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公开(公告)号：CN111613612A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010404784.X
申请日：2014-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例包括半导体封装件及其形成方法。实施例是一种半导体封装件，其包括含有一个或多个管芯的第一封装件和通过第一组连接件接合至第一封装件的第一面的封装衬底。该半导体封装件还包括安装至第一封装件的第一面的表面贴装器件，该表面贴装器件基本由一个或多个无源器件构成。
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公开(公告)号：CN108010854B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201710681961.7
申请日：2017-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 实施例的封装件包括第一集成电路管芯、第一集成电路管芯周围的密封剂、将第一导电通孔电连接至第二导电通孔的导线，该导线包括位于第一集成电路管芯上方并且具有第一宽度的第一段，以及位于第一集成电路管芯上方具有大于第一宽度的第二宽度的第二段，第二段在第一集成电路管芯和密封剂之间的第一边界上方延伸。本发明的实施例还涉及形成封装件的方法。
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公开(公告)号：CN110783294A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910527925.4
申请日：2019-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括封装结构、第一管芯、第一围阻结构、预填充层及多个导电端子。封装结构包括附接区、位于附接区周围的排除区。第一管芯设置在附接区中的封装结构上且电连接到封装结构。第一围阻结构设置在封装结构的排除区内且环绕第一管芯。预填充层设置在封装结构与第一管芯之间且设置在第一围阻结构与第一管芯之间，其中预填充层被限制在第一围阻结构内。导电端子设置在封装结构上，分布在封装结构的排除区周围且电连接到封装结构。
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公开(公告)号：CN106952885B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201611116319.6
申请日：2016-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/52 , H01L23/522 , H01L21/60
CPC classification number: H05K1/115 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H05K1/0271 , H05K1/111 , H05K1/113 , H05K1/181 , H05K2201/0183 , H05K2201/068 , H05K2201/09136 , H05K2201/09381 , H05K2201/0969 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 一种封装件包括导电焊盘，其中多个开口穿透该导电焊盘。介电层环绕导电焊盘。介电层具有填充多个开口的部分。凸块下金属(UBM)包括延伸进入介电层中以接触导电焊盘的孔部分。焊料区域在UBM上面并且接触UBM。集成无源器件通过焊料区域接合至UBM。
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公开(公告)号：CN106409797B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201610084454.0
申请日：2016-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明实施例描述了封装结构及其形成方法。在一个实施例中，封装结构包括嵌入在密封件中的集成电路管芯和在密封件上的再分布结构。再分布结构包括在密封件和集成电路管芯远端的金属化层，以及在密封件和集成电路管芯远端以及在金属化层上的介电层。封装结构还包括在介电层上的第一底部金属化结构以及附接至第一底部金属化结构的表面安装器件和/或集成无源器件(“SMD/IPD”)。第一底部金属化结构包括第一至第四延伸部分，第一至第四延伸部分分别穿过介电层的第一至第四开口延伸至金属化层的第一至第四图案。第一开口、第二开口、第三开口和第四开口彼此物理隔开。本发明实施例涉及封装件或器件结构上的SMD/IPD及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108831870A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810576177.4
申请日：2015-07-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/20 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/14
Abstract: 本发明讨论了封装件结构和形成封装件结构的方法。根据一些实施例，封装件结构包括集成电路管芯、至少横向密封集成电路管芯的密封剂、位于集成电路管芯和密封剂上的再分布结构、连接至再分布结构的连接件支撑金属以及位于连接件支撑金属上的外部连接件。再分布结构包括远离密封剂和集成电路管芯设置的介电层。连接件支撑金属具有位于介电层的表面上的第一部分并且具有在穿过介电层的开口中延伸的第二部分。连接件支撑金属的第一部分具有在远离介电层的表面的方向上延伸的倾斜侧壁。本发明的实施例还涉及具有UBM的封装件和形成方法。
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公开(公告)号：CN108630676A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201711290793.5
申请日：2017-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L21/98
Abstract: 实施例是封装件，包括第一封装结构。第一封装结构包括：具有有源侧和背侧的第一集成电路管芯，有源侧包括管芯连接件，邻近第一集成电路管芯的第一通孔，横向密封第一集成电路管芯和第一通孔的密封剂，位于第一集成电路管芯的管芯连接件和第一通孔上并且电连接至第一集成电路管芯的管芯连接件和第一通孔的第一再分布结构，和位于第一集成电路管芯的背侧上的热元件。该封装件还包括：通过第一组导电连接件接合至第一通孔和热元件的第二封装结构。本发明的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN105428329B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201510434802.8
申请日：2015-07-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/485 , H01L21/50
CPC classification number: H01L24/05 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L24/03 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2224/0231 , H01L2224/0237 , H01L2224/0346 , H01L2224/03614 , H01L2224/0362 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05008 , H01L2224/05016 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/0541 , H01L2924/14
Abstract: 本发明讨论了封装件结构和形成封装件结构的方法。根据一些实施例，封装件结构包括集成电路管芯、至少横向密封集成电路管芯的密封剂、位于集成电路管芯和密封剂上的再分布结构、连接至再分布结构的连接件支撑金属以及位于连接件支撑金属上的外部连接件。再分布结构包括远离密封剂和集成电路管芯设置的介电层。连接件支撑金属具有位于介电层的表面上的第一部分并且具有在穿过介电层的开口中延伸的第二部分。连接件支撑金属的第一部分具有在远离介电层的表面的方向上延伸的倾斜侧壁。本发明的实施例还涉及具有UBM的封装件和形成方法。
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公开(公告)号：CN108010854A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201710681961.7
申请日：2017-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 实施例的封装件包括第一集成电路管芯、第一集成电路管芯周围的密封剂、将第一导电通孔电连接至第二导电通孔的导线，该导线包括位于第一集成电路管芯上方并且具有第一宽度的第一段，以及位于第一集成电路管芯上方具有大于第一宽度的第二宽度的第二段，第二段在第一集成电路管芯和密封剂之间的第一边界上方延伸。本发明的实施例还涉及形成封装件的方法。
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公开(公告)号：CN103579183B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201210592167.2
申请日：2012-12-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L23/488 , H01L25/00 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/5381 , H01L21/486 , H01L21/563 , H01L23/147 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L2224/0345 , H01L2224/0348 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/0362 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/14515 , H01L2224/16237 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81424 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/81895 , H01L2224/83104 , H01L2224/83855 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2224/1144 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种用于设置中介层的系统和方法。实施例包括在中介层晶圆上形成第一区域和第二区域，其中，该中介层在第一区域和第二区域之间具有划线区域。然而，第一区域和第二区域通过位于划线区域上方的电路相互连接。在另一个实施例中，第一区域和第二区域可以相互分离，然后在第一区域连接至第二区域之前，将第一区域和第二区域密封在一起。
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