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公开(公告)号：TWI507254B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW100141389
申请日：2011-11-14
Inventor： 林俞良 , LIN, YU LIANG , 吳文進 , WU, WENG JIN , 林俊成 , LIN, JING CHENG , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/68728
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公开(公告)号：TW201533861A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103145294
申请日：2014-12-24
Inventor： 黃文濬 , HUANG, WENCHUN , 李建成 , LI, CHIENCHEN , 劉國洲 , LIU, KUOCHIO , 薛瑞雲 , SHIUE, RUEYYUN , 鄭錫圭 , CHENG, HSIKUEI , 林志賢 , LIN, CHIHHSIEN , 林俊成 , LIN, JINGCHENG , 陸湘台 , LU, HSIANGTAI , 謝子逸 , SHIEH, TZIYI
CPC classification number: H01L21/565 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/145 , H01L23/147 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/36 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5329 , H01L23/5384 , H01L23/60 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/05573 , H01L2224/05583 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/06181 , H01L2224/11002 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/13082 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/1403 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/81895 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/10333 , H01L2924/10335 , H01L2924/10342 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2924/00012
Abstract: 本揭露的實施例包含半導體封裝體及其製造方法。一實施例為方法，包含安裝一晶粒至一基板的頂表面，以形成一元件，密封晶粒及基板的頂表面於一模塑化合物內，此模塑化合物於晶粒上具有一第一厚度，以及移除模塑化合物於晶粒上的厚度的一部分，而非全部。此方法更包含對元件進行進一步的處理，以及移除模塑化合物於晶粒上的剩餘厚度。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露的实施例包含半导体封装体及其制造方法。一实施例为方法，包含安装一晶粒至一基板的顶表面，以形成一组件，密封晶粒及基板的顶表面于一模塑化合物内，此模塑化合物于晶粒上具有一第一厚度，以及移除模塑化合物于晶粒上的厚度的一部分，而非全部。此方法更包含对组件进行进一步的处理，以及移除模塑化合物于晶粒上的剩余厚度。
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公开(公告)号：TW201533811A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103145535
申请日：2014-12-25
Inventor： 施婉婷 , SHIH, WANTING , 劉乃瑋 , LIU, NAIWEI , 林俊成 , LIN, JINGCHENG , 黃震麟 , HUANG, CHENGLIN
IPC: H01L21/56 , H01L21/768 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/04 , H01L21/568 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/19 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/97 , H01L2224/02317 , H01L2224/02379 , H01L2224/0239 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/24137 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/97 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/181 , H01L2224/82 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
Abstract: 本發明之一實施例係一種封裝結構，其包含側向包覆一晶片的一模製化合物，且晶片具有一接觸墊。一第一介電層係形成覆蓋模製化合物及晶片，且具有一第一開口暴露接觸墊。一第一金屬化層係形成覆蓋第一介電層，其中第一金屬化層填充第一開口。一第二介電層係形成覆蓋第一金屬化層及第一介電層，且具有一第二開口位於第一開口之上。一第二金屬化層係形成覆蓋第二介電層且形成於第二開口內。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之一实施例系一种封装结构，其包含侧向包覆一芯片的一模制化合物，且芯片具有一接触垫。一第一介电层系形成覆盖模制化合物及芯片，且具有一第一开口暴露接触垫。一第一金属化层系形成覆盖第一介电层，其中第一金属化层填充第一开口。一第二介电层系形成覆盖第一金属化层及第一介电层，且具有一第二开口位于第一开口之上。一第二金属化层系形成覆盖第二介电层且形成于第二开口内。
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公开(公告)号：TW201532213A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103145305
申请日：2014-12-24
Inventor： 茅一超 , MAO, YICHAO , 林俊成 , LIN, JINGCHENG
IPC: H01L23/31 , H01L21/768 , H01L21/56
CPC classification number: H01L24/96 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2224/0231 , H01L2224/04105 , H01L2224/11013 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一種用以封裝半導體元件的方法，包含固定複數個晶粒到載體晶圓，其中每個晶粒都包含頂面、形成鑄型化合物層在晶粒上且包覆晶粒的頂面、移除第一部分的鑄型化合物層、移除第二部分的鑄型化合物層，使得晶粒的頂面不再被鑄型化合物層給包覆、形成重分佈層在晶粒的頂面上、形成複數個焊球在至少部分的重分佈層上，以及分離晶粒。
Abstract in simplified Chinese: 一种用以封装半导体组件的方法，包含固定复数个晶粒到载体晶圆，其中每个晶粒都包含顶面、形成铸型化合物层在晶粒上且包覆晶粒的顶面、移除第一部分的铸型化合物层、移除第二部分的铸型化合物层，使得晶粒的顶面不再被铸型化合物层给包覆、形成重分布层在晶粒的顶面上、形成复数个焊球在至少部分的重分布层上，以及分离晶粒。
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公开(公告)号：TWI496264B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW101141979
申请日：2012-11-12
Inventor： 林俊成 , LIN, JING CHENG , 章鑫 , CHANG, HSIN , 林士庭 , LIN, SHIH TING
IPC: H01L23/538 , H01L21/58
CPC classification number: H01L23/28 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/147 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5384 , H01L24/06 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2221/68345 , H01L2224/0401 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13655 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81192 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201523806A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103115923
