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公开(公告)号：TW322611B
公开(公告)日：1997-12-11
申请号：TW085114590
申请日：1996-11-26
申请人： 日立製作所股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/50 , H01L23/13 , H01L23/16 , H01L23/24 , H01L23/293 , H01L23/3128 , H01L23/34 , H01L23/36 , H01L23/3672 , H01L23/3675 , H01L23/3732 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/3737 , H01L23/49572 , H01L23/49816 , H01L23/4985 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29144 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/73269 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01058 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/1532 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2224/45099
摘要： 本發明，係關於半導體裝置及其製造方法，特別係，有關適用於有優異的散熱性及可靠性之ＬＳＩ封裝的半導體裝置有效之技術。
在以熱膨脹係數接近半導體晶方１的材料構成之散熱片４的一面，以金屬接合２黏著有半導體晶方１。散熱片４，係根據彈性係數為１０ＭＰａ以下的矽系黏著劑５黏著在框體３。同時，在框體３，經由環氧系黏著劑６黏著有ＴＡＢ帶９。半導體晶方１，係以從外部之目的以彈性係數為１０ＧＰａ以上之環氧系密封樹脂８密封。简体摘要： 本发明，系关于半导体设备及其制造方法，特别系，有关适用于有优异的散热性及可靠性之ＬＳＩ封装的半导体设备有效之技术。 在以热膨胀系数接近半导体晶方１的材料构成之散热片４的一面，以金属接合２黏着有半导体晶方１。散热片４，系根据弹性系数为１０ＭＰａ以下的硅系黏着剂５黏着在框体３。同时，在框体３，经由环氧系黏着剂６黏着有ＴＡＢ带９。半导体晶方１，系以从外部之目的以弹性系数为１０ＧＰａ以上之环氧系密封树脂８密封。
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公开(公告)号：TW201803048A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106105908
申请日：2017-02-22
申请人： 格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人： 帕特爾 詹納克 , PATEL, JANAK , 耶爾 蘇巴馬尼恩 斯里坎特斯瓦拉 , IYER, SUBRAMANIAN SRIKANTESWARA , 柏格 丹尼爾 , BERGER, DANIEL
IPC分类号： H01L23/34 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/18 , H01L21/4803 , H01L21/4871 , H01L23/04 , H01L23/3675 , H01L23/3736 , H01L23/427 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2225/06513 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/15311
摘要： 提供用於減少數個IC晶片間之熱流動的方法及所得裝置。數個具體實施例包括：黏貼複數個IC晶片至基板之上表面；形成蓋體於該等IC晶片上面；以及在毗鄰IC晶片之間的分界處，形成穿過該蓋體的狹縫。
简体摘要： 提供用于减少数个IC芯片间之热流动的方法及所得设备。数个具体实施例包括：黏贴复数个IC芯片至基板之上表面；形成盖体于该等IC芯片上面；以及在毗邻IC芯片之间的分界处，形成穿过该盖体的狭缝。
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公开(公告)号：TW201803039A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106110594
申请日：2017-03-29
发明人： 陳衿良 , CHEN, CHIN-LIANG , 游濟陽 , YU, CHI-YANG , 何冠霖 , HO, KUAN-LIN , 梁裕民 , LIANG, YU-MIN
CPC分类号： H01L23/3675 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/49827 , H01L24/09 , H01L24/17 , H01L25/0655 , H01L2221/68327 , H01L2224/0401
摘要： 本揭露提供一種半導體裝置。半導體封裝裝置包含具有一第一表面的一第一半導體晶粒。該半導體封裝裝置亦包含環繞該第一半導體晶粒的介電材料，其中該介電材料包括與該第一表面實質齊平的一表面。該半導體封裝裝置另包含一覆蓋層，覆蓋該第一半導體晶粒的該第一表面與該介電材料的該表面。該覆蓋層與切割膠帶之間的黏著性小於該介電材料與該切割膠帶之間的黏著性。
简体摘要： 本揭露提供一种半导体设备。半导体封装设备包含具有一第一表面的一第一半导体晶粒。该半导体封装设备亦包含环绕该第一半导体晶粒的介电材料，其中该介电材料包括与该第一表面实质齐平的一表面。该半导体封装设备另包含一覆盖层，覆盖该第一半导体晶粒的该第一表面与该介电材料的该表面。该覆盖层与切割胶带之间的黏着性小于该介电材料与该切割胶带之间的黏着性。
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公开(公告)号：TWI600095B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW102141433
申请日：2013-11-14
申请人： 艾馬克科技公司 , AMKOR TECHNOLOGY, INC.
