件与半导体晶粒之间。此外，此方法包含形成第二保护层以围绕装置元件的一部分。第二保护层比第一保护层厚，且第二保护层与第一保护层具有不同的热膨胀系数。

公开(公告)号：CN107293518B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201710191262.4

申请日：2017-03-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  蔡柏豪 ,  林俊成 ,  郑礼辉

IPC: H01L21/98 ,  H01L23/552 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明实施例提供的方法包括形成半导体器件，该半导体器件包括由模塑材料围绕的半导体管芯，其中，半导体器件的接触金属件具有暴露的边缘，将半导体器件置于具有内壁和外壁的托盘内，其中，该内壁位于半导体器件下面并且位于半导体器件的外边缘和半导体器件的凸块的外边缘之间，在半导体器件和托盘上沉积金属屏蔽层，其中，金属屏蔽层与接触金属件的暴露的边缘直接接触，然后将半导体器件与托盘分开。本发明的实施例还提供了叠层封装半导体器件。

公开(公告)号：CN108074896B

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201710959894.0

申请日：2017-10-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  吴集锡 ,  余振华 ,  蔡柏豪

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/50

Abstract: 半导体器件包括衬底、位于衬底的第一侧上方的第一再分布层(RDL)、位于第一RDL上方并且电连接至第一RDL的一个或多个半导体管芯以及位于第一RDL上方并且围绕一个或多个半导体管芯的密封剂。半导体器件也包括附接至衬底的第二侧(与第一侧相对)的连接件，该连接件电连接至第一RDL。半导体器件还包括位于衬底的第二侧上的聚合物层，连接件从聚合物层突出于远离衬底的聚合物层的第一表面之上。接触连接件的聚合物层的第一部分具有第一厚度，并且位于邻近的连接件之间的聚合物层的第二部分具有小于第一厚度的第二厚度。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN110931370A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910894180.5

申请日：2019-09-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 ,  翁得期 ,  林柏尧 ,  游明志 ,  蔡柏豪 ,  庄博尧

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L25/16 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明实施例提供一种晶片封装结构的形成方法，包括形成导电柱于重分布结构之上；接合晶片至重分布结构；形成模封层于重分布结构之上，其中模封层包围导电柱及晶片，且导电柱穿过模封层；形成盖层于模封层及导电柱之上，其中盖层具有露出导电柱的通孔，且盖层包括纤维；以及形成导电导孔结构于通孔之中，其中导电导孔结构连接至导电柱。

公开(公告)号：CN110890352A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910753783.3

申请日：2019-08-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡柏豪 ,  庄博尧 ,  游明志 ,  郑心圃

IPC: H01L25/04 ,  H01Q1/36 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/50 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/64

Abstract: 一种器件包括再分布结构；第一半导体器件、第一天线和第一导电柱，位于再分布结构上并且电连接到再分布结构；天线结构，位于第一半导体器件上方，其中，天线结构包括与第一天线不同的第二天线，其中天线结构包括接合到第一导电柱的外部连接件，以及在天线结构和再分布结构之间延伸的模制材料，模制材料围绕第一半导体器件、第一天线、外部连接件和第一导电柱。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN110518000A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910162651.3

申请日：2019-03-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄博尧 ,  蔡柏豪 ,  郑心圃

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/58 ,  H01L21/56 ,  H01Q1/22

Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件和制造方法。提供了半导体器件和制造工艺，其中，第一半导体器件电连接至再分布结构。天线衬底位于第一半导体器件的与再分布结构相对的侧上；以及电连接件与第一半导体器件分隔开，并且将天线结构连接至再分布结构。

公开(公告)号：CN106206529B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201510221086.5

申请日：2015-05-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  蔡柏豪 ,  郑礼辉

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/1133 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和制造方法。放置与所述通孔电连接的可回流材料，其中，通孔延伸穿过密封剂。在可回流材料上方形成保护层。在实施例中，在保护层内形成开口以暴露可回流材料。在另一实施例中，形成保护层从而使得可回流材料延伸为远离保护层。本发明涉及半导体器件和制造方法。

公开(公告)号：CN105225967B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201410507390.1

申请日：2014-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑礼辉 ,  蔡柏豪 ,  林俊成

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/535

Abstract: 本发明公开了封装半导体器件的方法和封装的半导体器件。在一些实施例中，一种封装半导体器件的方法包括将通孔连接至绝缘材料，每个通孔均具有第一宽度。也将管芯连接至绝缘材料。去除绝缘材料的接近每个通孔的一部分。去除的绝缘材料的接近每个通孔的一部分具有第二宽度，第二宽度小于第一宽度。

公开(公告)号：CN109216204A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201711335299.6

申请日：2017-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  郑礼辉 ,  蔡柏豪

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明提供了集成电路封装件及其形成方法。方法包括在载体上方形成导电柱。将集成电路管芯附接至载体，集成电路管芯设置为邻近导电柱。在导电柱和集成电路管芯周围形成密封剂。去除载体以暴露导电柱的第一表面和密封剂的第二表面。在第一表面和第二表面上方形成聚合物材料。固化聚合物材料以形成环形结构。环形结构的内边缘在平面图中与第一表面重叠。环形结构的外边缘在平面图中与第二表面重叠。