公开(公告)号：US10290606B2

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：US13529736

申请日：2012-06-21

申请人： Michael Alfano ,  Joe Siegel ,  Michael Z. Su ,  Bryan Black ,  Julius Din

发明人： Michael Alfano ,  Joe Siegel ,  Michael Z. Su ,  Bryan Black ,  Julius Din

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/52 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  H01L25/065 ,  H01L23/14

摘要： Various interposers and method of manufacturing related thereto are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes coupling an identification structure to an interposer. The identification structure is operable to provide identification information about the interposer. The identification structure is programmable to create or alter the identification information.

公开(公告)号：US20130341783A1

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：US13529736

申请日：2012-06-21

申请人： Michael Alfano ,  Joe Siegel ,  Michael Z. Su ,  Bryan Black ,  Julius Din

发明人： Michael Alfano ,  Joe Siegel ,  Michael Z. Su ,  Bryan Black ,  Julius Din

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5382 ,  H01L23/544 ,  H01L24/16 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L2223/5444 ,  H01L2223/54446 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： Various interposers and method of manufacturing related thereto are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes coupling an identification structure to an interposer. The identification structure is operable to provide identification information about the interposer. The identification structure is programmable to create or alter the identification information.

摘要翻译： 公开了各种插入件及其制造方法。 一方面，提供一种制造方法，其包括将识别结构耦合到插入器。 识别结构可操作以提供关于插入器的识别信息。 识别结构是可编程的，以创建或改变识别信息。

公开(公告)号：US09437561B2

公开(公告)日：2016-09-06

申请号：US12878542

申请日：2010-09-09

申请人： Bryan Black ,  Michael Z. Su ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Joe Siegel ,  Seth Prejean

发明人： Bryan Black ,  Michael Z. Su ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Joe Siegel ,  Seth Prejean

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L23/00 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor chip with conductive vias and a method of manufacturing the same are disclosed. The method includes forming a first plurality of conductive vias in a layer of a first semiconductor chip. The first plurality of conductive vias includes first ends and second ends. A first conductor pad is formed in ohmic contact with the first ends of the first plurality of conductive vias.

摘要翻译： 公开了一种具有导电孔的半导体芯片及其制造方法。 该方法包括在第一半导体芯片的层中形成第一多个导电通孔。 第一多个导电通孔包括第一端和第二端。 第一导体焊盘与第一多个导电通孔的第一端欧姆接触形成。

公开(公告)号：US20160365335A1

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：US15247259

申请日：2016-08-25

申请人： Bryan Black ,  Michael Z. Su ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Joe Siegel ,  Seth Prejean

发明人： Bryan Black ,  Michael Z. Su ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Joe Siegel ,  Seth Prejean

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor chip with conductive vias and a method of manufacturing the same are disclosed. The method includes forming a first plurality of conductive vias in a layer of a first semiconductor chip. The first plurality of conductive vias includes first ends and second ends. A first conductor pad is formed in ohmic contact with the first ends of the first plurality of conductive vias.

摘要翻译： 公开了一种具有导电孔的半导体芯片及其制造方法。 该方法包括在第一半导体芯片的层中形成第一多个导电通孔。 第一多个导电通孔包括第一端和第二端。 第一导体焊盘与第一多个导电通孔的第一端欧姆接触形成。

公开(公告)号：US20120061821A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：US12878542

申请日：2010-09-09

申请人： Bryan Black ,  Michael Z. Su ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Joe Siegel ,  Seth Prejean

发明人： Bryan Black ,  Michael Z. Su ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Joe Siegel ,  Seth Prejean

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor chip with conductive vias and a method of manufacturing the same are disclosed. The method includes forming a first plurality of conductive vias in a layer of a first semiconductor chip. The first plurality of conductive vias includes first ends and second ends. A first conductor pad is formed in ohmic contact with the first ends of the first plurality of conductive vias.

摘要翻译： 公开了一种具有导电孔的半导体芯片及其制造方法。 该方法包括在第一半导体芯片的层中形成第一多个导电通孔。 第一多个导电通孔包括第一端和第二端。 第一导体焊盘与第一多个导电通孔的第一端欧姆接触形成。

公开(公告)号：US08704353B2

公开(公告)日：2014-04-22

申请号：US13436066

申请日：2012-03-30

申请人： Michael Su ,  Bryan Black ,  Neil McLellan ,  Joe Siegel ,  Michael Alfano

发明人： Michael Su ,  Bryan Black ,  Neil McLellan ,  Joe Siegel ,  Michael Alfano

IPC分类号： H01L23/02

CPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3677 ,  H01L25/0657 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing is provided that includes fabricating a first plurality of electrically functional interconnects on a front side of a first semiconductor chip and fabricating a first plurality of electrically non-functional interconnects on a back side of the first semiconductor chip. Additional chips may be stacked on the first semiconductor chip.