发明人： 凱利 麥可G , KELLY, MICHAEL G. , 休莫勒 羅納 派翠克 , HUEMOELLER, RONALD PATRICK , 杜旺朱 , DO, WON CHUL
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L21/6838 , H01L23/147 , H01L23/3128 , H01L23/3675 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L24/95 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L2224/13147 , H01L2224/13564 , H01L2224/16147 , H01L2224/16238 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/75705 , H01L2224/75744 , H01L2224/81011 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/83001 , H01L2224/83192 , H01L2224/83851 , H01L2224/83855 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/0781 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/1616 , H01L2924/18161 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2224/16145
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公开(公告)号：TWI599008B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW105129743
申请日：2016-09-13
申请人： 聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人： 周哲雅 , CHOU, CHE YA , 許文松 , HSU, WEN SUNG , 陳南誠 , CHEN, NAN CHENG
CPC分类号： H01L23/49811 , H01L21/4857 , H01L23/3128 , H01L23/3192 , H01L23/3675 , H01L23/498 , H01L23/49833 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0361 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/1132 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16013 , H01L2224/16058 , H01L2224/16112 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81191 , H01L2224/81385 , H01L2224/92125 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06558 , H01L2924/15311 , H01L2924/16251 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI594340B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW102141436
申请日：2013-11-14
申请人： 艾馬克科技公司 , AMKOR TECHNOLOGY, INC.
发明人： 凱利 麥可G , KELLY, MICHAEL G. , 休莫勒 羅納 派翠克 , HUEMOELLER, RONALD PATRICK , 杜旺朱 , DO, WON CHUL , 海納 大衛 強 , HINER, DAVID JON
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/486 , H01L21/50 , H01L21/563 , H01L21/67288 , H01L21/6836 , H01L21/6838 , H01L21/68735 , H01L23/147 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/3142 , H01L23/3675 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/5386 , H01L23/544 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68322 , H01L2223/54486 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2224/27622 , H01L2224/2763 , H01L2224/29011 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81001 , H01L2224/81005 , H01L2224/81011 , H01L2224/81024 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/83101 , H01L2224/83104 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83855 , H01L2224/92125 , H01L2224/92225 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2225/06589 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/1616 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/81
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公开(公告)号：TWI594339B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW102140668
申请日：2013-11-08
申请人： 艾馬克科技公司 , AMKOR TECHNOLOGY, INC.
发明人： 杜旺朱 , DO, WON CHUL , 朴杜玄 , PARK, DOO HYUN , 佩強錫 , PAEK, JONG SIK , 李吉弘 , LEE, JI HUN , 徐詳民 , SEO, SEONG MIN
CPC分类号： H01L21/4846 , H01L21/481 , H01L21/4853 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/04 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/3675 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5384 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0655 , H01L2221/68345 , H01L2221/68381 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81005 , H01L2224/81191 , H01L2224/814 , H01L2224/81801 , H01L2224/83005 , H01L2224/92125 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/16251 , H01L2924/1816 , H01L2924/18161 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：TW201717295A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105140076
申请日：2013-11-14
申请人： 艾馬克科技公司 , AMKOR TECHNOLOGY, INC.
发明人： 凱利 麥可G , KELLY, MICHAEL G. , 休莫勒 羅納 派翠克 , HUEMOELLER, RONALD PATRICK , 杜旺朱 , DO, WON CHUL , 海納 大衛 強 , HINER, DAVID JON
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/304
CPC分类号： H01L23/49827 , H01L21/486 , H01L21/50 , H01L21/561 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/147 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/3675 , H01L23/49805 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L23/5384 , H01L24/13 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L27/108 , H01L2221/68381 , H01L2224/13147 , H01L2224/29011 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/75704 , H01L2224/75744 , H01L2224/7598 , H01L2224/81005 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83862 , H01L2224/9211 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
