公开(公告)号：US20080042269A1

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：US11465042

申请日：2006-08-16

申请人： Pao-Kang Niu ,  Chien-Jung Wang ,  Chang-Chun Lee

发明人： Pao-Kang Niu ,  Chien-Jung Wang ,  Chang-Chun Lee

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13008 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

摘要： A bump structure for bonding two substrates together includes a composite structure. The composite structure is formed over a first substrate. The composite structure includes at least one first polymer layer and at least one first metal-containing layer. The bump structure also includes a second metal-containing layer at least partially covering a top surface of the composite structure and extending from the top surface of the composite structure to a surface of the first substrate, wherein the second metal-containing layer is thinner than the first metal-containing layer.

摘要翻译： 用于将两个基板接合在一起的凸块结构包括复合结构。 复合结构形成在第一基板上。 复合结构包括至少一个第一聚合物层和至少一个第一含金属层。 凸起结构还包括至少部分地覆盖复合结构的顶表面并从复合结构的顶表面延伸到第一衬底的表面的第二含金属层，其中第二含金属层比 第一含金属层。

公开(公告)号：US20080122100A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11557372

申请日：2006-11-07

申请人： Pei-Haw Tsao ,  Liang-Chen Lin ,  Pao-Kang Niu ,  I-Tai Liu ,  Bill Kiang

发明人： Pei-Haw Tsao ,  Liang-Chen Lin ,  Pao-Kang Niu ,  I-Tai Liu ,  Bill Kiang

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/056 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14

摘要： An improved via arrangement for a bonding pad structure is disclosed comprising an array of vias surrounded by a line via. The line via provides a barrier to cracks in the dielectric layer encompassing the via array. Although cracks are able to spread relatively unhindered between the vias of the via array, they are blocked by the line via and thus can not spread to neighboring regions of the chip or wafer. The line via can be provided in a variety of shapes and dimensions, to suit a desired application. Additionally, due to its substantially uninterrupted length, the line via provides added strength to the bond pad.

摘要翻译： 公开了一种用于焊盘结构的改进的通孔布置，其包括由线路通孔包围的通孔阵列。 线路通孔提供对包围通孔阵列的介电层中的裂纹的屏障。 虽然裂纹能够在通孔阵列的通孔之间相对不受阻碍地扩散，但是它们被线通孔阻挡，因此不能扩散到芯片或晶片的相邻区域。 线路通孔可以以各种形状和尺寸提供，以适应期望的应用。 另外，由于其基本上不间断的长度，线路通孔为接合焊盘提供附加的强度。

公开(公告)号：US20080122086A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11592220

申请日：2006-11-03

申请人： Pei-Haw Tsao ,  Bill Kiang ,  Pao-Kang Niu ,  Liang-Chen Lin ,  I-Tai Liu

发明人： Pei-Haw Tsao ,  Bill Kiang ,  Pao-Kang Niu ,  Liang-Chen Lin ,  I-Tai Liu

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： Solder bump structures for semiconductor device packaging is provided. In one embodiment, a semiconductor device comprises a substrate having a bond pad and a first passivation layer formed thereabove, the first passivation layer having an opening therein exposing a portion of the bond pad. A metal pad layer is formed on a portion of the bond pad, wherein the metal pad layer contacts the bond pad. A second passivation layer is formed above the metal pad layer, the second passivation layer having an opening therein exposing a portion of the metal pad layer. A patterned and etched polyimide layer is formed on a portion of the metal pad layer and a portion of the second passivation layer. A conductive layer is formed above a portion of the etched polyimide layer and a portion of the metal pad layer, wherein the conductive layer contacts the metal pad layer. A conductive bump structure is connected to the conductive layer.

摘要翻译： 提供了用于半导体器件封装的焊接凸块结构。 在一个实施例中，半导体器件包括具有接合焊盘和在其上形成的第一钝化层的衬底，其中第一钝化层具有暴露焊接焊盘的一部分的开口。 在接合焊盘的一部分上形成金属焊盘层，其中金属焊盘层与接合焊盘接触。 第二钝化层形成在金属焊盘层的上方，第二钝化层在其中具有露出金属焊盘层的一部分的开口。 图案化和蚀刻的聚酰亚胺层形成在金属焊盘层的一部分和第二钝化层的一部分上。 在蚀刻的聚酰亚胺层的一部分和金属焊盘层的一部分上形成导电层，其中导电层与金属焊盘层接触。 导电凸块结构连接到导电层。

公开(公告)号：US20090140391A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US12042573

申请日：2008-03-05

申请人： Shang-Yun Hou ,  Chun-Hung Chen ,  Chia-Lun Tsai ,  Pao-Kang Niu ,  Shin-Puu Jeng

发明人： Shang-Yun Hou ,  Chun-Hung Chen ,  Chia-Lun Tsai ,  Pao-Kang Niu ,  Shin-Puu Jeng

IPC分类号： H01L23/02

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a first circuit, a first seal ring and at least one first notch. The first seal ring surrounds the first circuit. The first notch cuts the first seal ring. Specifically, the first notch includes an inner opening, an outer opening and a connecting groove. The inner opening is located on the inner side of the first seal ring. The outer opening is located on the outer side of the first seal ring. The outer opening and the inner opening are not aligned. The connecting groove connects the inner opening and the outer opening.