申请日：2014-05-05
Inventor： 許峰誠 , HSU, FENG CHENG , 盧思維 , LU, SZU WEI , 林俊成 , LIN, JING CHENG
IPC: H01L23/28 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/02 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L2224/02315 , H01L2224/02331 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05024 , H01L2224/12105 , H01L2224/13026 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/181 , H01L2924/00
Abstract: 本發明揭露一種封裝結構及其形成方法。在一實施例中，封裝結構可包括一晶粒，包括一主動層側上之一電性焊墊，以及一封膠體，側向圍繞晶粒且延伸於晶粒之主動層側正上方。一導電圖案位於封膠體上，包括位於一開口內之一介層連接窗，其貫穿封膠體到達並接觸電性焊墊。在一些實施例中，一介電層可位於封膠體上，導電圖案可位於介電層上。在其它實施例中，封膠體可為一介電封膠體，導電圖案可鄰接介電封膠體。在一些實施例中，封膠體可為一可光學圖案化材料、一模製化合物或一ABF絕緣膜。上述結構可包括額外介電層及導電圖案。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种封装结构及其形成方法。在一实施例中，封装结构可包括一晶粒，包括一主动层侧上之一电性焊垫，以及一封胶体，侧向围绕晶粒且延伸于晶粒之主动层侧正上方。一导电图案位于封胶体上，包括位于一开口内之一介层连接窗，其贯穿封胶体到达并接触电性焊垫。在一些实施例中，一介电层可位于封胶体上，导电图案可位于介电层上。在其它实施例中，封胶体可为一介电封胶体，导电图案可邻接介电封胶体。在一些实施例中，封胶体可为一可光学图案化材料、一模制化合物或一ABF绝缘膜。上述结构可包括额外介电层及导电图案。
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公开(公告)号：TW201503268A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103104684
申请日：2014-02-13
Inventor： 蔡柏豪 , TSAI, PO HAO , 洪瑞斌 , HUNG, JUI PIN , 林俊成 , LIN, JING CHENG , 李隆華 , LEE, LONG HUA
CPC classification number: H01L24/19 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/73 , H01L25/105 , H01L2224/04105 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H05K1/185 , H05K3/4647 , H05K2203/1469 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/014
Abstract: 一種半導體結構包括：一封膠材料；一導電插塞，位於封膠材料中；一覆蓋元件，位於導電插塞和封膠材料間之一頂部接點上方；及一介電層，位於覆蓋元件上且位於封膠材料上方。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体结构包括：一封胶材料；一导电插塞，位于封胶材料中；一覆盖组件，位于导电插塞和封胶材料间之一顶部接点上方；及一介电层，位于覆盖组件上且位于封胶材料上方。
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公开(公告)号：TWI466200B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW101114068
申请日：2012-04-20
Inventor： 陳孟澤 , CHEN, MENG TSE , 林修任 , LIN, HSIU JEN , 林俊成 , LIN, CHUN CHENG , 呂文雄 , LU, WEN HSIUNG , 鄭明達 , CHENG, MING DA , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI
CPC classification number: H01L24/97 , B29C33/68 , B29C43/18 , H01L21/563 , H01L21/566 , H01L2224/16225 , H01L2924/01322 , H01L2924/181 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI453851B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW099116259
申请日：2010-05-21
Inventor： 林俊成 , LIN, JING CHENG , 施應慶 , SHIH, YING CHING , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH , 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU , 余振華 , YU, CHEN HUA
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公开(公告)号：TW201409588A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102128800
申请日：2013-08-12
Inventor： 林俊成 , LIN, JING CHENG , 蔡柏豪 , TSAI, PO HAO
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L21/563 , H01L23/3192 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05671 , H01L2224/06102 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11612 , H01L2224/11614 , H01L2224/1182 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/1403 , H01L2224/1411 , H01L2224/14155 , H01L2224/14156 , H01L2224/14177 , H01L2224/14515 , H01L2224/16113 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16168 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/1703 , H01L2224/17517 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/831 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L2924/01108 , H01L2224/11 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/01082 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01083 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/00
Abstract: 一種封裝結構包括：第一基底，具有第一區及第二區，並包括金屬墊，位於第一區中的第一基底上；第一金屬柱，位於金屬墊上；鈍化層，位於第二區中的第一基底上；及第二金屬柱，位於第二區中的鈍化層上；以及第二基底，包括第一連接器及第二連接器；其中第一基底結合至第二基底，其中第一焊接區形成於第一金屬柱與第一連接器之間，第二焊接區形成於第二金屬柱與第二連接器之間；以及其中第一金屬柱之厚度大於第二金屬柱之厚度。
Abstract in simplified Chinese: 一种封装结构包括：第一基底，具有第一区及第二区，并包括金属垫，位于第一区中的第一基底上；第一金属柱，位于金属垫上；钝化层，位于第二区中的第一基底上；及第二金属柱，位于第二区中的钝化层上；以及第二基底，包括第一连接器及第二连接器；其中第一基底结合至第二基底，其中第一焊接区形成于第一金属柱与第一连接器之间，第二焊接区形成于第二金属柱与第二连接器之间；以及其中第一金属柱之厚度大于第二金属柱之厚度。
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