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公开(公告)号：CN104637905A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410385446.0
申请日：2014-08-07
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/14 , H01L22/14 , H01L22/32 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0231 , H01L2224/02311 , H01L2224/02331 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/034 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/05018 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05551 , H01L2224/05552 , H01L2224/05556 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05687 , H01L2224/061 , H01L2224/0612 , H01L2224/0801 , H01L2224/08059 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/131 , H01L2224/14104 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/81815 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/00012 , H01L2924/014
摘要： 本发明提供了半导体器件及其形成方法。提供了一种具有位于介电层上方的凸块下金属层(UBM)的半导体器件。UBM具有配置为偏离UBM的中心点的沟槽。沟槽中心到UBM的边缘之间的距离大于沟槽中心到UBM的相对边缘之间的距离。探针配置为接触UBM并采集测量数据。
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公开(公告)号：CN101359605A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810134052.2
申请日：2004-05-19
申请人： 齐普特洛尼克斯公司
发明人： 童勤义
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/762 , B81C1/00
CPC分类号： B32B7/04 , B32B2250/04 , B81C1/00357 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , H01L21/3105 , H01L21/76251 , H01L24/26 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/08059 , H01L2224/29186 , H01L2224/80896 , H01L2224/81894 , H01L2224/81895 , H01L2224/8319 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2224/83896 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/92125 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01058 , H01L2924/01067 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/351 , Y10T156/10 , Y10T428/24355 , Y10T428/24942 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/05442
摘要： 一种粘结方法，包括使用具有氟化氧化物的粘结层。通过暴露于含氟溶液、蒸汽或者气体下或者通过植入，可将氟引入到粘结层内。也可使用其中在粘结层的形成过程中将氟引入其内的方法，从而形成粘结层。粘结层的表面用所需物种，优选NH2物种终止。这可通过将粘结层暴露于NH4OH溶液来实现。在室温下获得高的粘结强度。该方法也可包括一起粘结两层粘结层并在粘结层之间的界面附近处生成具有峰值的氟浓度。粘结层之一可包括在彼此上形成的两层氧化物层。在两层氧化物层之间的界面处，氟的浓度也可具有第二峰值。
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公开(公告)号：CN1860590A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200480018125.1
申请日：2004-05-19
申请人： 齐普特洛尼克斯公司
发明人： 童勤义
CPC分类号： B32B7/04 , B32B2250/04 , B81C1/00357 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , H01L21/3105 , H01L21/76251 , H01L24/26 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/08059 , H01L2224/29186 , H01L2224/80896 , H01L2224/81894 , H01L2224/81895 , H01L2224/8319 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2224/83896 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/92125 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01058 , H01L2924/01067 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/351 , Y10T156/10 , Y10T428/24355 , Y10T428/24942 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/05442
摘要： 一种粘结方法，包括使用具有氟化氧化物的粘结层。通过暴露于含氟溶液、蒸汽或者气体下或者通过植入，可将氟引入到粘结层内。也可使用其中在粘结层的形成过程中将氟引入其内的方法，从而形成粘结层。粘结层的表面用所需物种，优选NH2物种终止。这可通过将粘结层暴露于NH4OH溶液来实现。在室温下获得高的粘结强度。该方法也可包括一起粘结两层粘结层并在粘结层之间的界面附近处生成具有峰值的氟浓度。粘结层之一可包括在彼此上形成的两层氧化物层。在两层氧化物层之间的界面处，氟的浓度也可具有第二峰值。
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公开(公告)号：CN105280657B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201510321410.0
申请日：2015-06-12
申请人： 东芝存储器株式会社
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/28 , H01L21/82
CPC分类号： H01L21/4853 , H01L21/76885 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L27/14634 , H01L27/14643 , H01L2224/03462 , H01L2224/03616 , H01L2224/03831 , H01L2224/05547 , H01L2224/05557 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/08059 , H01L2224/08111 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/80203 , H01L2224/80345 , H01L2224/80365 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 根据实施方式，提供一种半导体装置。半导体装置具备绝缘层、电极和槽。绝缘层设在基板的表面上。电极埋设在绝缘层中，一方的端面从绝缘层露出。槽形成在基板表面的电极的周围。此外，槽以电极的外侧面为一方的侧面，绝缘层的表面侧被开放。埋设在绝缘层中的电极其一方的端面从绝缘层的表面突出。
