公开(公告)号：US20110133338A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：US13027076

申请日：2011-02-14

申请人： Roden R. Topacio ,  Neil McLellan ,  Yip Seng Low ,  Andrew KW Leung

发明人： Roden R. Topacio ,  Neil McLellan ,  Yip Seng Low ,  Andrew KW Leung

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： Various semiconductor die conductor structures and methods of fabricating the same are provided. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes forming a conductor structure on a conductor pad of a semiconductor die. The conductor layer has a surface. A polymeric layer is formed on the surface of the conductor layer while a portion of the surface is left exposed. A solder structure is formed on the exposed portion of the surface and a portion of the polymeric layer.

摘要翻译： 提供各种半导体管芯导体结构及其制造方法。 一方面，提供一种制造方法，其包括在半导体管芯的导体焊盘上形成导体结构。 导体层具有表面。 在导体层的表面上形成聚合物层，同时使表面的一部分露出。 在表面的暴露部分和聚合物层的一部分上形成焊料结构。

公开(公告)号：US20090032940A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US11832486

申请日：2007-08-01

申请人： Roden R. Topacio ,  Neil McLellan ,  Yip Seng Low ,  Andrew KW Leung

发明人： Roden R. Topacio ,  Neil McLellan ,  Yip Seng Low ,  Andrew KW Leung

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/44 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： Various semiconductor die conductor structures and methods of fabricating the same are provided. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes forming a conductor structure on a conductor pad of a semiconductor die. The conductor layer has a surface. A polymeric layer is formed on the surface of the conductor layer while a portion of the surface is left exposed. A solder structure is formed on the exposed portion of the surface and a portion of the polymeric layer.

摘要翻译： 提供各种半导体管芯导体结构及其制造方法。 一方面，提供一种制造方法，其包括在半导体管芯的导体焊盘上形成导体结构。 导体层具有表面。 在导体层的表面上形成聚合物层，同时使表面的一部分露出。 在表面的暴露部分和聚合物层的一部分上形成焊料结构。

公开(公告)号：US20130062786A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：US13229687

申请日：2011-09-10

申请人： Andrew KW Leung ,  Roden R. Topacio ,  Yu-Ling Hsieh ,  Yip Seng Low

发明人： Andrew KW Leung ,  Roden R. Topacio ,  Yu-Ling Hsieh ,  Yip Seng Low

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81401 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/05552

摘要： Various substrates or circuit boards for receiving a semiconductor chip and methods of processing the same are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes forming a first opening in a solder mask positioned on a side of a substrate. The first opening does not extend to the side. A second opening is formed in the solder mask that extends to the side. The first opening may serve as an underfill anchor site.

摘要翻译： 公开了用于接收半导体芯片的各种基板或电路板及其处理方法。 一方面，提供了一种制造方法，其包括在位于基板的侧面上的焊料掩模中形成第一开口。 第一个开口不延伸到一边。 在向侧面延伸的焊料掩模中形成第二开口。 第一个开口可以作为底部填充锚点。

公开(公告)号：US08294266B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US13027076

申请日：2011-02-14

申请人： Roden R. Topacio ,  Neil McLellan ,  Yip Seng Low ,  Andrew K W Leung

发明人： Roden R. Topacio ,  Neil McLellan ,  Yip Seng Low ,  Andrew K W Leung

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： Various semiconductor die conductor structures and methods of fabricating the same are provided. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes forming a conductor structure on a conductor pad of a semiconductor die. The conductor layer has a surface. A polymeric layer is formed on the surface of the conductor layer while a portion of the surface is left exposed. A solder structure is formed on the exposed portion of the surface and a portion of the polymeric layer.

摘要翻译： 提供各种半导体管芯导体结构及其制造方法。 一方面，提供一种制造方法，其包括在半导体管芯的导体焊盘上形成导体结构。 导体层具有表面。 在导体层的表面上形成聚合物层，同时使表面的一部分露出。 在表面的暴露部分和聚合物层的一部分上形成焊料结构。

公开(公告)号：US07906424B2

公开(公告)日：2011-03-15

申请号：US11832486

申请日：2007-08-01

申请人： Roden R. Topacio ,  Neil McLellan ,  Yip Seng Low ,  Andrew K W Leung

发明人： Roden R. Topacio ,  Neil McLellan ,  Yip Seng Low ,  Andrew K W Leung

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： Various semiconductor die conductor structures and methods of fabricating the same are provided. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes forming a conductor structure on a conductor pad of a semiconductor die. The conductor layer has a surface. A polymeric layer is formed on the surface of the conductor layer while a portion of the surface is left exposed. A solder structure is formed on the exposed portion of the surface and a portion of the polymeric layer.

