公开(公告)号：US06683002B1

公开(公告)日：2004-01-27

申请号：US09636580

申请日：2000-08-10

申请人： Simon Chooi ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  John Leonard Sudijono ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy ,  Paul Kwok Keung Ho ,  Yi Xu

发明人： Simon Chooi ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  John Leonard Sudijono ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy ,  Paul Kwok Keung Ho ,  Yi Xu

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L21/76844 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/314 ,  H01L21/76807

摘要： Method and product for forming a dual damascene interconnect structure, wherein depositing a copper sulfide interface layer as sidewalls to the opening deters migration or diffusing of copper ions into the dielectric material.

公开(公告)号：US06475810B1

公开(公告)日：2002-11-05

申请号：US09636579

申请日：2000-08-10

申请人： Mei Sheng Zhou ,  John Leonard Sudijono ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy ,  Paul Kwok Keung Ho ,  Yi Xu ,  Simon Chooi ,  Yakub Aliyu

发明人： Mei Sheng Zhou ,  John Leonard Sudijono ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy ,  Paul Kwok Keung Ho ,  Yi Xu ,  Simon Chooi ,  Yakub Aliyu

IPC分类号： H01L2158

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832

摘要： A new method of forming a dual damascene interconnect structure, wherein damage of interconnect and contamination of dielectrics during etching is minimized by having an embedded organic stop layer over the lower interconnect and later etching the organic stop layer with an H2 containing plasma, or hydrogen radical.

摘要翻译： 形成双镶嵌互连结构的新方法，其中在蚀刻期间互连和电介质污染的损害最小化，在下互连上具有嵌入的有机阻挡层，并且随后用含H2的等离子体或氢自由基蚀刻有机阻挡层 。

公开(公告)号：US06720204B2

公开(公告)日：2004-04-13

申请号：US10120836

申请日：2002-04-11

申请人： John Leonard Sudijono ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  Simon Chooi ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy ,  Paul Kwok Keung Ho ,  Yi Xu

发明人： John Leonard Sudijono ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  Simon Chooi ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy ,  Paul Kwok Keung Ho ,  Yi Xu

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L24/05 ,  C23G5/00 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/32136 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/03 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05118 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/85013 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/00015

摘要： A method of bonding a wire to a metal bonding pad, comprising the following steps. A semiconductor die structure having an exposed metal bonding pad within a chamber is provided. The bonding pad has an upper surface. A hydrogen-plasma is produced within the chamber from a plasma source. The metal bonding pad is pre-cleaned and passivated with the hydrogen-plasma to remove any metal oxide formed on the metal bonding pad upper surface. A wire is then bonded to the passivated metal bonding pad.

摘要翻译： 一种将金属丝焊接到金属焊盘上的方法，包括以下步骤。 提供一种在室内具有暴露的金属接合焊盘的半导体管芯结构。 接合垫具有上表面。 在等离子体源室内产生氢等离子体。 用氢 - 等离子体对金属接合垫进行预清洁和钝化以去除在金属焊盘上表面上形成的任何金属氧化物。 然后将线接合到钝化金属接合焊盘。

公开(公告)号：US06692579B2

公开(公告)日：2004-02-17

申请号：US09764244

申请日：2001-01-19

申请人： Sudipto Ranendra Roy ,  Yi Xu ,  Simon Chooi ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  John Leonard Sudijono ,  Paul Kwok Keung Ho ,  Subhash Gupta

发明人： Sudipto Ranendra Roy ,  Yi Xu ,  Simon Chooi ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  John Leonard Sudijono ,  Paul Kwok Keung Ho ,  Subhash Gupta

IPC分类号： B08B300

CPC分类号： H01L21/02057 ,  B08B3/00 ,  C11D7/24 ,  C11D7/5027 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/6704

摘要： A method for cleaning a semiconductor structure using vapor phase condensation with a thermally vaporized cleaning agent, a hydrocarbon vaporized by pressure variation, or a combination of the two. In the thermally vaporized cleaning agent process, a semiconductor structure is lowered into a vapor blanket in a thermal gradient cleaning chamber at atmospheric pressure formed by heating a liquid cleaning agent below the vapor blanket and cooling the liquid cleaning agent above the vapor blanket causing it to condense and return to the bottom of the thermal gradient cleaning chamber. The semiconductor structure is then raised above the vapor blanket and the cleaning agent condenses on all of the surfaces of the semiconductor structure removing contaminants and is returned to the bottom of the chamber by gravity. In the pressurized hydrocarbon process, a semiconductor structure is placed into a variable pressure cleaning chamber, having a piston which changes the pressure by reducing or increasing the volume of the chamber. The semiconductor structure first exposed to the hydrocarbon in vapor phase, then the piston is lowered to condense the hydrocarbon. A semiconductor structure can be cleaned by either or both of these processes by repetitive vaporization/condensation cycles.

