公开(公告)号：US08101463B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US12370437

申请日：2009-02-12

申请人： Manfred Mengel ,  Joachim Mahler ,  Stefan Landau

发明人： Manfred Mengel ,  Joachim Mahler ,  Stefan Landau

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes placing a chip on a carrier, and applying an electrically conducting layer to the chip and the carrier. The method additionally includes converting the electrically conducting layer into an electrically insulating layer.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括将芯片放置在载体上，并将导电层施加到芯片和载体上。 该方法还包括将导电层转换成电绝缘层。

公开(公告)号：US20100276797A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12433429

申请日：2009-04-30

申请人： Stefan Landau ,  Ralf Otremba ,  Uwe Kirchner ,  Andreas Schloegl ,  Christian Fachmann ,  Joachim Mahler

发明人： Stefan Landau ,  Ralf Otremba ,  Uwe Kirchner ,  Andreas Schloegl ,  Christian Fachmann ,  Joachim Mahler

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/60 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L23/49548 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L24/32 ,  H01L24/40 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H05K3/32 ,  H05K3/3442 ,  H05K3/3447 ,  H05K3/3468 ,  H05K3/3473 ,  H05K2201/09472 ,  H05K2201/10303 ,  H05K2201/1059 ,  H05K2201/10727 ,  H05K2201/10962 ,  H05K2201/10984 ,  H05K2203/0455 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor device includes a substrate having a chip island, a chip attached to the chip island, and encapsulation material deposited on the chip and part of the chip island. The chip island includes a first main face to which the chip is attached opposite a second main face, with the second main face of the chip island defining at least one cavity.

摘要翻译： 半导体器件包括具有芯片岛的衬底，附接到芯片岛的芯片以及沉积在芯片岛和芯片岛的一部分上的封装材料。 芯片岛包括第一主面，芯片与第二主面相对，芯片岛的第二主面限定至少一个空腔。

公开(公告)号：US07667337B2

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：US11858627

申请日：2007-09-20

申请人： Joachim Mahler ,  Thomas Behrens ,  Stefan Landau ,  Eduard Knauer ,  Rupert Fischer

发明人： Joachim Mahler ,  Thomas Behrens ,  Stefan Landau ,  Eduard Knauer ,  Rupert Fischer

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L24/31 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a carrier such as a lead frame, a semiconductor die and an attachment member affixing the semiconductor die to the carrier. The attachment device includes an electrically conductive organic material.

摘要翻译： 半导体器件包括诸如引线框架的载体，半导体管芯和将半导体管芯固定到载体上的附接构件。 附着装置包括导电有机材料。

公开(公告)号：US20070241328A1

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：US11734693

申请日：2007-04-12

申请人： Stefan Landau ,  Joachim Mahler

发明人： Stefan Landau ,  Joachim Mahler

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L23/48

CPC分类号： C09B5/62 ,  C09B11/24 ,  C09B57/004 ,  H01L24/28 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H05K1/0269 ,  H05K3/3484 ,  H01L2924/00

摘要： A power semiconductor component and process for producing power semiconductor components is disclosed. In one embodiment, a power semiconductor component is produced, including applying a semiconductor ship to a substrate using a fluorescent marker substance.

摘要翻译： 公开了一种用于生产功率半导体部件的功率半导体部件和工艺。 在一个实施例中，制造功率半导体部件，包括使用荧光标记物质将半导体船应用于基板。

公开(公告)号：US08866302B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US13013022

申请日：2011-01-25

申请人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Anton Prueckl ,  Stefan Landau

发明人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Anton Prueckl ,  Stefan Landau

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L25/074 ,  H01L21/56 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/24247 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A device includes a first semiconductor chip with a first contact pad on a first face and a second semiconductor chip with a first contact pad on a first face. The second semiconductor chip is placed over the first semiconductor chip, wherein the first face of the first semiconductor chip faces the first face of the second semiconductor chip. Exactly one layer of an electrically conductive material is arranged between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip. The exactly one layer of an electrically conductive material electrically couples the first contact pad of the first semiconductor chip to the first contact pad of the second semiconductor chip.

摘要翻译： 一种器件包括在第一面上具有第一接触焊盘的第一半导体芯片和在第一面上具有第一接触焊盘的第二半导体芯片。 第二半导体芯片放置在第一半导体芯片上，其中第一半导体芯片的第一面面向第二半导体芯片的第一面。 在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间布置有一层导电材料。 精确的一层导电材料将第一半导体芯片的第一接触焊盘电耦合到第二半导体芯片的第一接触焊盘。

公开(公告)号：US08836113B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13584988

申请日：2012-08-14

申请人： Stefan Landau ,  Erwin Huber ,  Josef Hoeglauer ,  Joachim Mahler ,  Tino Karczeweski

发明人： Stefan Landau ,  Erwin Huber ,  Josef Hoeglauer ,  Joachim Mahler ,  Tino Karczeweski

IPC分类号： H01L21/70 ,  H01L23/495 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L23/34 ,  H01L29/40 ,  H01L23/14 ,  H01L23/498 ,  H01L23/00 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L23/49833 ,  H01L23/142 ,  H01L23/34 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/38 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/84 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： An electronic module. One embodiment includes a carrier. A first transistor is attached to the carrier. A second transistor is attached to the carrier. A first connection element includes a first planar region. The first connection element electrically connects the first transistor to the carrier. A second connection element includes a second planar region. The second connection element electrically connects the second transistor to the carrier. In one embodiment, a distance between the first planar region and the second planar region is smaller than 100 μm.

