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公开(公告)号:CN102117753A
公开(公告)日:2011-07-06
申请号:CN201010002106.7
申请日:2010-01-05
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/50
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L21/4842 , H01L23/49558 , H01L23/49582 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/0665 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及封装半导体器件的方法。使用具有不同宽度的两个不同锯片执行的两个拆分操作来制造方形扁平无引线封装器件,其中第一拆分操作使用宽于第二拆分操作的锯片。在拆分操作之间,用可焊接金属镀敷引线的暴露部分。通过在由第一拆分形成的第一切口内执行第二拆分操作,引线的暴露金属的至少一半保持被镀敷。因此,可以形成更好的焊点,这使得能够进行更简单的视觉检查。
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公开(公告)号:CN105336711A
公开(公告)日:2016-02-17
申请号:CN201410274241.5
申请日:2014-06-19
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/78 , H01L22/34 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及采用低K值介电材料的管芯边缘密封。一种半导体晶片具有用于阻尼及抑制在划片期间生成的初生裂纹并且抑制湿气渗透到管芯的有源区之内的多级结构。该晶片包括由划片通道分离的管芯区阵列。管芯区包含有源区以及包围着有源区的第一环。第一环的一部分包含低K值介电材料。第二环包含金属与层间介电(ILD)材料的交替层的叠层。在环周围的伪金属区包含层叠的伪金属特征件并且包围着有源区。划线网格过程控制(SGPC)特征件的规则的或不规则的交错布局降低了在划片期间的机械应力。
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公开(公告)号:CN104851850A
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201410128780.8
申请日:2014-02-14
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/78 , H01L22/12 , H01L24/05 , H01L24/94 , H01L2224/033 , H01L2224/034 , H01L2224/0345 , H01L2224/036 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05555 , H01L2224/05564 , H01L2224/131 , H01L2224/94 , H01L2224/03 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
Abstract: 具有多个管芯的半导体晶圆具有一部分金属化背面。在晶圆切割之后,多个管芯的每个,在其背面,具有由外围无金属化环围绕的金属化区域。该无金属化环允许更容易地对管芯光学检测,以测定任意由晶圆切割造成的背面破损的程度。该外围无金属化环通过不对邻接晶圆的锯通道的区域金属化而生成。
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公开(公告)号:CN102683221B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201110063844.7
申请日:2011-03-17
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/58 , H01L23/367
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/568 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L23/49816 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011 , H01L2924/014 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/32145 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其组装方法。一种形成半导体装置的方法,包括:将管芯固着到热沉以形成管芯和热沉组件,并然后将所述管芯和热沉组件放置在支撑元件上。一种半导体装置包括设置在支撑元件上的管芯和热沉组件。所述管芯和热沉组件在被设置在所述支撑元件上之前被预组装。
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公开(公告)号:CN102683221A
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201110063844.7
申请日:2011-03-17
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/58 , H01L23/367
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/568 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L23/49816 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011 , H01L2924/014 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/32145 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其组装方法。一种形成半导体装置的方法,包括:将管芯固着到热沉以形成管芯和热沉组件,并然后将所述管芯和热沉组件放置在支撑元件上。一种半导体装置包括设置在支撑元件上的管芯和热沉组件。所述管芯和热沉组件在被设置在所述支撑元件上之前被预组装。
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公开(公告)号:CN106960799A
公开(公告)日:2017-07-18
申请号:CN201610163609.X
申请日:2016-01-12
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L24/32 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/24195 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/92125 , H01L2224/92244 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/52 , H01L24/80
Abstract: 制造用于集成电路装置的3D扇出结构的方法,包括:提供衬底载体,其具有相对的第一和第二表面,以及在第一和第二表面之间延伸的孔。将第一半导体片芯接合至衬底载体的第一表面,使得第一片芯覆盖衬底载体的孔。将封装剂和第二片芯沉积放置在衬底载体的孔内,使得第二片芯的有效表面暴露并且与衬底载体的第二表面共面。随后将一个或者多个再分配层施加至衬底载体的第二表面上,来形成3D扇出结构。
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公开(公告)号:CN106129035A
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201510371780.5
申请日:2015-05-05
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31
Abstract: 本公开涉及具有模制锁定的露出焊盘式集成电路封装件。集成电路封装件具有带有沟槽和沟槽中开口的露出的管芯焊盘,该开口填充有包封剂以形成接近管芯焊盘的边缘的包封剂环。在组装期间,包封剂通过开口并填充沟槽以形成包封剂环。该环有助于阻止由热循环引起的管芯焊盘与包封剂分开。空气出口可包括在管芯焊盘表面中以在沟槽和开口填充有包装剂时允许空气脱离沟槽和开口。在管芯焊盘的芯片侧上可包括从开口到管芯焊盘边缘的沟槽以增强包封剂到管芯焊盘的粘附。
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公开(公告)号:CN102130098B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201010004666.6
申请日:2010-01-20
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L25/00 , H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/367
CPC classification number: H01L24/49 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49531 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L25/0655 , H01L2224/2919 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/49 , H01L2924/00014 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/078 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/0665 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及双管芯半导体封装,其在衬底的基表面上具有电接触的栅格阵列。存在基表面被安装到衬底的上表面的第一半导体管芯,且该第一半导体管芯在上表面上具有电连接到各自的栅格阵列的电接触的第一管芯上表面外部电连接垫。还存在基表面被安装到引线框标志板的上表面的第二半导体管芯。在第二半导体管芯的上表面上有第二管芯上表面外部电连接垫。该双管芯半导体封装包括引线,且至少一些引线电连接到各自的垫,所述垫提供第二管芯上表面外部电连接垫。封装体至少部分包围第一半导体管芯和第二半导体管芯。栅格阵列的电接触和每个引线的一部分从封装体凸出以形成外部封装电连接。此外,通过封装体暴露在第二半导体管芯正下方的引线框标志板的基表面的至少一部分,并且所述至少一部分提供热沉。
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公开(公告)号:CN102891090A
公开(公告)日:2013-01-23
申请号:CN201110228863.0
申请日:2011-07-18
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49551 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/48247 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 提供一种半导体器件及其封装方法。一种四方扁平封装(QFP)器件包括附连到引线框架的标记的半导体管芯。管芯的键合焊盘通过键合线电连接到引线框架的内部和外部行引线。管芯、管芯标记、键合线和部分的内部与外部引线被模塑料覆盖,从而限定出封装主体。外部引线类似于传统QFP器件的鸥翼形引线,而内部引线在封装主体的底表面构成接触点。在内部引线的内侧执行切割以分离内部引线和管芯焊盘。
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公开(公告)号:CN102842515A
公开(公告)日:2012-12-26
申请号:CN201110169920.2
申请日:2011-06-23
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L21/4832 , H01L23/3107 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L2224/131 , H01L2224/16245 , H01L2224/16258 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/97 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2924/00
Abstract: 一种组装半导体器件的方法,半导体器件包括提供导电引线框面板,以及选择性半蚀刻所述引线框面板的顶侧,以便提供多个管脚焊盘。将倒装芯片管芯附接并且电连接到所述管脚焊盘,然后以模塑料封装所述引线框面板和管芯。在引线框面板的背面执行第二选择性半蚀刻步骤,以便形成多个分离的输入/输出管脚。每个输入/输出管脚的侧壁包括横截面为弓形的表面。
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