摘要翻译： 一种使用与气相清洗剂进行气相冷凝的半导体结构，通过压力变化蒸发的烃或两者的组合来清洗半导体结构的方法。 在热蒸发清洗剂方法中，半导体结构在大气压力的热梯度清洗室内被降低成蒸气层，所述热梯度清洗室通过将蒸气层下方的液体清洗剂加热而形成，并将该液体清洁剂冷却至蒸气层以上 冷凝并返回到热梯度清洗室的底部。 然后将半导体结构升高到蒸气层上方，并且清洁剂在半导体结构的所有表面上冷凝除去杂质，并通过重力返回到室的底部。 在加压烃工艺中，将半导体结构放置在可变压力清洁室中，其具有通过减小或增加室的体积来改变压力的活塞。 半导体结构首先暴露于气相中的烃，然后降低活塞以使烃冷凝。 半导体结构可以通过这些过程中的任一个或两者通过重复的蒸发/冷凝循环进行清洁。

公开(公告)号：US06261955B1

公开(公告)日：2001-07-17

申请号：US09618262

申请日：2000-07-18

申请人： Yakub Aliyu ,  Simon Chooi ,  Mei Sheng Zhou ,  John Leonard Sudijono ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy ,  Paul Kwok Keung Ho ,  Yi Xu

发明人： Yakub Aliyu ,  Simon Chooi ,  Mei Sheng Zhou ,  John Leonard Sudijono ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy ,  Paul Kwok Keung Ho ,  Yi Xu

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L21/02046 ,  C23F1/12 ,  H01L21/02079 ,  Y10S438/906

摘要： An effective copper decontamination method in the fabrication of integrated circuits is achieved. An organic-based HFACAC decontamination compound in vapor phase is sprayed over elemental copper found on equipment or tools or as a spill wherein the compound reacts with all of the elemental copper and forms a volatile compound that can be flushed away thereby completing copper decontamination.

摘要翻译： 实现了集成电路制造中有效的铜去污方法。 蒸气相中的基于有机的HFACAC去污化合物喷洒在设备或工具上发现的元素铜上，或作为溢出物喷洒，其中化合物与所有元素铜反应并形成可被冲洗掉的挥发性化合物，从而完成铜去污。

公开(公告)号：US06821888B2

公开(公告)日：2004-11-23

申请号：US10076244

申请日：2002-02-13

申请人： Yakub Aliyu ,  Simon Chooi ,  Meisheng Zhou ,  John Sudijono ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy

发明人： Yakub Aliyu ,  Simon Chooi ,  Meisheng Zhou ,  John Sudijono ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor chip having an exposed metal terminating pad thereover, and a separate substrate having a corresponding exposed metal bump thereover are provided. A conducting polymer plug is formed over the exposed metal terminating pad. A conforming interface layer is formed over the conducting polymer plug. The conducting polymer plug of the semiconductor chip is aligned with the corresponding metal bump. The conforming interface layer over the conducting polymer plug is mated with the corresponding metal bump. The conforming interface layer is thermally decomposed, adhering and permanently attaching the conducting polymer plug with the corresponding metal bump. Methods of forming and patterning a nickel carbonyl layer are also disclosed.

摘要翻译： 提供了具有暴露的金属端接垫的半导体芯片，以及在其上具有对应的暴露的金属凸块的单独的基板。 在暴露的金属端接垫上形成导电聚合物塞。 在导电聚合物塞上形成一个符合标准的界面层。 半导体芯片的导电聚合物插塞与相应的金属凸块对准。 导电聚合物塞上的一致界面层与相应的金属凸块配合。 一致的界面层被热分解，粘附和永久地附着导电聚合物塞与相应的金属凸块。 还公开了形成和图案化羰基镍层的方法。

公开(公告)号：US06987321B2

公开(公告)日：2006-01-17

申请号：US10718865

申请日：2003-11-21

申请人： Simon Chooi ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  John Leonard Sudijono ,  Subbash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy ,  Paul Kwok Keung Ho ,  Yi Xu

发明人： Simon Chooi ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  John Leonard Sudijono ,  Subbash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy ,  Paul Kwok Keung Ho ,  Yi Xu

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76844 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/314 ,  H01L21/76807

摘要： Method and product for forming a dual damascene interconnect structure, wherein depositing a copper sulfide interface layer as sidewalls to the opening deters migration or diffusing of copper ions into the dielectric material.

摘要翻译： 用于形成双镶嵌互连结构的方法和产品，其中将铜硫化物界面层作为开口的侧壁沉积阻止铜离子迁移或扩散到电介质材料中。

公开(公告)号：US20120279865A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13289391

申请日：2011-11-04

申请人： Louis Regniere ,  Yakub Aliyu ,  Rainer M. Schmitt ,  Theodore M. Johnson ,  Ronald A. Kropp ,  Christian Liautaud ,  Deda Diatezua ,  Isaac R. Abothu ,  De Liufu ,  Richard Irving ,  Patrick D. Brown ,  Walter C. Mick ,  William H. Tanubrata ,  Omid S. Jahromi ,  John Boudreaux ,  David B. Clarke ,  Jack S. Chorpenning ,  Bryce M. Barbato ,  Honorio R. Ulep ,  William R. Robinson, JR.

