公开(公告)号：US20100240918A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：US12790835

申请日：2010-05-30

申请人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

发明人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C07F9/00

CPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Tantalum compounds of Formula I hereof are disclosed, having utility as precursors for forming tantalum-containing films such as barrier layers. The tantalum compounds of Formula I may be deposited by CVD or ALD for forming semiconductor device structures including a dielectric layer, a barrier layer on the dielectric layer, and a copper metallization on the barrier layer, wherein the barrier layer includes a Ta-containing layer and sufficient carbon so that the Ta-containing layer is amorphous. According to one embodiment, the semiconductor device structure is fabricated by depositing the Ta-containing barrier layer, via CVD or ALD, from a precursor including the tantalum compound of Formula I hereof at a temperature below about 400° C. in a reducing or inert atmosphere, e.g., a gas or plasma optionally containing a reducing agent.

摘要翻译： 公开了式I的钽化合物，其用作形成含钽膜如阻挡层的前体。 可以通过CVD或ALD沉积式I的钽化合物以形成包括电介质层，电介质层上的阻挡层和阻挡层上的铜金属化的半导体器件结构，其中阻挡层包括含Ta层 和足够的碳，使得含Ta层是无定形的。 根据一个实施例，半导体器件结构通过CVD或ALD从包含式I的钽化合物的前体在低于约400℃的还原或惰性的沉积中制备 气氛，例如任选地含有还原剂的气体或等离子体。

公开(公告)号：US07786320B2

公开(公告)日：2010-08-31

申请号：US12464726

申请日：2009-05-12

申请人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Ravi K. Laxman ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Ravi K. Laxman ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： C07F7/02

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C07F7/025 ,  C07F7/10 ,  C07F7/12 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185

摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as low dielectric constant (k) thin films, high k gate silicates, low temperature silicon epitaxial films, and films containing silicon nitride (Si3N4), siliconoxynitride (SiOxNy) and/or silicon dioxide (SiO2). The precursors of the invention are amenable to use in low temperature (e.g.,

摘要翻译： 半导体器件如低介电常数（k）薄膜，高k栅极硅酸盐，低温硅外延膜和含有氮化硅（Si 3 N 4），硅氧氮化物（SiO x N y）的膜的制造中的含硅膜的硅前体， 和/或二氧化硅（SiO 2）。 本发明的前体适于在低温（例如，<500℃）的化学气相沉积工艺中使用，用于制造ULSI器件和器件结构。

公开(公告)号：US07781605B2

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：US12578262

申请日：2009-10-13

申请人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Tianniu Chen ,  Thomas H. Baum

发明人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Tianniu Chen ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C07F7/10

CPC分类号： C07F7/10 ,  H01L21/02271

摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as films including silicon carbonitride, silicon oxycarbonitride, and silicon nitride (Si3N4), and a method of depositing the silicon precursors on substrates using low temperature (e.g.,

摘要翻译： 在制造半导体器件（例如包括碳氮化硅，碳氮化硅和氮化硅（Si 3 N 4）的薄膜）的制造中的硅前体，以及使用低温（例如，550℃）将硅前体沉积在衬底上的方法 ℃）化学气相沉积工艺，用于制造ULSI器件和器件结构。

公开(公告)号：US07705382B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US11924716

申请日：2007-10-26

申请人： Peter C. Van Buskirk ,  Jeffrey F. Roeder ,  Steven M. Bilodeau ,  Michael W. Russell ,  Stephen T. Johnston ,  Daniel J. Vestyck ,  Thomas H. Baum

发明人： Peter C. Van Buskirk ,  Jeffrey F. Roeder ,  Steven M. Bilodeau ,  Michael W. Russell ,  Stephen T. Johnston ,  Daniel J. Vestyck ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： C07C49/92 ,  C04B35/491 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/963 ,  C07F7/003 ,  C23C16/409 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

摘要： A novel lead zirconium titanate (PZT) material having unique properties and application for PZT thin film capacitors and ferroelectric capacitor structures, e.g., FeRAMs, employing such thin film material. The PZT material is scalable, being dimensionally scalable, pulse length scalable and/or E-field scalable in character, and is useful for ferroelectric capacitors over a wide range of thicknesses, e.g., from about 20 nanometers to about 150 nanometers, and a range of lateral dimensions extending to as low as 0.15 μm. Corresponding capacitor areas (i.e., lateral scaling) in a preferred embodiment are in the range of from about 104 to about 10−2 μm2. The scalable PZT material of the invention may be formed by liquid delivery MOCVD, without PZT film modification techniques such as acceptor doping or use of film modifiers (e.g., Nb, Ta, La, Sr, Ca and the like).

