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公开(公告)号：CN104851850A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410128780.8
申请日：2014-02-14
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/78 , H01L22/12 , H01L24/05 , H01L24/94 , H01L2224/033 , H01L2224/034 , H01L2224/0345 , H01L2224/036 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05555 , H01L2224/05564 , H01L2224/131 , H01L2224/94 , H01L2224/03 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
Abstract: 具有多个管芯的半导体晶圆具有一部分金属化背面。在晶圆切割之后，多个管芯的每个，在其背面，具有由外围无金属化环围绕的金属化区域。该无金属化环允许更容易地对管芯光学检测，以测定任意由晶圆切割造成的背面破损的程度。该外围无金属化环通过不对邻接晶圆的锯通道的区域金属化而生成。
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公开(公告)号：CN104849647A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410052000.6
申请日：2014-02-17
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G01R31/28
CPC classification number: G06F17/5036 , G06F2217/76
Abstract: 一种用于集成电路可靠性老化仿真的方法，包括：将所述目标时间段划分成N个阶段，包括第一阶段和第二阶段；获取可靠性模型的用于所述第一阶段的第一参数值；对于所述第一阶段，基于所述可靠性模型和所述第一参数值对所述电路进行第一仿真，以获取第一老化结果；获取所述可靠性模型的用于所述第二阶段的第二参数值；以及对于所述第二阶段，基于所述可靠性模型和所述第二参数值对所述电路进行第二仿真，以获取第二老化结果。
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公开(公告)号：CN102460581B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201080025282.0
申请日：2010-05-12
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： P·H·派雷
IPC: G11C5/14
CPC classification number: H02M3/073 , G11C11/413
Abstract: 本发明公开了将电路节点(14)充电至第一预定电压的电压电路(10)和方法。被充电于电路节点(14)之上的第一预定电压在第一时间段期间被用于第一预定功能。一部分电荷由电路节点(14)移除到与该电路节点耦接的电路(21、108或116)。该部分电荷在第一时间段之后的第二时间段期间重用。在一种形式中，电压发生器(12)具有可配置二极管型晶体管(42-47)，用于根据电路节点(14)究竟是被充电还是被放电而只沿着一个方向来传递电流。在另一种形式中，开关(106)为了电荷重用而与在参考端子与另一电路(108)之间的电路节点耦接。电荷重用使提高的功耗节省成为可能。
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公开(公告)号：CN102612750B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN200980162502.1
申请日：2009-11-19
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L29/735 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L29/2003 , H01L29/417 , H01L29/66462 , H01L29/7788
Abstract: 一种垂直功率晶体管器件，包括：衬底（100），其由III-V族半导体材料形成；和多层堆叠（116），其至少部分地容纳在所述衬底（100）中。所述多层堆叠包括：半绝缘层（108），其邻近所述衬底（100）设置；和第一层（110），其由第一III-V族半导体材料形成，并邻近所述半绝缘层（108）设置。多层堆叠（116）还包括：第二层（112），其由第二III-V族半导体材料形成，并邻近所述第一层（110）设置；和异质结，其形成在第一层和第二层的界面处。
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公开(公告)号：CN104702224A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410690956.9
申请日：2014-11-26
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: F02P9/007 , F02P7/02 , F02P15/08 , F02P23/045 , H03F1/0288 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/24 , H03F2200/405 , H03F2203/21106 , H03F2203/21142 , H03G3/3042
Abstract: 本发明涉及RF功率放大和分配系统、等离子点火系统及其操作方法。具有多达N个气缸(152,153,154,155)的内燃机(150)的等离子点火系统(110)的实施例包括功率分配器(310)、N个相移器(332,333,334,335)、N个放大器(352,353,354,355)、功率组合器网络(370)以及多达N个辐射器件(396,397,398,399)。功率分配器(410)将输入RF信号(304)划分成N个划分的RF信号(322,323,324,325)。每个相移器将多个预定相移中的其中一个施加(412)于N个划分的RF信号中的其中一个以产生N个相移的RF信号(340,341,342,343)。所述N个放大器放大(414)所述N个相移的RF信号以产生N个被放大、相移的RF信号(360,361,362,363,364)。功率组合器网络组合(416)所述N个被放大、相移的RF信号以产生N个输出RF信号(384,385,386,387)。每个辐射器件接收所述N个输出RF信号中的其中一个，并且当所述输出RF信号的功率电平足够高的时候，产生(418)等离子放电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104684016A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410596958.1
