公开(公告)号：US09437561B2

公开(公告)日：2016-09-06

申请号：US12878542

申请日：2010-09-09

申请人： Bryan Black ,  Michael Z. Su ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Joe Siegel ,  Seth Prejean

发明人： Bryan Black ,  Michael Z. Su ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Joe Siegel ,  Seth Prejean

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L23/00 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor chip with conductive vias and a method of manufacturing the same are disclosed. The method includes forming a first plurality of conductive vias in a layer of a first semiconductor chip. The first plurality of conductive vias includes first ends and second ends. A first conductor pad is formed in ohmic contact with the first ends of the first plurality of conductive vias.

摘要翻译： 公开了一种具有导电孔的半导体芯片及其制造方法。 该方法包括在第一半导体芯片的层中形成第一多个导电通孔。 第一多个导电通孔包括第一端和第二端。 第一导体焊盘与第一多个导电通孔的第一端欧姆接触形成。

公开(公告)号：US08691626B2

公开(公告)日：2014-04-08

申请号：US12878812

申请日：2010-09-09

申请人： Michael Z. Su ,  Lei Fu ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Bryan Black

发明人： Michael Z. Su ,  Lei Fu ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Bryan Black

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81

摘要： A method of manufacturing is provided that includes placing a removable cover on a surface of a substrate. The substrate includes a first semiconductor chip positioned on the surface. The first semiconductor chip includes a first sidewall. The removable cover includes a second sidewall positioned opposite the first sidewall. A first underfill is placed between the first semiconductor chip and the surface wherein the second sidewall provides a barrier to flow of the first underfill. Various apparatus are also disclosed.

摘要翻译： 提供了一种制造方法，其包括将可移除的盖放置在基板的表面上。 衬底包括位于表面上的第一半导体芯片。 第一半导体芯片包括第一侧壁。 可拆卸盖包括与第一侧壁相对定位的第二侧壁。 第一底部填充物放置在第一半导体芯片和表面之间，其中第二侧壁为第一底部填充物的流动提供阻挡。 还公开了各种装置。

公开(公告)号：US08574965B2

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：US12910379

申请日：2010-10-22

申请人： Gamal Refai-Ahmed ,  Michael Z. Su ,  Bryan Black

发明人： Gamal Refai-Ahmed ,  Michael Z. Su ,  Bryan Black

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/22 ,  H01L21/54 ,  H01L23/42 ,  H01L23/473 ,  H01L25/115 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing is provided that includes providing a semiconductor chip device that has a circuit board and a first semiconductor chip coupled thereto. A lid is placed on the circuit board. The lid includes an opening and an internal cavity. A liquid thermal interface material is placed in the internal cavity for thermal contact with the first semiconductor chip and the circuit board.

摘要翻译： 提供了一种制造方法，其包括提供具有电路板和与其耦合的第一半导体芯片的半导体芯片器件。 盖子放在电路板上。 盖子包括开口和内部空腔。 液体热界面材料放置在内腔中，用于与第一半导体芯片和电路板热接触。

公开(公告)号：US20130161814A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：US13773844

申请日：2013-02-22

申请人： Michael Z. Su ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Bryan Black

发明人： Michael Z. Su ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Bryan Black

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1414 ,  H01L2224/14143 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor chip device includes a first semiconductor chip adapted to be stacked with a second semiconductor chip wherein the second semiconductor chip includes a side and first and second conductor structures projecting from the side. The first semiconductor chip includes a first edge, a first conductor pad, a first conductor pillar positioned on but laterally offset from the first conductor pad toward the first edge and that has a first lateral dimension and is adapted to couple to one of the first and second conductor structures, a second conductor pad positioned nearer the first edge than the first conductor pad, and a second conductor pillar positioned on but laterally offset from the second conductor pad and that has a second lateral dimension larger than the first lateral dimension and is adapted to couple to the other of the first and second conductor structures.

摘要翻译： 一种半导体芯片器件包括适于与第二半导体芯片堆叠的第一半导体芯片，其中第二半导体芯片包括侧面以及从侧面突出的第一和第二导体结构。 第一半导体芯片包括第一边缘，第一导体焊盘，第一导体柱，其位于第一导体焊盘朝向第一边缘但横向偏移并且具有第一横向尺寸并且适于耦合到第一和第 第二导体结构，位于比第一导体焊盘更靠近第一边缘的第二导体焊盘，以及定位在第二导体焊盘但是横向偏离第二导体焊盘并且具有大于第一横向尺寸的第二横向尺寸的第二导体柱，并且适于 耦合到第一和第二导体结构中的另一个。

公开(公告)号：US08394672B2

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：US12856632

申请日：2010-08-14

申请人： Michael Z. Su ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Bryan Black

发明人： Michael Z. Su ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Bryan Black

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1414 ,  H01L2224/14143 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor chip device includes a first semiconductor chip adapted to be stacked with a second semiconductor chip wherein the second semiconductor chip includes a side and first and second conductor structures projecting from the side. The first semiconductor chip includes a first edge, a first conductor pad, a first conductor pillar positioned on but laterally offset from the first conductor pad toward the first edge and that has a first lateral dimension and is adapted to couple to one of the first and second conductor structures, a second conductor pad positioned nearer the first edge than the first conductor pad, and a second conductor pillar positioned on but laterally offset from the second conductor pad and that has a second lateral dimension larger than the first lateral dimension and is adapted to couple to the other of the first and second conductor structures.

