公开(公告)号：US09401355B2

公开(公告)日：2016-07-26

申请号：US13328371

申请日：2011-12-16

申请人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Andreas Meiser ,  Ulrich Glaser

发明人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Andreas Meiser ,  Ulrich Glaser

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/02 ,  H01L23/62 ,  H01L27/06 ,  H01L29/861 ,  H01L27/08 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L27/06 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/407 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8725

摘要： One embodiment of an integrated circuit includes a semiconductor body. In the semiconductor body a first trench region extends into the semiconductor body from a first surface. The integrated circuit further includes a diode including an anode region and a cathode region. One of the anode region and the cathode region is at least partly arranged in the first trench region. The other one of the anode region and the cathode region includes a first semiconductor region adjoining the one of the anode region and the cathode region from outside of the first trench region.

摘要翻译： 集成电路的一个实施例包括半导体本体。 在半导体本体中，第一沟槽区域从第一表面延伸到半导体本体中。 集成电路还包括包括阳极区域和阴极区域的二极管。 阳极区域和阴极区域中的一个至少部分地布置在第一沟槽区域中。 阳极区域和阴极区域中的另一个包括从第一沟槽区域的外部邻接阳极区域和阴极区域中的一个的第一半导体区域。

公开(公告)号：US20140027879A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：US13560626

申请日：2012-07-27

申请人： Joachim Weyers ,  Kevni Bueyuektas ,  Franz Hirler ,  Anton Mauder

发明人： Joachim Weyers ,  Kevni Bueyuektas ,  Franz Hirler ,  Anton Mauder

IPC分类号： H01L49/02

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One aspect of the invention relates to a semiconductor component with a semiconductor body with a top side and with a bottom side. A first coil that is monolithically integrated with the semiconductor body is arranged distant from the bottom side and comprises N first windings, wherein N≧1. The first coil has a first coil axis that extends in a direction different from a surface normal of the bottom side.

摘要翻译： 本发明的一个方面涉及具有顶侧和底侧的半导体本体的半导体部件。 与半导体本体一体地集成的第一线圈被布置成远离底侧并且包括N个第一绕组，其中N> = 1。 第一线圈具有沿与底侧的表面法线不同的方向延伸的第一线圈轴线。

公开(公告)号：US08530300B2

公开(公告)日：2013-09-10

申请号：US12842488

申请日：2010-07-23

申请人： Joachim Weyers ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

发明人： Joachim Weyers ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/8613 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Disclosed is a method of forming a semiconductor device with drift regions of a first doping type and compensation regions of a second doping type, and a semiconductor device with drift regions of a first doping type and compensation regions of a second doping type.

摘要翻译： 公开了一种形成具有第一掺杂类型的漂移区和第二掺杂型的补偿区的半导体器件的方法，以及具有第一掺杂类型的漂移区和第二掺杂类型的补偿区的半导体器件。

公开(公告)号：US20100258801A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12421346

申请日：2009-04-09

申请人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Paul Kuepper

发明人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Paul Kuepper

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/402 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

摘要： A semiconductor component including a lateral transistor component is disclosed. One embodiment provides an electrically insulating carrier layer. On the carrier layer a first and a second semiconductor layer are arranged on above another and are separated from another by a dielectric layer and from which at least the first semiconductor layer includes a polycrystalline semiconductor material, an amorphous semiconductor material or an organic semiconductor material. In the first semiconductor layer: a source zone, a body zone, a drift zone and a drain zone are provided. In the second semiconductor layer; a drift control zone is arranged adjacent to the drift zone, including a control terminal at a first lateral end for applying a control potential, and is coupled to the drain zone via a rectifying element at a second lateral end. A gate electrode is arranged adjacent to the body zone and is dielectrically insulated from the body zone by a gate dielectric layer.

摘要翻译： 公开了一种包括横向晶体管元件的半导体元件。 一个实施例提供电绝缘载体层。 在载体层上，第一和第二半导体层被布置在另一个之上，并且通过电介质层与另一个隔离，并且至少第一半导体层至少包括多晶半导体材料，非晶半导体材料或有机半导体材料。 在第一半导体层中提供源极区，体区，漂移区和漏区。 在第二半导体层中; 漂移控制区被布置成与漂移区相邻，包括用于施加控制电位的第一横向端的控制端，并且在第二横向端通过整流元件耦合到排水区。 栅极电极被布置成与身体区域相邻并且通过栅极介电层与身体区域介电绝缘。

公开(公告)号：US20120091457A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13332505

申请日：2011-12-21

申请人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Paul Kuepper

发明人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Paul Kuepper

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L29/47

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/402 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

摘要： A semiconductor arrangement is disclosed. One embodiment includes a first semiconductor layer including a first and second component zone that form a pn-junction or a Schottky-junction. A second semiconductor layer includes a drift control zone adjacent to the second component zone. A dielectric layer separates the first semiconductor layer from the second semiconductor layer. A rectifying element is coupled between the drift control zone and the second component zone.

