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    Radiation emitting semiconductor device
    61.
    发明申请
    Radiation emitting semiconductor device 有权
    辐射发射半导体器件

    公开(公告)号：US20050003565A1

    公开(公告)日：2005-01-06

    申请号：US10837828

    申请日：2004-05-03

    申请人： Dominik Eisert ,  Volker Haerle ,  Frank Kuehn ,  Manfred Mundbrod-Vangerow ,  Uwe Strauss ,  Ulrich Zehnder

    发明人： Dominik Eisert ,  Volker Haerle ,  Frank Kuehn ,  Manfred Mundbrod-Vangerow ,  Uwe Strauss ,  Ulrich Zehnder

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

    摘要： Radiation-emitting semiconductor device, method for fabricating same and radiation-emitting optical device. A radiation-emitting semiconductor device with a multilayer structure (100) comprising a radiation-emitting active layer (10), with electrical contacts (30, 40) for impressing a current in the multilayer structure (100) and with a radiotransparent window layer (20). The window layer is arranged exclusively on the side of the multilayer structure (100) facing away from a main direction of radiation of the semiconductor device and has at least one side wall that includes a first side wall portion (20a) which extends obliquely, concavely or in a stepwise manner toward a central axis of the semiconductor device lying perpendicular to the multilayer sequence. In its subsequent extension toward the back side, viewed from the multilayer structure, the side wall changes over into a second side wall portion (20b) that extends perpendicularly to the multilayer structure, that is, parallel to the central axis, and the portion of the window layer (20) encompassing the second side wall portion (20b) forms a mounting pedestal for the semiconductor device. The first and second side wall portions are fabricated especially preferably by means of a saw blade having a shaped edge. In a preferred optical device, the semiconductor device is mounted window layer downward in a reflector cup.

    摘要翻译： 辐射发射半导体器件，其制造方法和发射光学器件。 一种具有多层结构（100）的辐射发射半导体器件（100），包括辐射发射有源层（10），具有用于在多层结构（100）中施加电流的电触点（30,40）以及无线电透过窗口层 20）。 窗层仅排列在背离半导体器件的主辐射方向的多层结构（100）的侧面上，并具有至少一个侧壁，该侧壁包括第一侧壁部分（20a），该第一侧壁部分倾斜地， 或者以逐步的方式朝向垂直于多层序列的半导体器件的中心轴线。 在从多层结构观察的随后的向后延伸的过程中，侧壁转变成垂直于多层结构延伸的第二侧壁部分（20b），即平行于中心轴线的部分 包围第二侧壁部分（20b）的窗口层（20）形成用于半导体器件的安装基座。 第一和第二侧壁部分特别优选地通过具有成形边缘的锯片来制造。 在优选的光学器件中，半导体器件将窗口层向下安装在反射杯中。

    Optoelectronic semiconductor chip
    65.
    发明授权
    Optoelectronic semiconductor chip 有权
    光电半导体芯片

    公开(公告)号：US08581280B2

    公开(公告)日：2013-11-12

    申请号：US12223382

    申请日：2006-12-20

    申请人： Michael Fehrer ,  Uwe Strauss

    发明人： Michael Fehrer ,  Uwe Strauss

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： An optoelectronic semiconductor chip (1) having a semiconductor layer sequence (2), which comprises an active region (3) suitable for generating radiation and has a lateral main extension direction. The semiconductor layer sequence is arranged by a substrate (4) having a side surface (17), the side surface has a side surface region (18) that is beveled with respect to the main extension direction, and/or a cutout (21), and the semiconductor chip has a radiation-transmissive and electrically conductive contact layer (5).

    摘要翻译： 一种具有半导体层序列（2）的光电子半导体芯片（1），其包括适于产生辐射并具有横向主延伸方向的有源区域（3）。 半导体层序列由具有侧面（17）的基板（4）配置，侧面具有相对于主延伸方向倾斜的侧面区域（18）和/或切口（21）， ，并且半导体芯片具有辐射透射和导电的接触层（5）。

    Semiconductor component and method for producing a semiconductor component
    66.
    发明授权
    Semiconductor component and method for producing a semiconductor component 有权
    半导体元件的制造方法及半导体元件的制造方法

    公开(公告)号：US08565278B2

    公开(公告)日：2013-10-22

    申请号：US12863673

    申请日：2009-03-09

    申请人： Christoph Eichler ,  Uwe Strauss

    发明人： Christoph Eichler ,  Uwe Strauss

    IPC分类号： H01S5/00

    CPC分类号： H01L22/10 ,  H01L22/12 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/173

    摘要： A semiconductor component includes a semiconductor body with a semiconductor layer sequence having an active region, provided for generating coherent radiation, and an indicator layer. With respect to an interface which delimits the semiconductor body in regions in a vertical direction, on that side of said interface which is remote from the active region, the semiconductor body has a web-like region extending in a vertical direction between the interface and a surface of the semiconductor body. The indicator layer has a material composition that differs from that of the material of the web-like region which adjoins the indicator layer. A distance between the indicator layer and the surface is at most of the same magnitude as a distance between the interface and the surface.