申请日：2014-10-30
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H04W16/18 , H04L5/008 , H04W56/001 , H04L5/0051
Abstract: 本发明涉及将叶节点添加到多节点基站系统的方法。在通信网络中将新系统节点添加到多节点基站系统拓扑结构(例如，链或树拓扑结构)将破坏现有多节点基站系统的有效操作。在新终端节点的配置期间，通过精确地测量穿过现有终端节点的上行链路和下行链路信号之间的定时差，新节点对现有基站节点的有效操作的影响可以被减小。
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公开(公告)号：CN104681519A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410696435.4
申请日：2014-11-26
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/13 , H01L22/12 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05624 , H01L2224/06135 , H01L2224/13147 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48451 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2224/49175 , H01L2224/85048 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2224/85206 , H01L2224/85207 , H01L2224/85238 , H01L2224/85345 , H01L2224/859 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了铜球键合界面结构和形成。提供了具有铜球(32)的集成电路铜引线键合连接，铜球(32)直接键合到形成于低-k介电层(30)上的铝键合盘(31)以形成所述铜球的键合界面结构，其特征在于用于提供热循环可靠性的第一多个几何特征，包括位于所述铜球下面的外围位置(42)以防止铝键合盘中裂纹形成或扩展的铝最小值特征(Z1、Z2)。
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公开(公告)号：CN104637911A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310551693.9
申请日：2013-11-08
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49541 , H01L21/568 , H01L23/49531 , H01L24/48 , H01L2224/05554 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/48145 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/0665
Abstract: 本发明涉及具有路由基板的基于引线框架的半导体装置，以及组装方法。所述半导体装置包括：引线框架；路由基板，设置在引线框架内；以及有源部件，安装在路由基板上。有源部件具有多个片芯焊盘。路由基板包括第一接合焊盘的集合、第二接合焊盘的集合以及多个互连，其中每一互连提供第一接合焊盘和相应的第二接合焊盘之间的电连接。半导体装置还包括在有源部件的一个或多个片芯焊盘和相应的路由基板的第一接合焊盘之间的电耦接件（例如，接合线），以及在引线框架的引线和相应的路由基板的第二接合焊盘之间的电耦接件。
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公开(公告)号：CN104555896A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410535365.4
申请日：2014-10-11
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B7/0006 , B81C1/00158 , B81C1/00198 , G01C19/5783 , G01L1/142 , G01L1/246 , G01L9/0073 , G01P15/125
Abstract: 本发明涉及具有多刺激感测的MEMS传感器器件及其制作方法。器件包括感测了不同物理刺激的传感器。制作包含形成器件结构以包括传感器并且将帽结构和所述器件结构耦合，以便传感器置于帽结构和器件结构的衬底层之间。制作还包含在衬底层内形成端口，以便一个端口将传感器的感测元件暴露于外部环境，以及另一个端口将传感器暂时暴露于外部环境。密封结构被附着于衬底层，以便一个端口被密封结构密封并且密封结构的外部端口与端口对齐。
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公开(公告)号：CN104519005A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410487508.9
申请日：2014-09-22
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H04L27/26
CPC classification number: H04L27/265 , H04L1/0039 , H04L1/08 , H04L27/2613 , H04L67/12
Abstract: 一种检测符号的技术，包括：对包括至少两个重复符号的接收信号执行过尺寸离散傅里叶变换(DFT)操作(704)。基于所述DFT操作确定一个或多个可能符号的子载波的信号特性的和(706)。基于所述DFT操作确定所述一个或多个可能符号的非子载波的信号特性的和。最后，基于所述子载波的信号特性的和与所述非子载波的信号特性的和确定是否检测到所述一个或多个可能符号的一个或多个(710)。
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