摘要翻译： 公开了一种半导体装置。 一个实施例包括包括形成pn结或肖特基结的第一和第二组分区的第一半导体层。 第二半导体层包括与第二组分区相邻的漂移控制区。 电介质层将第一半导体层与第二半导体层分开。 整流元件耦合在漂移控制区和第二组分区之间。

公开(公告)号：US20130082768A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：US13250265

申请日：2011-09-30

申请人： Franz Hirler ,  Joachim Weyers

发明人： Franz Hirler ,  Joachim Weyers

IPC分类号： H01L29/739 ,  H03K3/335

CPC分类号： H01L29/866 ,  H01L29/36 ,  H01L29/40 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66106 ,  H01L29/66113

摘要： Disclosed is a diode. An embodiment of the diode includes a semiconductor body, a first emitter region of a first conductivity type, a second emitter region of a second conductivity type, and a base region arranged between the first and second emitter regions and having a lower doping concentration than the first and second emitter regions. The diode further includes a first emitter electrode only electrically coupled to the first emitter region, a second emitter electrode in electrical contact with the second emitter region, and a control electrode arrangement including a first control electrode section, and a first dielectric layer arranged between the first control electrode section and the semiconductor body. At least one pn junction extends to the first dielectric layer or is arranged distant to the first dielectric layer by less than 250 nm.

摘要翻译： 公开了一种二极管。 二极管的实施例包括半导体本体，第一导电类型的第一发射极区域，第二导电类型的第二发射极区域和布置在第一和第二发射极区域之间的基极区域，并且具有比 第一和第二发射极区域。 二极管还包括仅电耦合到第一发射极区域的第一发射极电极，与第二发射极区域电接触的第二发射极电极，以及包括第一控制电极部分和布置在第二发射极区域之间的第一电介质层的控制电极装置 第一控制电极部分和半导体本体。 至少一个pn结延伸到第一介电层或者被布置成远离第一介电层小于250nm。

公开(公告)号：US09245760B2

公开(公告)日：2016-01-26

申请号：US12895664

申请日：2010-09-30

申请人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Hans-Joerg Timme ,  Franz Hirler ,  Francisco Javier Santos Rodriguez

发明人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Hans-Joerg Timme ,  Franz Hirler ,  Francisco Javier Santos Rodriguez

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/78 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/78 ,  H01L29/045 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7848

摘要： In one embodiment, a method of forming a semiconductor device includes forming a first porous semiconductor layer over a top surface of a substrate. A first epitaxial layer is formed over the first porous semiconductor layer. A circuitry is formed within and over the first epitaxial layer. The circuitry is formed without completely oxidizing the first epitaxial layer.

摘要翻译： 在一个实施例中，形成半导体器件的方法包括在衬底的顶表面上形成第一多孔半导体层。 在第一多孔半导体层上形成第一外延层。 在第一外延层内和上方形成电路。 在不完全氧化第一外延层的情况下形成电路。

公开(公告)号：US08884360B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13404161

申请日：2012-02-24

申请人： Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

发明人： Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： A semiconductor device includes a first contact in low Ohmic contact with a source region of the device and a first portion of a body region of the device formed in an active area of the device, and a second contact in low Ohmic contact with a second portion of the body region formed in a peripheral area of the device. The minimum width of the second contact at a first surface of the device is larger than the minimum width of the first contact at the first surface so that maximum current density during commutating the semiconductor device is reduced and thus the risk of device damage during hard commutating is also reduced.

摘要翻译： 半导体器件包括与器件的源极区域的低欧姆接触的第一接触和形成在器件的有源区域中的器件的体区的第一部分，以及与第二部分的低欧姆接触的第二接触 形成在装置的周边区域中的身体区域。 器件第一表面处的第二触点的最小宽度大于第一表面处的第一接触的最小宽度，使得在半导体器件的整流期间的最大电流密度降低，并且因此在硬整流期间器件损坏的风险 也减少了。

公开(公告)号：US20140001514A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13539944

申请日：2012-07-02

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Frank Kahlmann ,  Gerhard Miller

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Frank Kahlmann ,  Gerhard Miller

IPC分类号： H01L29/36 ,  H01L21/225

CPC分类号： H01L29/66348 ,  H01L21/2205 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/102 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7428 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor device includes a device region. The device region includes at least one device region section including dopant atoms of a first doping type and with a first doping concentration of at least 1E16 cm−3 and dopant atoms of a second doping type and with a second doping concentration of at least 1E16 cm−3.

摘要翻译： 半导体器件包括器件区域。 器件区域包括至少一个器件区域部分，其包括第一掺杂类型的掺杂剂原子和具有至少1E16cm-3的第一掺杂浓度和第二掺杂类型的掺杂剂原子，并且具有至少1E16cm的第二掺杂浓度 -3。

公开(公告)号：US08461648B2

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：US11996906

申请日：2006-07-27

申请人： Frank Pfirsch ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth ,  Hans-Joachim Schulze ,  Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Arunjai Mittal

发明人： Frank Pfirsch ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth ,  Hans-Joachim Schulze ,  Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Arunjai Mittal

IPC分类号： H01L29/732

CPC分类号： H01L29/7803 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor component with a drift region and a drift control region. One embodiment includes a semiconductor body having a drift region of a first conduction type in the semiconductor body. A drift control region composed of a semiconductor material, which is arranged, at least in sections, is adjacent to the drift region in the semiconductor body. An accumulation dielectric is arranged between the drift region and the drift control region.