摘要翻译： 提供一种制造方法，其包括在第一半导体芯片的正面上制造第一多个电功能互连件，并且在第一半导体芯片的背面上制造第一多个电气非功能互连。 另外的芯片可以堆叠在第一半导体芯片上。

公开(公告)号：US20130256913A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13436094

申请日：2012-03-30

申请人： Bryan Black ,  Michael Su ,  Neil McLellan ,  Joe Siegel ,  Michael Alfano

发明人： Bryan Black ,  Michael Su ,  Neil McLellan ,  Joe Siegel ,  Michael Alfano

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/48 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014

摘要： A method of manufacturing is provided that includes forming a first proximity interconnect on a first side of a first semiconductor chip and a first plurality of interconnect structures projecting from the first side. A second proximity interconnect is formed on a second side of a second semiconductor chip and a second plurality of interconnect structures are formed projecting from the second side. The second semiconductor chip is coupled to the first semiconductor chip so that the second side faces the first side and the first interconnect structures are coupled to the second interconnect structures. The first and second proximity interconnects cooperate to provide a proximity interface. The coupling of the first interconnect structures to the second interconnect structures provides desired vertical and lateral alignment of the first and second proximity interconnects.

摘要翻译： 提供了一种制造方法，其包括在第一半导体芯片的第一侧上形成第一邻近互连和从第一侧突出的第一多个互连结构。 第二接近互连形成在第二半导体芯片的第二侧上，并且第二多个互连结构形成为从第二侧突出。 第二半导体芯片耦合到第一半导体芯片，使得第二侧面向第一侧，并且第一互连结构耦合到第二互连结构。 第一和第二邻近互连协作以提供接近接口。 第一互连结构与第二互连结构的耦合提供了第一和第二邻近互连的期望的垂直和横向对准。

公开(公告)号：US20130256895A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13436124

申请日：2012-03-30

申请人： Michael Su ,  Bryan Black ,  Joe Siegel ,  Neil McLellan ,  Michael Alfano

发明人： Michael Su ,  Bryan Black ,  Joe Siegel ,  Neil McLellan ,  Michael Alfano

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/563 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/10 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14132 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92143 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing is provided that includes fabricating a first set of interconnect structures on a side of a first semiconductor substrate. The first semiconductor substrate is operable to have at least one of plural semiconductor substrates stacked on the side. The first set of interconnect structures is arranged in a pattern. Each of the plural semiconductor substrates has a second set of interconnect structures arranged in the pattern, one of the plural semiconductor substrates has a smallest footprint of the plural semiconductor substrates. The pattern has a footprint smaller than the smallest footprint of the plural semiconductor substrates.

摘要翻译： 提供一种制造方法，其包括在第一半导体衬底的侧面上制造第一组互连结构。 第一半导体衬底可操作以具有堆叠在一侧的多个半导体衬底中的至少一个。 第一组互连结构以图案布置。 多个半导体衬底中的每一个具有以图案布置的第二组互连结构，多个半导体衬底中的一个半导体衬底的占用面积最小。 该图案的占地面积小于多个半导体衬底的最小占地面积。

公开(公告)号：US20130256872A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13436066

申请日：2012-03-30

申请人： Michael Su ,  Bryan Black ,  Neil McLellan ,  Joe Siegel ,  Michael Alfano

发明人： Michael Su ,  Bryan Black ,  Neil McLellan ,  Joe Siegel ,  Michael Alfano

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3677 ,  H01L25/0657 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing is provided that includes fabricating a first plurality of electrically functional interconnects on a front side of a first semiconductor chip and fabricating a first plurality of electrically non-functional interconnects on a back side of the first semiconductor chip. Additional chips may be stacked on the first semiconductor chip.

摘要翻译： 提供一种制造方法，其包括在第一半导体芯片的正面上制造第一多个电功能互连件，并且在第一半导体芯片的背面上制造第一多个电气非功能互连。 另外的芯片可以堆叠在第一半导体芯片上。