摘要翻译： 一种半导体芯片器件包括适于与第二半导体芯片堆叠的第一半导体芯片，其中第二半导体芯片包括侧面以及从侧面突出的第一和第二导体结构。 第一半导体芯片包括第一边缘，第一导体焊盘，第一导体柱，其位于第一导体焊盘朝向第一边缘但横向偏移并且具有第一横向尺寸并且适于耦合到第一和第 第二导体结构，位于比第一导体焊盘更靠近第一边缘的第二导体焊盘，以及定位在第二导体焊盘但是横向偏离第二导体焊盘并且具有大于第一横向尺寸的第二横向尺寸的第二导体柱，并且适于 耦合到第一和第二导体结构中的另一个。

公开(公告)号：US20120074579A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US12889615

申请日：2010-09-24

申请人： Michael Z. Su ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Bryan Black

发明人： Michael Z. Su ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Bryan Black

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/60 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing includes connecting a first end of a first through-silicon-via to a first die seal proximate a first side of a first semiconductor chip. A second end of the first thu-silicon-via is connected to a second die seal proximate a second side of the first semiconductor chip opposite the first side.

摘要翻译： 一种制造方法包括将第一穿通硅通孔的第一端连接到靠近第一半导体芯片的第一侧的第一管芯密封件。 第一硅硅通孔的第二端连接到靠近第一半导体芯片的与第一侧相对的第二侧的第二管芯密封件。

公开(公告)号：US20120061852A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：US12878795

申请日：2010-09-09

申请人： Michael Z. Su ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Bryan Black

发明人： Michael Z. Su ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Bryan Black

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/24 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/166 ,  H01L2924/167 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing is provided that includes providing a semiconductor chip with an insulating layer. The insulating layer includes a trench. A second semiconductor chip is stacked on the first semiconductor chip to leave a gap. A polymeric filler is placed in the gap wherein a portion of the polymeric filler is drawn into the trench.

摘要翻译： 提供一种制造方法，其包括为半导体芯片提供绝缘层。 绝缘层包括沟槽。 第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片上以留下间隙。 将聚合物填料放置在间隙中，其中一部分聚合物填料被拉入沟槽。

公开(公告)号：US20120043669A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：US12860244

申请日：2010-08-20

申请人： Gamal Refai-Ahmed ,  Michael Z. Su ,  Bryan Black

发明人： Gamal Refai-Ahmed ,  Michael Z. Su ,  Bryan Black

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L23/04 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3675 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： A method of assembling a semiconductor chip device is provided that includes providing a circuit board including a surface with an aperture. A portion of a first heat spreader is positioned in the aperture. A stack is positioned on the first heat spreader. The stack includes a first semiconductor chip positioned on the first heat spreader and a substrate that has a first side coupled to the first semiconductor chip.

摘要翻译： 提供一种组装半导体芯片器件的方法，其包括提供包括具有孔径的表面的电路板。 第一散热器的一部分位于孔中。 堆叠位于第一散热器上。 堆叠包括位于第一散热器上的第一半导体芯片和具有耦合到第一半导体芯片的第一侧的衬底。

公开(公告)号：US20120043668A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：US12860156

申请日：2010-08-20

申请人： Gamal Refai-Ahmed ,  Michael Z. Su ,  Bryan Black ,  Maxat Touzelbaev ,  Yizhang Yang

发明人： Gamal Refai-Ahmed ,  Michael Z. Su ,  Bryan Black ,  Maxat Touzelbaev ,  Yizhang Yang

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/04 ,  H01L21/563 ,  H01L23/10 ,  H01L23/367 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49827 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

摘要： A method of assembling a semiconductor chip device is provided that includes placing an interposer on a first semiconductor chip. The interposer includes a first surface seated on the first semiconductor chip and a second surface adapted to thermally contact a heat spreader. The second surface includes a first aperture. A second semiconductor chip is placed in the first aperture.

摘要翻译： 提供一种组装半导体芯片器件的方法，其包括将插入件放置在第一半导体芯片上。 插入器包括安置在第一半导体芯片上的第一表面和适于热接触散热器的第二表面。 第二表面包括第一孔。 第二半导体芯片放置在第一孔中。

公开(公告)号：US20130147028A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：US13313584

申请日：2011-12-07

申请人： Michael Z. Su ,  Bryan Black ,  Gamal Refai-Ahmed

发明人： Michael Z. Su ,  Bryan Black ,  Gamal Refai-Ahmed

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/42 ,  H01L23/433 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29291 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： Various heat spreaders and methods of making and using the same are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes forming a heat spreader that has a surface adapted to establish thermal contact with a first semiconductor chip and a second semiconductor chip on a substrate. The surface includes a first portion adapted to thermally contact a solder-based thermal interface material and a second portion having an opening adapted to hold an organic thermal interface material.

摘要翻译： 公开了各种散热器及其制造和使用方法。 一方面，提供了一种制造方法，其包括形成具有适于与衬底上的第一半导体芯片和第二半导体芯片建立热接触的表面的散热器。 表面包括适于热接触基于焊料的热界面材料的第一部分和具有适于保持有机热界面材料的开口的第二部分。