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公开(公告)号：CN106992163A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201610836377.X
申请日：2016-09-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/48
CPC分类号： H01L24/32 , H01L21/76816 , H01L21/7685 , H01L21/76898 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L2224/02166 , H01L2224/0221 , H01L2224/0361 , H01L2224/0391 , H01L2224/04042 , H01L2224/05093 , H01L2224/05094 , H01L2224/05095 , H01L2224/05096 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05559 , H01L2224/0557 , H01L2224/05624 , H01L2224/08054 , H01L2224/08059 , H01L2224/32113 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/35121 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L24/13 , H01L23/481 , H01L2224/10125 , H01L2224/13009 , H01L2224/13012
摘要： 公开了一种具有防焊盘剥离结构的半导体器件。该半导体器件包括具有衬底穿孔(TSV)的半导体衬底；半导体衬底上且包括其中的多个凹槽的介电层；以及位于半导体衬底之上以覆盖介电层部分和延伸至凹槽的焊盘；其中，焊盘延伸至多个凹槽，以及在焊盘和导电层之间的凹槽中限制多个接触点，以及当自上向下角度看时，每个接触点至少部分地被排除在TSV的边界之外。本发明实施例涉及具有防焊盘剥离结构的半导体器件和相关方法。
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公开(公告)号：CN105280657A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510321410.0
申请日：2015-06-12
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/28 , H01L21/82
CPC分类号： H01L21/4853 , H01L21/76885 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L27/14634 , H01L27/14643 , H01L2224/03462 , H01L2224/03616 , H01L2224/03831 , H01L2224/05547 , H01L2224/05557 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/08059 , H01L2224/08111 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/80203 , H01L2224/80345 , H01L2224/80365 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 根据实施方式，提供一种半导体装置。半导体装置具备绝缘层、电极和槽。绝缘层设在基板的表面上。电极埋设在绝缘层中，一方的端面从绝缘层露出。槽形成在基板表面的电极的周围。此外，槽以电极的外侧面为一方的侧面，绝缘层的表面侧被开放。埋设在绝缘层中的电极其一方的端面从绝缘层的表面突出。
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公开(公告)号：CN101359605B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200810134052.2
申请日：2004-05-19
申请人： 齐普特洛尼克斯公司
发明人： 童勤义
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/762 , B81C1/00
CPC分类号： B32B7/04 , B32B2250/04 , B81C1/00357 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , H01L21/3105 , H01L21/76251 , H01L24/26 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/08059 , H01L2224/29186 , H01L2224/80896 , H01L2224/81894 , H01L2224/81895 , H01L2224/8319 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2224/83896 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/92125 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01058 , H01L2924/01067 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/351 , Y10T156/10 , Y10T428/24355 , Y10T428/24942 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/05442
摘要： 一种粘结方法，包括使用具有氟化氧化物的粘结层。通过暴露于含氟溶液、蒸汽或者气体下或者通过植入，可将氟引入到粘结层内。也可使用其中在粘结层的形成过程中将氟引入其内的方法，从而形成粘结层。粘结层的表面用所需物种，优选NH2物种终止。这可通过将粘结层暴露于NH4OH溶液来实现。在室温下获得高的粘结强度。该方法也可包括一起粘结两层粘结层并在粘结层之间的界面附近处生成具有峰值的氟浓度。粘结层之一可包括在彼此上形成的两层氧化物层。在两层氧化物层之间的界面处，氟的浓度也可具有第二峰值。
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公开(公告)号：CN100468639C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200480018125.1
申请日：2004-05-19
申请人： 齐普特洛尼克斯公司
发明人： 童勤义
CPC分类号： B32B7/04 , B32B2250/04 , B81C1/00357 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , H01L21/3105 , H01L21/76251 , H01L24/26 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/08059 , H01L2224/29186 , H01L2224/80896 , H01L2224/81894 , H01L2224/81895 , H01L2224/8319 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2224/83896 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/92125 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01058 , H01L2924/01067 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/351 , Y10T156/10 , Y10T428/24355 , Y10T428/24942 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/05442
摘要： 一种粘结方法，包括使用具有氟化氧化物的粘结层。通过暴露于含氟溶液、蒸汽或者气体下或者通过植入，可将氟引入到粘结层内。也可使用其中在粘结层的形成过程中将氟引入其内的方法，从而形成粘结层。粘结层的表面用所需物种，优选NH2物种终止。这可通过将粘结层暴露于NH4OH溶液来实现。在室温下获得高的粘结强度。该方法也可包括一起粘结两层粘结层并在粘结层之间的界面附近处生成具有峰值的氟浓度。粘结层之一可包括在彼此上形成的两层氧化物层。在两层氧化物层之间的界面处，氟的浓度也可具有第二峰值。
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