摘要翻译： 一种新颖的钛酸铅锆（PZT）材料，具有独特的性能和应用于PZT薄膜电容器和铁电电容器结构，例如采用这种薄膜材料的FeRAM。 PZT材料是可扩展的，尺寸可缩放的，脉冲长度可伸缩的和/或电场可扩展的特征，并且在宽范围的厚度例如约20纳米至约150纳米的范围内对于铁电电容器是有用的，并且范围 的横向尺寸延伸到低至0.15μm。 在优选实施例中，对应的电容器面积（即横向缩放）在约104至约10-2μm2的范围内。 本发明的可扩展的PZT材料可以通过液体输送MOCVD形成，而不需要PZT膜修饰技术，例如受体掺杂或使用膜改性剂（例如，Nb，Ta，La，Sr，Ca等）。

公开(公告)号：US20080271991A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：US11911615

申请日：2006-04-17

申请人： Michael B. Korzenski ,  Eliodor G. Ghenciu ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Pamela M. Visintin

发明人： Michael B. Korzenski ,  Eliodor G. Ghenciu ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Pamela M. Visintin

IPC分类号： C23C14/00

CPC分类号： C23C18/00 ,  B08B7/0021 ,  G03F7/422 ,  G03F7/427 ,  H01L21/02101

摘要： A continuous-flow supercritical fluid (SCF) apparatus and method for the deposition of thin films onto microelectronic devices or the removal of unwanted layers, particles and/or residues from microelectronic devices having same thereon. The SCF apparatus preferably includes a dynamic mixer to ensure homogeneous mixing of the SCF and other chemical components.

摘要翻译： 一种用于将薄膜沉积到微电子器件上的连续流超临界流体（SCF）装置和方法，或从其上具有相同的微电子装置去除不想要的层，颗粒和/或残余物。 SCF设备优选地包括动态混合器以确保SCF和其它化学组分的均匀混合。

公开(公告)号：US07371878B2

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：US11625918

申请日：2007-01-23

申请人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum

发明人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C07F9/00 ,  B05D5/06

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C07F9/005 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  Y10T29/49117

摘要： Tantalum precursors useful in depositing tantalum nitride or tantalum oxides materials on substrates, by processes such as chemical vapor deposition and atomic layer deposition. The precursors are useful in forming tantalum-based diffusion barrier layers on microelectronic device structures featuring copper metallization and/or ferroelectric thin films.

摘要翻译： 钽前体可用于通过诸如化学气相沉积和原子层沉积的方法在衬底上沉积氮化钽或钽氧化物材料。 这些前体可用于在具有铜金属化和/或铁电薄膜的微电子器件结构上形成钽基扩散阻挡层。

公开(公告)号：US07344589B2

公开(公告)日：2008-03-18

申请号：US11328582

申请日：2006-01-10

申请人： Peter C. Van Buskirk ,  Jeffrey F. Roeder ,  Steven M. Bilodeau ,  Michael W. Russell ,  Stephen T. Johnston ,  Daniel J. Vestyck ,  Thomas H. Baum

发明人： Peter C. Van Buskirk ,  Jeffrey F. Roeder ,  Steven M. Bilodeau ,  Michael W. Russell ,  Stephen T. Johnston ,  Daniel J. Vestyck ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C23C16/40

CPC分类号： C07C49/92 ,  C04B35/491 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/963 ,  C07F7/003 ,  C23C16/409 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

摘要： A novel lead zirconium titanate (PZT) material having unique properties and application for PZT thin film capacitors and ferroelectric capacitor structures, e.g., FeRAMs, employing such thin film material. The PZT material is scalable, being dimensionally scalable, pulse length scalable and/or E-field scalable in character, and is useful for ferroelectric capacitors over a wide range of thicknesses, e.g., from about 20 nanometers to about 150 nanometers, and a range of lateral dimensions extending to as low as 0.15 μm. Corresponding capacitor areas (i.e., lateral scaling) in a preferred embodiment are in the range of from about 104 to about 10−2 μm2. The scalable PZT material of the invention may be formed by liquid delivery MOCVD, without PZT film modification techniques such as acceptor doping or use of film modifiers (e.g., Nb, Ta, La, Sr, Ca and the like).