摘要： 用於一具有一晶粒至中介層晶圓第一接合的半導體裝置封裝之方法及系統係被揭示，並且可包含接合複數個包括電子裝置的半導體晶粒至一中介層晶圓，以及在該晶粒與該中介層晶圓之間施加一種底膠填充材料。一種模製材料可被施加以囊封該晶粒。該中介層晶圓可被薄化以露出直通矽晶穿孔(TSV)，並且金屬接點可被施加至該露出的TSV。該中介層晶圓可被單一化以產生包括該半導體晶粒以及一中介層晶粒的組件。該晶粒可利用一黏著膜而被置放在該中介層晶圓上。該中介層晶圓可利用下列的一或多個而被單一化：一雷射切割製程、反應性離子蝕刻、一鋸開技術、以及一電漿蝕刻製程。該晶粒可利用一質量回焊或是一熱壓縮製程而被接合至該中介層晶圓。
简体摘要： 用于一具有一晶粒至中介层晶圆第一接合的半导体设备封装之方法及系统系被揭示，并且可包含接合复数个包括电子设备的半导体晶粒至一中介层晶圆，以及在该晶粒与该中介层晶圆之间施加一种底胶填充材料。一种模制材料可被施加以囊封该晶粒。该中介层晶圆可被薄化以露出直通硅晶穿孔(TSV)，并且金属接点可被施加至该露出的TSV。该中介层晶圆可被单一化以产生包括该半导体晶粒以及一中介层晶粒的组件。该晶粒可利用一黏着膜而被置放在该中介层晶圆上。该中介层晶圆可利用下列的一或多个而被单一化：一激光切割制程、反应性离子蚀刻、一锯开技术、以及一等离子蚀刻制程。该晶粒可利用一质量回焊或是一热压缩制程而被接合至该中介层晶圆。
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公开(公告)号：TW201707163A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105123739
申请日：2016-07-27
申请人： 先科公司 , SEMTECH CORPORATION
发明人： 侯 客坤 , HO, KOK KHOON , 奇努薩米 沙亞莫希 , CHINNUSAMY, SATYAMOORTHI
CPC分类号： H01L23/5389 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/4882 , H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/13 , H01L23/16 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/367 , H01L23/3675 , H01L23/433 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L23/5383 , H01L23/5385 , H01L23/5386 , H01L23/552 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2223/6677 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/0557 , H01L2224/05573 , H01L2224/05575 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/11464 , H01L2224/11849 , H01L2224/13013 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16113 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/1713 , H01L2224/17181 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/80 , H01L2224/81201 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06537 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2225/06589 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/10322 , H01L2924/10324 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/10335 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/1433 , H01L2924/14335 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15156 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/3025 , H01L2924/01082 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2224/81
摘要： 半導體裝置具有第一基板。傳導層被形成在第一基板上方。第一空腔被形成以穿過第一基板並且延伸至傳導層。包括多個第一互連結構的第一半導體晶粒被設置在第一空腔中。第二基板被設置於第一基板上方。第二空腔被形成以穿過第二基板。包括多個第二互連結構的第二半導體晶粒被設置在第二空腔中。離散裝置或第三半導體晶粒被設置於第二半導體晶粒上方。多個第三互連結構被形成在第二基板和離散裝置或第三半導體晶粒之間。第一、第二和第三互連結構被同時迴焊。囊封物被沉積於第一半導體晶粒、第二半導體晶粒和離散裝置或第三半導體晶粒上方和周圍。
简体摘要： 半导体设备具有第一基板。传导层被形成在第一基板上方。第一空腔被形成以穿过第一基板并且延伸至传导层。包括多个第一互链接构的第一半导体晶粒被设置在第一空腔中。第二基板被设置于第一基板上方。第二空腔被形成以穿过第二基板。包括多个第二互链接构的第二半导体晶粒被设置在第二空腔中。离散设备或第三半导体晶粒被设置于第二半导体晶粒上方。多个第三互链接构被形成在第二基板和离散设备或第三半导体晶粒之间。第一、第二和第三互链接构被同时回焊。囊封物被沉积于第一半导体晶粒、第二半导体晶粒和离散设备或第三半导体晶粒上方和周围。
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公开(公告)号：TW201705414A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105118763
申请日：2016-06-15
申请人： 輝達公司 , NVIDIA CORPORATION
发明人： 姜 澤圭 , KANG, TECKGYU , 米納卡佩利 約瑟夫 , MINACAPELLI, JOSEPH
IPC分类号： H01L23/492
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/6835 , H01L23/16 , H01L23/367 , H01L23/3675 , H01L23/42 , H01L23/49827 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68318 , H01L2221/68381 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/81005 , H01L2224/81815 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/92 , H01L2224/92225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06589 , H01L2924/00015 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H05K1/0271 , H05K3/3436 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/161 , H01L2224/81 , H01L2221/68304 , H05K3/34 , H01L2224/83
摘要： 本發明的一個具體實施例揭示一種用來封裝一積體電路晶粒之技術，本技術包含透過一第一複數個焊錫凸塊結構，將該積體電路晶粒的一第一表面貼合至一第一基板，並且將一第二基板貼合至該積體電路晶粒的一第二表面。該技術進一步包含透過一第二複數個焊錫凸塊結構，將該第一基板貼合至一第三基板，並且在將該第一基板貼合至該第三基板之後，從該積體電路晶粒的該第二表面移除該第二基板。該技術進一步包含在該積體電路晶粒的該第二表面上放置一散熱器。
简体摘要： 本发明的一个具体实施例揭示一种用来封装一集成电路晶粒之技术，本技术包含透过一第一复数个焊锡凸块结构，将该集成电路晶粒的一第一表面贴合至一第一基板，并且将一第二基板贴合至该集成电路晶粒的一第二表面。该技术进一步包含透过一第二复数个焊锡凸块结构，将该第一基板贴合至一第三基板，并且在将该第一基板贴合至该第三基板之后，从该集成电路晶粒的该第二表面移除该第二基板。该技术进一步包含在该集成电路晶粒的该第二表面上放置一散热器。
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