公开(公告)号：CN103143798B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210202183.6

申请日：2012-06-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘重希 ,  黄见翎 ,  张博平 ,  黄英叡

IPC分类号： B23K1/00 ,  B23K3/00 ,  B23K3/08 ,  H01L21/60 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： B23K1/0016 ,  B23K1/0053 ,  B23K1/012 ,  B23K1/206 ,  B23K2101/42 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/75651 ,  H01L2224/765 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81211 ,  H01L2224/81912 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明公开了一种方法，所述方法包括对封装结构的焊区进行回流焊，以及在高于室温的清理温度下对所述封装结构实施清理。在所述回流焊步骤与所述清理步骤之间，所述封装结构未被冷却到接近于所述室温的温度。本发明还公开了回流焊和清理集成工艺以及实施该工艺的设备。

公开(公告)号：CN105206538A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201410445854.0

申请日：2014-09-03

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张博平 ,  林勇志 ,  黄见翎 ,  刘重希 ,  陈孟泽 ,  郑明达 ,  余振华

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/565 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种方法，包括将封装结构置于包封模具内，使得封装结构中的器件管芯的顶面接触包封模具中的离型膜。通过注入端口，将模塑料注入至包封模具的内部空间内，注入端口位于包封模具的一侧。在注入模塑料期间，通过包封模具的第一排气端口和第二排气端口实施排气步骤。第一排气端口具有第一流速，而第二排气端口具有不同于第一流速的第二流速。本发明涉及晶圆级传递模塑及其实施装置。

公开(公告)号：CN102751225A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210050921.X

申请日：2012-02-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄贵伟 ,  林威宏 ,  陈孟泽 ,  林俊成 ,  蔡钰芃 ,  张博平 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/683

CPC分类号： H01L21/6838 ,  H01L24/75

摘要： 一种用于处理较薄集成电路管芯的真空端部和方法。公开了用于附接集成电路管芯的真空端部，该真空端部包括：真空端部，用于附接到集成电路管芯，真空端部包括真空端口并且具有底面，真空端口被配置为连接至位于上表面上的真空源；以及至少一个真空孔，连接至真空端口，并且延伸穿过真空端部，并且在真空端部的底面处暴露至少一个真空孔；其中，真空端部的底面被配置为与集成电路管芯的表面物理接触。公开了用于处理集成电路管芯的方法。本发明还提供了一种用于较薄管芯处理的方法和装置。

公开(公告)号：CN105895607B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201510657643.8

申请日：2015-10-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄见翎 ,  张博平 ,  刘重希 ,  廖信宏 ,  黄英叡

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/48

摘要： 半导体封装件包括载体、至少一个粘合剂部分、多个微引脚和管芯。载体具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。粘合剂部分设置在第一表面上，并且多个微引脚设置在粘合剂部分中。管芯设置在没有微引脚的剩余的粘合剂部分上。本发明的实施例还涉及用于半导体封装件的互连结构和制造互连结构的方法。

公开(公告)号：CN103377909B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210278313.4

申请日：2012-08-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄见翎 ,  萧义理 ,  张博平 ,  廖信宏 ,  王林伟 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： B28D5/00 ,  B23K26/02 ,  B23K26/083 ,  B28D5/029 ,  H01L21/67092 ,  Y10T83/748

摘要： 本发明的目的在于提供一种用于分割半导体衬底或晶圆的设备和方法。在一些实施例中，分割设备包括多个切割装置。切割装置被配置为在半导体晶圆表面上并行地形成多条切割线。在一些实施例中，分割设备包括至少两个切割锯或激光模块。所公开的分割设备可通过在横跨晶圆的整个圆周边缘的方向上进行切割来将半导体晶圆切割为单个芯片，从而减少了工艺时间并增加了产量。

公开(公告)号：CN103000593B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210190004.1

申请日：2012-06-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林志伟 ,  郑明达 ,  吕文雄 ,  林修任 ,  张博平 ,  刘重希 ,  李明机 ,  余振华 ,  陈孟泽 ,  林俊成 ,  蔡钰芃 ,  黄贵伟 ,  林威宏