摘要翻译： 一种新颖的钛酸铅锆（PZT）材料，具有独特的性能和应用于PZT薄膜电容器和铁电电容器结构，例如采用这种薄膜材料的FeRAM。 PZT材料是可扩展的，尺寸可缩放的，脉冲长度可伸缩的和/或电场可扩展的特征，并且在宽范围的厚度例如约20纳米至约150纳米的范围内对于铁电电容器是有用的，并且范围 的横向尺寸延伸到低至0.15毫米。 在优选实施例中，对应的电容器区域（即，横向缩放）在大约10 -4至大约10 -2 m / 。 本发明的可扩展的PZT材料可以通过液体输送MOCVD形成，而不需要PZT膜修饰技术，例如受体掺杂或使用膜改性剂（例如，Nb，Ta，La，Sr，Ca等）。

公开(公告)号：US20070281476A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11446339

申请日：2006-06-02

申请人： Adrien R. Lavoie ,  Juan E. Dominguez ,  John J. Plombon ,  Valery M. Dubin ,  Harsono S. Simka ,  Joseph H. Han ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Jeffrey F. Roeder ,  Tiannu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum

发明人： Adrien R. Lavoie ,  Juan E. Dominguez ,  John J. Plombon ,  Valery M. Dubin ,  Harsono S. Simka ,  Joseph H. Han ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Jeffrey F. Roeder ,  Tiannu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/56

摘要： Methods and associated structures of forming a microelectronic structure are described. Those methods may comprise forming a thin conformal copper layer on a surface by utilizing a formation temperature below about 125 degrees Celsius.

摘要翻译： 描述了形成微电子结构的方法和相关结构。 那些方法可以包括通过利用低于约125摄氏度的地层温度在表面上形成薄的共形铜层。

公开(公告)号：US07119418B2

公开(公告)日：2006-10-10

申请号：US10632009

申请日：2003-07-31

申请人： Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Michael B. Korzenski

发明人： Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Michael B. Korzenski

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： C23C18/122 ,  C23C18/00 ,  C23C18/08 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1275 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76877 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Supercritical fluid-assisted deposition of materials on substrates, such as semiconductor substrates for integrated circuit device manufacture. The deposition is effected using a supercritical fluid-based composition containing the precursor(s) of the material to be deposited on the substrate surface. Such approach permits use of precursors that otherwise would be wholly unsuitable for deposition applications, as lacking requisite volatility and transport characteristics for vapor phase deposition processes.

公开(公告)号：US07108771B2

公开(公告)日：2006-09-19

申请号：US10015326

申请日：2001-12-13

申请人： Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Alexander S. Borovik ,  Ziyun Wang ,  James T. Y. Lin ,  Scott Battle ,  Ravi K. Laxman

发明人： Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Alexander S. Borovik ,  Ziyun Wang ,  James T. Y. Lin ,  Scott Battle ,  Ravi K. Laxman

IPC分类号： B01D15/00 ,  C07C51/44 ,  C02F7/08 ,  C02F7/20

CPC分类号： C23C16/4402 ,  B01D3/36 ,  C07F7/089 ,  C07F7/20 ,  C08G77/34 ,  C09D4/00 ,  C23C16/401 ,  C08G77/04

摘要： A process for reducing the level(s) of water and/or other impurities from cyclosiloxanes by either azeotropic distillation, or by contacting the cyclosiloxane compositions with an adsorbent bed material. The purified cyclosiloxane material is useful for forming low-dielectric constant thin films having dielectric constants of less than 3.0, more preferably 2.8 to 2.0.