公开(公告)号：US20110227216A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US12725322

申请日：2010-03-16

申请人： Ming-Hung Tseng ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chih-Hua Chen ,  Ching-Wen Hsiao

发明人： Ming-Hung Tseng ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chih-Hua Chen ,  Ching-Wen Hsiao

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05005

摘要： An under-bump metallization (UBM) structure for a semiconductor device is provided. A passivation layer is formed over a contact pad such that at least a portion of the contact pad is exposed. A protective layer, such as a polyimide layer, may be formed over the passivation layer. The UBM structure, such as a conductive pillar, is formed over the underlying contact pad such that the underlying contact pad extends laterally past the UBM structure by a distance large enough to prevent or reduce cracking of the passivation layer and or protective layer.

摘要翻译： 提供了一种用于半导体器件的凸块下金属化（UBM）结构。 钝化层形成在接触焊盘上，使得接触焊盘的至少一部分被暴露。 可以在钝化层上方形成保护层，例如聚酰亚胺层。 诸如导电柱的UBM结构形成在下面的接触焊盘之上，使得下面的接触焊盘横向延伸越过UBM结构一个足够大的距离，以防止或减少钝化层和/或保护层的破裂。

公开(公告)号：US20140070403A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：US13612588

申请日：2012-09-12

申请人： Kuo Lung Pan ,  Ming Hung Tseng ,  Chen-Shien Chen

发明人： Kuo Lung Pan ,  Ming Hung Tseng ,  Chen-Shien Chen

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/56 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： Packaging methods and packaged devices are disclosed. In one embodiment, a method of packaging a semiconductor device includes forming a first redistribution layer (RDL) over a carrier, and forming a plurality of through assembly vias (TAVs) over the first RDL. An integrated circuit die is coupled over the first RDL, and a molding compound is formed over the first RDL, the TAVs, and the integrated circuit die. A second RDL is formed over the molding compound, the TAVs, and the integrated circuit die.

摘要翻译： 公开了包装方法和包装装置。 在一个实施例中，一种封装半导体器件的方法包括在载体上形成第一再分布层（RDL），以及在第一RDL上形成多个通过组装通孔（TAV）。 集成电路管芯耦合在第一RDL上，并且模制化合物形成在第一RDL，TAV和集成电路管芯上。 在模制化合物，TAV和集成电路模具上形成第二RDL。

公开(公告)号：US20110241202A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US12750468

申请日：2010-03-30

申请人： Tzuan-Horng Liu ,  Shang-Yun Hou ,  Shin-Puu Jeng ,  Wei-Cheng Wu ,  Hsiu-Ping Wei ,  Chih-Hua Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chen-Shien Chen ,  Ming Hung Tseng

发明人： Tzuan-Horng Liu ,  Shang-Yun Hou ,  Shin-Puu Jeng ,  Wei-Cheng Wu ,  Hsiu-Ping Wei ,  Chih-Hua Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chen-Shien Chen ,  Ming Hung Tseng

IPC分类号： H01L23/485

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit structure includes a semiconductor chip, a metal pad at a major surface of the semiconductor chip, and an under-bump metallurgy (UBM) over and contacting the metal pad. A metal bump is formed over and electrically connected to the UBM. A dummy pattern is formed at a same level, and formed of a same metallic material, as the metal pad.

摘要翻译： 集成电路结构包括半导体芯片，在半导体芯片的主表面处的金属焊盘和在凸块下金属（UBM）上方并接触金属焊盘。 金属凸块形成在UBM上并与UBM电连接。 在同一水平上形成虚拟图案，并由与金属垫相同的金属材料形成。

公开(公告)号：US09059107B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US13612588

申请日：2012-09-12

申请人： Kuo Lung Pan ,  Ming Hung Tseng ,  Chen-Shien Chen

发明人： Kuo Lung Pan ,  Ming Hung Tseng ,  Chen-Shien Chen

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L23/00 ,  H01L21/683 ,  H01L25/10 ,  H01L25/00 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/56 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： Packaging methods and packaged devices are disclosed. In one embodiment, a method of packaging a semiconductor device includes forming a first redistribution layer (RDL) over a carrier, and forming a plurality of through assembly vias (TAVs) over the first RDL. An integrated circuit die is coupled over the first RDL, and a molding compound is formed over the first RDL, the TAVs, and the integrated circuit die. A second RDL is formed over the molding compound, the TAVs, and the integrated circuit die.

摘要翻译： 公开了包装方法和包装装置。 在一个实施例中，一种封装半导体器件的方法包括在载体上形成第一再分布层（RDL），以及在第一RDL上形成多个通过组装通孔（TAV）。 集成电路管芯耦合在第一RDL上，并且模制化合物形成在第一RDL，TAV和集成电路管芯上。 在模制化合物，TAV和集成电路模具上形成第二RDL。

公开(公告)号：US08729699B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US13276090

申请日：2011-10-18

申请人： Shang-Yun Tu ,  Yao-Chun Chuang ,  Ming Hung Tseng ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chen-Shien Chen

发明人： Shang-Yun Tu ,  Yao-Chun Chuang ,  Ming Hung Tseng ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chen-Shien Chen

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/06132 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13541 ,  H01L2224/1405 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552

摘要： A die includes a substrate, a metal pad over the substrate, and a passivation layer covering edge portions of the metal pad. A metal pillar is formed over the metal pad. A portion of the metal pillar overlaps a portion of the metal pad. A center of the metal pillar is misaligned with a center of the metal pad.

摘要翻译： 芯片包括衬底，衬底上的金属焊盘以及覆盖金属焊盘的边缘部分的钝化层。 在金属垫上形成金属支柱。 金属柱的一部分与金属垫的一部分重叠。 金属支柱的中心与金属垫的中心不对齐。