发明人： Louis Regniere ,  Yakub Aliyu ,  Rainer M. Schmitt ,  Theodore M. Johnson ,  Ronald A. Kropp ,  Christian Liautaud ,  Deda Diatezua ,  Isaac R. Abothu ,  De Liufu ,  Richard Irving ,  Patrick D. Brown ,  Walter C. Mick ,  William H. Tanubrata ,  Omid S. Jahromi ,  John Boudreaux ,  David B. Clarke ,  Jack S. Chorpenning ,  Bryce M. Barbato ,  Honorio R. Ulep ,  William R. Robinson, JR.

IPC分类号： C25D5/02

CPC分类号： C23C18/54 ,  C25D5/48

摘要： Provided herein is a method of making an integrated circuit device using copper metallization on 1-3 PZT composite. The method includes providing an overlay of electroplated immersion of gold (Au) to cover copper metal traces, the overlay preventing oxidation on 1:3 PZT composite with material. Also included is the formation of immersion Au nickel electrodes on the 1-3 PZT composite to achieve pad metallization for external connections.

摘要翻译： 本文提供了在1-3PZT复合材料上制造使用铜金属化的集成电路器件的方法。 该方法包括提供金（Au）的电镀浸渍覆盖铜金属迹线的覆盖层，该覆盖层防止1：3 PZT复合材料与材料的氧化。 还包括在1-3 PZT复合材料上形成浸金Au镍电极，以实现外部连接的焊盘金属化。

公开(公告)号：US20110269307A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：US13098964

申请日：2011-05-02

申请人： Yakub Aliyu ,  Deda Diatezua

发明人： Yakub Aliyu ,  Deda Diatezua

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L23/15 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49866 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided herein is a method of making an integrated circuit device using copper metallization on 1-3 PZT composite. The method includes providing an overlay of electroplated immersion of gold (Au) to cover copper metal traces, the overlay preventing oxidation on 1:3 PZT composite with material. Also included is the formation of immersion Au nickel electrodes on the 1-3 PZT composite to achieve pad metallization for external connections.

摘要翻译： 本文提供了在1-3PZT复合材料上制造使用铜金属化的集成电路器件的方法。 该方法包括提供金（Au）的电镀浸渍覆盖铜金属迹线的覆盖层，该覆盖层防止1：3 PZT复合材料与材料的氧化。 还包括在1-3 PZT复合材料上形成浸金Au镍电极，以实现外部连接的焊盘金属化。

公开(公告)号：US06686279B2

公开(公告)日：2004-02-03

申请号：US10114680

申请日：2002-04-01

申请人： Daniel Yen ,  Wei Hua Cheng ,  Yakub Aliyu ,  Lee Yuan Ping

发明人： Daniel Yen ,  Wei Hua Cheng ,  Yakub Aliyu ,  Lee Yuan Ping

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L21/76831 ,  H01L21/76802

摘要： A method and apparatus for reducing gouging during via formation. In one embodiment, the present invention is comprised of a method which includes forming an opening into a substrate. The opening is formed extending into the substrate and terminating on at least a portion of a target to which it is desired to form an electrical connection. After the formation of the opening, the present embodiment lines the opening with a liner material. In this embodiment, the liner material is adapted to at least partially fill a portion of the opening which is not landed on the target. The liner material of the present embodiment prevents substantial further etching of the substrate conventionally caused by the opening being at least partially unlanded on the target. Next, the present embodiment subjects the liner material to an etching process such that the liner material is substantially removed from that region of the target where the opening was landed on the target. In this embodiment, liner material residing in the region where the opening is unlanded prevents further gouging of the substrate proximate to the target.

摘要翻译： 一种用于在通孔形成期间减少气刨的方法和装置。 在一个实施例中，本发明包括一种方法，该方法包括在基底中形成开口。 开口形成为延伸到基板中并终止于期望形成电连接的目标的至少一部分上。 在形成开口之后，本实施例用衬里材料排列开口。 在该实施例中，衬垫材料适于至少部分地填充未着陆在靶上的开口的一部分。 本实施例的衬垫材料防止了通常由开口至少部分地不在目标上引起的基板的进一步蚀刻。 接下来，本实施例使衬里材料进行蚀刻工艺，使得衬里材料基本上从开口落在靶上的靶的区域中去除。 在这个实施例中，位于开口未被覆盖的区域中的衬垫材料防止了靠近靶的衬底进一步的刨削。