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/52 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06515 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15322 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了用于半导体器件的封装方法和结构。在一个实施例中，封装的半导体器件包括再分布层(RDL)，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。至少一个集成电路连接至RDL的第一表面，以及多个金属凸块连接至RDL的第二表面。模塑料被设置在至少一个集成电路和RDL的第一表面的上方。

公开(公告)号：CN103377909A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210278313.4

申请日：2012-08-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄见翎 ,  萧义理 ,  张博平 ,  廖信宏 ,  王林伟 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： B28D5/00 ,  B23K26/02 ,  B23K26/083 ,  B28D5/029 ,  H01L21/67092 ,  Y10T83/748

摘要： 本发明的目的在于提供一种用于分割半导体衬底或晶圆的设备和方法。在一些实施例中，分割设备包括多个切割装置。切割装置被配置为在半导体晶圆表面上并行地形成多条切割线。在一些实施例中，分割设备包括至少两个切割锯或激光模块。所公开的分割设备可通过在横跨晶圆的整个圆周边缘的方向上进行切割来将半导体晶圆切割为单个芯片，从而减少了工艺时间并增加了产量。

公开(公告)号：CN102347250A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110006024.4

申请日：2011-01-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄贵伟 ,  林威宏 ,  王林伟 ,  张博平 ,  郑明达 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L23/00

CPC分类号： B23K31/02 ,  B23K1/0016 ,  H01L21/563 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75302 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81947 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H05K1/144 ,  H05K1/181 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/082 ,  Y02P70/613 ,  Y10T428/24612 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种凸块结构的形成方法及装置，其中该方法包含提供第一工件，其包含具有上表面的介电层，面对第一工件放置第二工件，放置加热工具接触第二工件，以及使用加热工具加热第二工件，进行回焊工艺，在第一与第二工件之间的第一焊锡凸块熔融，形成第二焊锡凸块，在第二焊锡凸块固化之前，将第二工件从第一工件拉开，直到第二焊锡凸块的切线与介电层的上表面之间形成的角度大于约50度，其中切线从第二焊锡凸块连接介电层的点绘制。本发明提供的方法及装置能够降低焊锡凸块内的裂痕。

公开(公告)号：CN102347250B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201110006024.4

申请日：2011-01-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄贵伟 ,  林威宏 ,  王林伟 ,  张博平 ,  郑明达 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L23/00

CPC分类号： B23K31/02 ,  B23K1/0016 ,  H01L21/563 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75302 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81947 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H05K1/144 ,  H05K1/181 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/082 ,  Y02P70/613 ,  Y10T428/24612 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种凸块结构的形成方法及装置，其中该方法包含提供第一工件，其包含具有上表面的介电层，面对第一工件放置第二工件，放置加热工具接触第二工件，以及使用加热工具加热第二工件，进行回焊工艺，在第一与第二工件之间的第一焊锡凸块熔融，形成第二焊锡凸块，在第二焊锡凸块固化之前，将第二工件从第一工件拉开，直到第二焊锡凸块的切线与介电层的上表面之间形成的角度大于约50度，其中切线从第二焊锡凸块连接介电层的点绘制。本发明提供的方法及装置能够降低焊锡凸块内的裂痕。

公开(公告)号：CN102800601A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210010818.2

申请日：2012-01-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈孟泽 ,  林威宏 ,  吴胜郁 ,  林俊成 ,  黄贵伟 ,  蔡钰芃 ,  林志伟 ,  吕文雄 ,  林修任 ,  张博平 ,  郑明达 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L21/565 ,  H01L21/566 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

摘要： 一种封装方法包括在离型膜上方布置封装部件，其中，该封装部件的表面上的焊球与该离型膜物理接触。然后，对填充在离型膜和封装部件之间的模塑料进行固化，其中，在该固化步骤中焊球仍与离型膜保持物理接触。本发明还公开了一种用于涂敷模塑料的层叠封装工艺。