摘要翻译： 半导体器件包括第一电路，第一密封环和至少一个第一凹口。 第一密封环围绕第一回路。 第一个切口切割第一个密封圈。 具体而言，第一凹口包括内部开口，外部开口和连接凹槽。 内部开口位于第一密封环的内侧。 外部开口位于第一密封环的外侧。 外部开口和内部开口未对齐。 连接槽连接内部开口和外部开口。

公开(公告)号：US07148574B2

公开(公告)日：2006-12-12

申请号：US10824035

申请日：2004-04-14

申请人： Jian-Hsing Lee ,  Pao-Kang Niu ,  Ko-Yi Lee

发明人： Jian-Hsing Lee ,  Pao-Kang Niu ,  Ko-Yi Lee

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/60 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/45099

摘要： A bonding pad structure and fabrication method thereof. A bonding pad is substantially surrounded and insulated by a dielectric layer, wherein the bonding pad is formed of at least one first conductive layer having a wiring layer with a stripe layout and a first edge portion, a second conductive layer having a wire bonding portion and a second edge portion and a plurality of plugs electrically connecting the wiring layer and the wire bonding portion. A conductive structure of an array of metal plugs or a metal damascene structure is formed to connect the first edge portion and the second edge portion, thereby preventing burn out of the first edge portion during an ESD event.

摘要翻译： 一种焊盘结构及其制造方法。 接合焊盘基本上由电介质层包围和绝缘，其中焊盘由至少一个第一导电层形成，第一导电层具有带状布局的布线层和第一边缘部分，第二导电层具有引线接合部分， 第二边缘部分和电连接所述布线层和所述引线接合部分的多个插塞。 形成金属插塞或金属镶嵌结构阵列的导电结构以连接第一边缘部分和第二边缘部分，从而防止在ESD事件期间烧坏第一边缘部分。

公开(公告)号：US20050230847A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：US10824035

申请日：2004-04-14

申请人： Jian-Hsing Lee ,  Pao-Kang Niu ,  Ko-Yi Lee

发明人： Jian-Hsing Lee ,  Pao-Kang Niu ,  Ko-Yi Lee

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/60 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/45099

摘要： A bonding pad structure and fabrication method thereof. A bonding pad is substantially surrounded and insulated by a dielectric layer, wherein the bonding pad is formed of at least one first conductive layer having a wiring layer with a stripe layout and a first edge portion, a second conductive layer having a wire bonding portion and a second edge portion and a plurality of plugs electrically connecting the wiring layer and the wire bonding portion. A conductive structure of an array of metal plugs or a metal damascene structure is formed to connect the first edge portion and the second edge portion, thereby preventing burn out of the first edge portion during an ESD event.

摘要翻译： 一种焊盘结构及其制造方法。 焊盘基本上由电介质层包围和绝缘，其中焊盘由具有带状布局的布线层和第一边缘部分的至少一个第一导电层形成，第二导电层具有引线接合部分， 第二边缘部分和电连接所述布线层和所述引线接合部分的多个插塞。 形成金属插塞或金属镶嵌结构阵列的导电结构以连接第一边缘部分和第二边缘部分，从而防止在ESD事件期间烧坏第一边缘部分。

公开(公告)号：US20100164091A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12723433

申请日：2010-03-12

申请人： Pei-Haw Tsao ,  Bill Kiang ,  Liang-Chen Lin ,  Pao-Kang Niu ,  I-Tai Liu

发明人： Pei-Haw Tsao ,  Bill Kiang ,  Liang-Chen Lin ,  Pao-Kang Niu ,  I-Tai Liu

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/28 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： A system-in-package (SiP) package is provided. In one embodiment, the SiP package comprises a substrate having a first surface and a second surface opposite the first surface, the substrate having a set of bond wire studs on bond pads formed on the second surface thereof; a first semiconductor chip having a first surface and a second surface opposite the first surface, wherein the first surface of the first semiconductor chip is mounted to the second surface of the substrate by means of solder bumps; an underfill material disposed between the first semiconductor chip and the substrate, encapsulating the solder bumps; a second semiconductor chip having a first surface and a second surface opposite the first surface, wherein the first surface of the second semiconductor chip is mounted to the second surface of the first semiconductor chip; and a set of bond wires electrically coupled from the second semiconductor chip to the set of bond wire studs on the substrate.