摘要翻译： 提供各种半导体管芯导体结构及其制造方法。 一方面，提供一种制造方法，其包括在半导体管芯的导体焊盘上形成导体结构。 导体层具有表面。 在导体层的表面上形成聚合物层，同时使表面的一部分露出。 在表面的暴露部分和聚合物层的一部分上形成焊料结构。

公开(公告)号：US20130113084A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13289761

申请日：2011-11-04

申请人： Roden R. Topacio ,  Neil McLellan ,  Yip Seng Low ,  Jianguo Li

发明人： Roden R. Topacio ,  Neil McLellan ,  Yip Seng Low ,  Jianguo Li

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

摘要： Various semiconductor substrates and methods of processing the same are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes mounting a first semiconductor chip on a side of a first substrate. The first substrate has at least one thru-silicon-via. An insulating layer is molded on the side of the first substrate. The insulating layer provides a support structure to enable handling of the first substrate.

摘要翻译： 公开了各种半导体衬底及其处理方法。 一方面，提供了一种制造方法，其包括将第一半导体芯片安装在第一基板的一侧上。 第一衬底具有至少一个贯通硅通孔。 在第一基板的侧面上模制绝缘层。 绝缘层提供支撑结构以能够处理第一基板。

公开(公告)号：US20120120615A1

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：US13356421

申请日：2012-01-23

申请人： Andrew KW Leung ,  Neil McLellan ,  Yip Seng Low

发明人： Andrew KW Leung ,  Neil McLellan ,  Yip Seng Low

IPC分类号： H05K7/00 ,  H05K3/00 ,  H05K3/30 ,  H05K1/11

CPC分类号： H01L23/49822 ,  H01L21/486 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15311 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2924/00

摘要： Various circuit boards and methods of manufacturing the same are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes forming a first interconnect layer of a circuit board. The first interconnect layer includes a first conductor trace with a first segment that does not include a via land. A first via is formed on the first segment.

摘要翻译： 公开了各种电路板及其制造方法。 一方面，提供一种制造方法，包括形成电路板的第一互连层。 第一互连层包括具有不包括通孔焊盘的第一段的第一导体迹线。 第一通道形成在第一段上。

公开(公告)号：US20150279794A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：US14242008

申请日：2014-04-01

申请人： Roden R. Topacio ,  Suming Hu ,  Yip Seng Low

发明人： Roden R. Topacio ,  Suming Hu ,  Yip Seng Low

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/03903 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/085 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16221 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/165 ,  H01L2224/17104 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/12042 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/4629 ,  H05K3/4644 ,  H05K3/4682 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012

摘要： Various semiconductor chip solder bump and underbump metallization (UBM) structures and methods of making the same are disclosed. In one aspect, a method is provided that includes forming a first underbump metallization layer on a semiconductor chip is provided. The first underbump metallization layer has a hub, a first portion extending laterally from the hub, and a spoke connecting the hub to the first portion. A polymer layer is applied to the first underbump metallization layer. The polymer layer includes a first opening in alignment with the hub and a second opening in alignment with the spoke. A portion of the spoke is removed via the second opening to sever the connection between the hub and the first portion.

摘要翻译： 公开了各种半导体芯片焊料凸块和底部金属化（UBM）结构及其制造方法。 一方面，提供了一种方法，其包括在半导体芯片上形成第一底部金属化层。 第一底部浸渍金属化层具有毂，从轮毂横向延伸的第一部分和将轮毂连接到第一部分的辐条。 将聚合物层施加到第一底部金属化层。 聚合物层包括与轮毂对准的第一开口和与轮辐对准的第二开口。 轮辐的一部分经由第二开口移除以切断轮毂与第一部分之间的连接。

公开(公告)号：US20100155938A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12339759

申请日：2008-12-19

申请人： Liane Martinez ,  Roden R. Topacio ,  Yip Seng Low

发明人： Liane Martinez ,  Roden R. Topacio ,  Yip Seng Low

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60 ,  G06F19/00

CPC分类号： G06F17/5068 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/525 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0333 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/92127 ,  H01L2224/92163 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： An integrated circuit (IC) product includes a redistribution layer (RDL) having at least one conductive layer configured to distribute electrical information from one location to another location in the IC. The RDL also includes a plurality of wire bond pads and a plurality of solder pads. The plurality of solder pads each includes a solder wettable material that is in direct electrical communication with the RDL.

摘要翻译： 集成电路（IC）产品包括具有至少一个导电层的再分配层（RDL），该导电层被配置为将电信息从一个位置分配到IC中的另一个位置。 RDL还包括多个引线接合焊盘和多个焊盘。 多个焊盘各自包括与RDL直接电连通的焊料可润湿材料。

公开(公告)号：US20110057307A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：US12557336

申请日：2009-09-10

申请人： Roden R. Topacio ,  Yip Seng Low

发明人： Roden R. Topacio ,  Yip Seng Low

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49838 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03612 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： Various semiconductor chip input/output structures and methods of making the same are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes forming a first conductor structure on a first side of a semiconductor chip and forming a second conductor structure in electrical contact with the first conductor structure. The second conductor structure is adapted to be coupled to a solder structure and includes a stair arrangement that has at least two treads.

摘要翻译： 公开了各种半导体芯片输入/输出结构及其制造方法。 一方面，提供一种制造方法，其包括在半导体芯片的第一侧上形成第一导体结构，并形成与第一导体结构电接触的第二导体结构。 第二导体结构适于耦合到焊料结构并且包括具有至少两个胎面的楼梯布置。