摘要翻译： 电子模块。 一个实施例包括载体。 第一晶体管连接到载体上。 第二晶体管连接到载体上。 第一连接元件包括第一平面区域。 第一连接元件将第一晶体管与载体电连接。 第二连接元件包括第二平面区域。 第二连接元件将第二晶体管与载体电连接。 在一个实施例中，第一平面区域和第二平面区域之间的距离小于100μm。

公开(公告)号：US20120187565A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：US13013022

申请日：2011-01-25

申请人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Anton Prueckl ,  Stefan Landau

发明人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Anton Prueckl ,  Stefan Landau

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L25/074 ,  H01L21/56 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/24247 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A device includes a first semiconductor chip with a first contact pad on a first face and a second semiconductor chip with a first contact pad on a first face. The second semiconductor chip is placed over the first semiconductor chip, wherein the first face of the first semiconductor chip faces the first face of the second semiconductor chip. Exactly one layer of an electrically conductive material is arranged between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip. The exactly one layer of an electrically conductive material electrically couples the first contact pad of the first semiconductor chip to the first contact pad of the second semiconductor chip.

摘要翻译： 一种器件包括在第一面上具有第一接触焊盘的第一半导体芯片和在第一面上具有第一接触焊盘的第二半导体芯片。 第二半导体芯片放置在第一半导体芯片上，其中第一半导体芯片的第一面面向第二半导体芯片的第一面。 在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间布置有一层导电材料。 精确的一层导电材料将第一半导体芯片的第一接触焊盘电耦合到第二半导体芯片的第一接触焊盘。

公开(公告)号：US20100200978A1

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：US12370437

申请日：2009-02-12

申请人： Manfred Mengel ,  Joachim Mahler ,  Stefan Landau

发明人： Manfred Mengel ,  Joachim Mahler ,  Stefan Landau

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/29

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes placing a chip on a carrier, and applying an electrically conducting layer to the chip and the carrier. The method additionally includes converting the electrically conducting layer into an electrically insulating layer.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括将芯片放置在载体上，并将导电层施加到芯片和载体上。 该方法还包括将导电层转换成电绝缘层。

公开(公告)号：US20090042337A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US11837087

申请日：2007-08-10

申请人： Stefan Landau ,  Alexander Koenigsberger ,  Joachim Mahler ,  Klaus Schiess

发明人： Stefan Landau ,  Alexander Koenigsberger ,  Joachim Mahler ,  Klaus Schiess

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L25/072 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599

摘要： A method includes providing an integral array of first carriers, arranging first semiconductor chips on the first carriers, and arranging an integral array of second carriers over the semiconductor chips.

摘要翻译： 一种方法包括提供第一载体的整体阵列，在第一载流子上布置第一半导体芯片，以及在半导体芯片上布置第二载流子的整体阵列。

公开(公告)号：US07479691B2

公开(公告)日：2009-01-20

申请号：US11376871

申请日：2006-03-16

申请人： Henrik Ewe ,  Stefan Landau ,  Klaus Schiess ,  Robert Bergmann

发明人： Henrik Ewe ,  Stefan Landau ,  Klaus Schiess ,  Robert Bergmann

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

摘要： A power semiconductor module having surface-mountable flat external contact areas and a method for producing the same is disclosed. In one embodiment, the top sides of the external contacts form an inner housing plane, on which at least one power semiconductor chip is fixed by its rear side on a drain external contact. An insulation layer covers the top side over the edge sides of the semiconductor chip as far as the inner housing plane whilst leaving free the source and gate contact areas on the top side of the semiconductor chip and also whilst partly leaving free the top sides of the corresponding external contacts. Arranged on the insulation layer is a connecting conductive layer between the source contact areas on the top side of the semiconductor chip and the top sides of the source external contacts, and also a gate connecting layer from the gate contact areas to the top side of the gate external contact.

摘要翻译： 公开了一种具有表面安装平坦的外部接触区域的功率半导体模块及其制造方法。 在一个实施例中，外部接触件的顶侧形成内部壳体平面，其上至少一个功率半导体芯片由其后侧固定在排水外部接触件上。 绝缘层覆盖半导体芯片的边缘侧的顶侧至内部壳体平面，同时在半导体芯片的顶侧上释放源极和栅极接触区域，并且同时部分地释放半导体芯片的顶侧 相应的外部联系人。 在绝缘层上排列的是在半导体芯片的上侧的源极接触区域和源极外部接触件的顶侧之间的连接导电层，以及从栅极接触区域到顶部侧的栅极连接层 门外部接触。