摘要翻译： 提供系统级封装（SiP）封装。 在一个实施例中，SiP封装包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的衬底，衬底在其第二表面上形成的接合焊盘上具有一组接合线柱; 第一半导体芯片，具有与第一表面相对的第一表面和第二表面，其中第一半导体芯片的第一表面通过焊料凸块安装到基板的第二表面; 设置在所述第一半导体芯片和所述基板之间的底部填充材料，封装所述焊料凸块; 第二半导体芯片，具有与第一表面相对的第一表面和第二表面，其中第二半导体芯片的第一表面安装到第一半导体芯片的第二表面; 以及从第二半导体芯片电耦合到衬底上的一组接合线柱的一组接合线。

公开(公告)号：US07679180B2

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US11557372

申请日：2006-11-07

申请人： Pei-Haw Tsao ,  Liang-Chen Lin ,  Pao-Kang Niu ,  I-Tai Liu ,  Bill Kiang

发明人： Pei-Haw Tsao ,  Liang-Chen Lin ,  Pao-Kang Niu ,  I-Tai Liu ,  Bill Kiang

IPC分类号： H01L23/12 ,  H05K7/00 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/056 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14

摘要： An improved via arrangement for a bonding pad structure is disclosed comprising an array of vias surrounded by a line via. The line via provides a barrier to cracks in the dielectric layer encompassing the via array. Although cracks are able to spread relatively unhindered between the vias of the via array, they are blocked by the line via and thus can not spread to neighboring regions of the chip or wafer. The line via can be provided in a variety of shapes and dimensions, to suit a desired application. Additionally, due to its substantially uninterrupted length, the line via provides added strength to the bond pad.

摘要翻译： 公开了一种用于焊盘结构的改进的通孔布置，其包括由线路通孔包围的通孔阵列。 线路通孔提供对包围通孔阵列的介电层中的裂纹的屏障。 虽然裂纹能够在通孔阵列的通孔之间相对不受阻碍地扩散，但是它们被线通孔阻挡，因此不能扩散到芯片或晶片的相邻区域。 线路通孔可以以各种形状和尺寸提供，以适应期望的应用。 另外，由于其基本上不间断的长度，线路通孔为接合焊盘提供附加的强度。

公开(公告)号：US07659632B2

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：US11592220

申请日：2006-11-03

申请人： Pei-Haw Tsao ,  Bill Kiang ,  Pao-Kang Niu ,  Liang-Chen Lin ,  I-Tai Liu

发明人： Pei-Haw Tsao ,  Bill Kiang ,  Pao-Kang Niu ,  Liang-Chen Lin ,  I-Tai Liu

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： Solder bump structures for semiconductor device packaging is provided. In one embodiment, a semiconductor device comprises a substrate having a bond pad and a first passivation layer formed thereabove, the first passivation layer having an opening therein exposing a portion of the bond pad. A metal pad layer is formed on a portion of the bond pad, wherein the metal pad layer contacts the bond pad. A second passivation layer is formed above the metal pad layer, the second passivation layer having an opening therein exposing a portion of the metal pad layer. A patterned and etched polyimide layer is formed on a portion of the metal pad layer and a portion of the second passivation layer. A conductive layer is formed above a portion of the etched polyimide layer and a portion of the metal pad layer, wherein the conductive layer contacts the metal pad layer. A conductive bump structure is connected to the conductive layer.

摘要翻译： 提供了用于半导体器件封装的焊接凸块结构。 在一个实施例中，半导体器件包括具有接合焊盘和在其上形成的第一钝化层的衬底，其中第一钝化层具有暴露焊接焊盘的一部分的开口。 在接合焊盘的一部分上形成金属焊盘层，其中金属焊盘层与接合焊盘接触。 第二钝化层形成在金属焊盘层的上方，第二钝化层在其中具有露出金属焊盘层的一部分的开口。 图案化和蚀刻的聚酰亚胺层形成在金属焊盘层的一部分和第二钝化层的一部分上。 在蚀刻的聚酰亚胺层的一部分和金属焊盘层的一部分上形成导电层，其中导电层与金属焊盘层接触。 导电凸块结构连接到导电层。

公开(公告)号：US07602065B2

公开(公告)日：2009-10-13

申请号：US12042573

申请日：2008-03-05

申请人： Shang-Yun Hou ,  Chun-Hung Chen ,  Chia-Lun Tsai ,  Pao-Kang Niu ,  Shin-Puu Jeng

发明人： Shang-Yun Hou ,  Chun-Hung Chen ,  Chia-Lun Tsai ,  Pao-Kang Niu ,  Shin-Puu Jeng

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a first circuit, a first seal ring and at least one first notch. The first seal ring surrounds the first circuit. The first notch cuts the first seal ring. Specifically, the first notch includes an inner opening, an outer opening and a connecting groove. The inner opening is located on the inner side of the first seal ring. The outer opening is located on the outer side of the first seal ring. The outer opening and the inner opening are not aligned. The connecting groove connects the inner opening and the outer opening.

摘要翻译： 半导体器件包括第一电路，第一密封环和至少一个第一凹口。 第一密封环围绕第一回路。 第一个切口切割第一个密封圈。 具体而言，第一凹口包括内部开口，外部开口和连接凹槽。 内部开口位于第一密封环的内侧。 外部开口位于第一密封环的外侧。 外部开口和内部开口未对齐。 连接槽连接内部开口和外部开口。