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公开(公告)号：JP2018152591A
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：JP2018099258
申请日：2018-05-24
申请人： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人： アルン・ヴィルパクシャ・ゴウダ , シャクティ・シン・チャウハン , ポール・アラン・マッコネリー
CPC分类号： H01L23/49568 , H01L23/4334 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2224/92144 , H01L2224/9222 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/181
摘要： 【課題】改善されたサーマルインターフェースを有するPOL構造を提供する。 【解決手段】半導体デバイスモジュールが、誘電層48と、誘電層に結合された第1の表面を有する半導体デバイス43、44、45と、誘電層に結合された第1の表面を有する導電性シム60と、を含む。半導体デバイスは、また、半導体デバイスの第2の表面と導電性シムの第2の表面とに結合された第1の表面を有する導電性コンタクト層62を含む。メタライゼーション層52が、半導体デバイスの第1の表面と導電性シムの第1の表面とに結合されている。このメタライゼーション層は、誘電層を通って延び、導電性シムと導電性コンタクト層とによって半導体デバイスの第2の表面に電気的に接続されている。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP6881889B2
公开(公告)日：2021-06-02
申请号：JP2015243707
申请日：2015-12-15
申请人： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人： アルン・ヴィルパクシャ・ゴウダ , ポール・アラン・マッコネリー , リスト・イルッカ・トゥオミネン
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公开(公告)号：JP6496571B2
公开(公告)日：2019-04-03
申请号：JP2015036002
申请日：2015-02-26
申请人： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人： アルン・ヴィルパクシャ・ゴーダ , ポール・アラン・マッコネリー , シャクティ・シン・チャウハン
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公开(公告)号：JP2021061453A
公开(公告)日：2021-04-15
申请号：JP2021008342
申请日：2021-01-22
申请人： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人： アルン・ヴィルパクシャ・ゴウダ , ポール・アラン・マッコネリー
摘要： 【課題】 I/O相互接続部を製作するための方法を提供する。 【解決手段】パワーオーバーレイ(POL)構造体は、少なくとも1つの上部コンタクトパッドをその上面に配置されて有するパワーデバイスと、パワーデバイスの上面に結合された誘電体層、および誘電体層を貫通して形成されたビアを通って延在する金属相互接続部を有し、パワーデバイスの少なくとも1つの上部コンタクトパッドに電気的に結合された金属被覆層を有するPOL相互接続層とを含む。POL構造体はまた、金属被覆層に直接結合された少なくとも1つの銅のワイヤボンドを含む。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6342120B2
公开(公告)日：2018-06-13
申请号：JP2013057468
申请日：2013-03-21
申请人： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人： ポール・アラン・マッコネリー , エリザベス・アン・バーク , スコット・スミス
CPC分类号： H01L23/5383 , H01L21/4857 , H01L21/561 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5387 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L25/105 , H01L2021/60 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92144 , H01L2224/92244 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/3511 , H05K1/0271 , H05K1/144 , H05K1/185 , H05K1/189 , H05K3/4602 , H05K3/4644 , H05K3/4661 , H05K3/467 , H05K3/4673 , H05K2201/0187 , H05K2201/0191 , H05K2201/09136 , H05K2201/10734 , H01L2924/00
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公开(公告)号：JP2015170855A
公开(公告)日：2015-09-28
申请号：JP2015036002
申请日：2015-02-26
申请人： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人： アルン・ヴィルパクシャ・ゴーダ , ポール・アラン・マッコネリー , シャクティ・シン・チャウハン
CPC分类号： H01L24/32 , H01L23/34 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/481 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/27 , H01L24/43 , H01L24/46 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L25/105 , H05K3/305 , H05K3/4602 , H01L2224/04105 , H01L2224/05599 , H01L2224/2402 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/2518 , H01L2224/2711 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32501 , H01L2224/43 , H01L2224/45147 , H01L2224/46 , H01L2224/80365 , H01L2224/85399 , H01L2224/92144 , H01L2225/1052 , H01L2225/1094 , H01L23/42 , H01L23/433 , H01L24/45 , H01L2924/00014 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/1304 , H01L2924/13091 , H01L2924/1433 , H05K1/0206 , H05K1/0209 , H05K1/183 , H05K1/185 , H05K2201/0195 , H05K2201/09845 , H05K2203/302 , H05K3/301 , H05K3/306 , H05K3/366 , Y02P70/613