    摘要翻译： 半导体部件包括具有半导体层序列的半导体本体，其具有用于产生相干辐射的有源区域和指示层。 关于在垂直方向的区域中限定半导体本体的界面，在远离有源区的所述界面的该侧，半导体本体具有在界面和a之间沿垂直方向延伸的网状区域 半导体体的表面。 指示剂层具有与邻接指示剂层的网状区域的材料组成不同的材料组成。 指示剂层和表面之间的距离与界面和表面之间的距离最大相同的大小。

    Optoelectronic Semiconductor Component
    67.
    发明申请
    Optoelectronic Semiconductor Component 审中-公开
    光电半导体元件

    公开(公告)号：US20120250715A1

    公开(公告)日：2012-10-04

    申请号：US13257515

    申请日：2010-01-20

    申请人： Martin Müller ,  Uwe Strauss

    发明人： Martin Müller ,  Uwe Strauss

    IPC分类号： H01S5/20

    CPC分类号： H01S5/4031 ,  H01S3/094096 ,  H01S3/0941 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1053 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/4043 ,  H01S5/405 ,  H01S5/4087 ,  H01S5/423

    摘要： In at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component (1), the latter comprises an epitaxially grown semiconductor body (2) with at least one active layer (3). Furthermore, the semiconductor body (2) of the semiconductor component (1) comprises at least one barrier layer (4), the barrier layer (4) directly adjoining the active layer (3). A material composition and/or a layer thickness of the active layer (3) and/or of the barrier layer (4) is varied in a direction of variation or a longitudinal direction (L), perpendicular to a direction of growth (G) of the semiconductor body (2). By varying the material composition and/or the layer thickness of the active layer (3) and/or of the barrier layer (4), an emission wavelength (λ) of a radiation (R) generated in the active layer (3) is likewise adjusted in the direction of variation or in the longitudinal direction (L).

    摘要翻译： 在光电子半导体部件（1）的至少一个实施例中，后者包括具有至少一个有源层（3）的外延生长的半导体本体（2）。 此外，半导体部件（1）的半导体本体（2）包括至少一个阻挡层（4），阻挡层（4）直接邻接有源层（3）。 活性层（3）和/或阻挡层（4）的材料组成和/或层厚度在垂直于生长方向（G）的变化方向或纵向方向（L）上变化， 的半导体本体（2）。 通过改变有源层（3）和/或阻挡层（4）的材料组成和/或层厚度，在有源层（3）中产生的辐射（R）的发射波长（λ）为 同样地在变化的方向或纵向（L）上调整。

    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD OF PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
    70.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD OF PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 有权
    光电子半导体芯片和生产光电半导体芯片的方法

    公开(公告)号：US20110235664A1

    公开(公告)日：2011-09-29

    申请号：US13123779

    申请日：2009-10-12

    申请人： Stefan Illek ,  Uwe Strauss

    发明人： Stefan Illek ,  Uwe Strauss

    IPC分类号： H01S5/20 ,  H01L33/58

    CPC分类号： H01S5/12 ,  H01L33/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/209 ,  H01L2924/00

    摘要： An optoelectronic semiconductor chip having a semiconductor layer sequence with a plurality of layers arranged over one another includes an active layer with an active region which emits electromagnetic radiation in an emission direction when in operation, a first grating layer on the active layer which, in an emission direction, has a plurality of stripes in the form of grating lines extending perpendicularly to the emission direction with spaces arranged therebetween, and a second grating layer on the first grating layer which covers the stripes of the first grating layer and the spaces and which comprises a transparent material applied by non-epitaxial application.

    摘要翻译： 具有彼此排列的多个层的半导体层序列的光电子半导体芯片包括：有源层，具有在工作时发射方向上发射电磁辐射的有源区;活性层上的第一光栅层， 发射方向具有垂直于发射方向延伸的格栅线的形式的多个条纹，并且其间具有间隔布置的第一光栅层和覆盖第一光栅层和空间的条纹的第二光栅层，并且包括 通过非外延应用施加的透明材料。