摘要： 【課題】第1の誘電体層と、第1の誘電体層に取り付けられた半導体デバイスと、それ自体の中に半導体デバイスを埋め込むように第1の誘電体層に付けられた埋め込み材料とを含むパッケージ構造を提供する。 【解決手段】ビアが半導体デバイスまで第1の誘電体層を貫通して形成され、半導体デバイスへの電気的相互接続部を形成するために、金属インターコネクトがビア内に形成される。入力/出力(I/O)接続部は、外部回路への第2レベルの接続を可能にするために、パッケージ構造の一方の端部においてパッケージ構造の外側に面した表面に設置される。パッケージ構造は、外部回路に垂直にパッケージを実装するために外部回路上のコネクタとインターフィットし、I/O接続部が外部回路への第2レベルの接続を形成するためにコネクタに電気的に接続される。 【選択図】図1
摘要翻译： 要解决的问题：提供一种封装结构，其包括第一电介质层，附着到第一电介质层的半导体器件和施加到第一电介质层的嵌入材料，以便将半导体器件嵌入其中。解决方案：通孔是 通过第一电介质层形成至半导体器件，其中形成在通孔中的金属互连形成与半导体器件的电互连。 输入/输出（I / O）连接位于封装结构的外表面上的封装结构的一端，以实现与外部电路的第二级连接。 封装结构与外部电路上的连接器相互连接，以垂直于外部电路安装封装，其中I / O连接电连接到连接器以形成到外部电路的第二级连接。
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公开(公告)号：JP6595158B2
公开(公告)日：2019-10-23
申请号：JP2014048289
申请日：2014-03-12
申请人： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人： アルン・ヴィルパクシャ・ゴウダ , シャクティ・シン・チャウハン , ポール・アラン・マッコネリー
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公开(公告)号：JP6302184B2
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：JP2013148095
申请日：2013-07-17
申请人： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人： アルン・ヴィルパクスカ・ゴーダ , ポール・アラン・マッコネリー , シャクティ・シン・チャウハン
CPC分类号： H01L23/49838 , H01L21/4853 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/3142 , H01L23/3178 , H01L23/3735 , H01L23/49816 , H01L23/49833 , H01L23/49894 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L25/072 , H01L2224/04105 , H01L2224/24137 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/83192 , H01L2224/8384 , H01L2224/92144 , H01L2924/0781 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
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公开(公告)号：JP2016046523A
公开(公告)日：2016-04-04
申请号：JP2015160009
申请日：2015-08-14
申请人： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人： ポール・アラン・マッコネリー , アルン・ヴィルパークシャ・ゴーダ
CPC分类号： H01L25/16 , H01L21/76802 , H01L21/76897 , H01L23/5221 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53228 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/19 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05647 , H01L2224/06181 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/83851 , H01L2224/83862 , H01L2224/83865 , H01L2224/83874 , H01L2224/83895 , H01L2224/83931 , H01L2224/92144 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L2924/15153 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/20
摘要： 【課題】埋め込み型半導体デバイスパッケージのための電気的相互接続構造体を提供する。 【解決手段】電子回路パッケージは、その厚さを貫通して形成された第1の複数のビアを有する第1の誘電体基板、第1の誘電体基板の上面に結合された金属化コンタクト層、および第1の誘電体基板の厚さを貫通して形成された第1のダイ開口部内に位置付けされた第1のダイを含む。金属化相互接続部は、第1の誘電体基板の底面に形成され、金属化コンタクト層に接触するように第1の複数のビアを貫通して延びる。第2の誘電体基板は、第1の誘電体基板に結合され、その厚さを貫通して形成された第2の複数のビアを有する。金属化相互接続部は、第1の複数の金属化相互接続部および第1のダイのコンタクトパッドに接触するように第2の複数のビアを貫通して延びる。第1の導電性要素は、第1のダイを金属化コンタクト層に電気的に結合する。 【選択図】図18
摘要翻译： 要解决的问题：提供一种用于嵌入式半导体器件封装的电互连结构。解决方案：一种电子电路封装，包括具有通过其厚度形成的第一多个通孔的第一电介质基板，耦合到顶表面的金属化接触层 以及位于通过第一电介质基板的厚度形成的第一裸片开口内的第一裸片。 金属化互连件形成在第一电介质基片的底表面上并延伸通过第一多个通孔以接触金属化的接触层。 第二电介质基板耦合到第一电介质基板，并且具有通过其厚度形成的第二多个通孔。 金属化互连延伸穿过第二多个通孔以接触第一裸片的第一多个金属化互连和接触垫。 第一导电元件将第一裸片电耦合到金属化接触层。选择的图：图18
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公开(公告)号：JP4993420B2
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：JP2001017759
申请日：2001-01-26
申请人： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人： アニル・ラジ・ドゥガル , ポール・アラン・マッコネリー , ラリー・ジーン・ターナー , リチャード・ジョセフ・サイア
CPC分类号： H01L51/5203 , H01L27/3202 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L2224/92144 , H01L2251/5361 , H01L2924/07811 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
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