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    Electroplating apparatus for tailored uniformity profile
    1.
    发明授权
    Electroplating apparatus for tailored uniformity profile 有权
    用于定制均匀性曲线的电镀设备

    公开(公告)号：US08858774B2

    公开(公告)日：2014-10-14

    申请号：US13438443

    申请日：2012-04-03

    申请人： Steven T. Mayer ,  David W. Porter ,  Bryan L. Buckalew ,  Robert Rash

    发明人： Steven T. Mayer ,  David W. Porter ,  Bryan L. Buckalew ,  Robert Rash

    IPC分类号： C25D17/00 ,  C25D21/12 ,  C25D7/12 ,  C25D5/18 ,  H01L21/288 ,  C25D17/12 ,  C25D21/10 ,  H01L21/768

    CPC分类号： C25D5/00 ,  C25D5/04 ,  C25D5/18 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/002 ,  C25D17/007 ,  C25D17/008 ,  C25D17/06 ,  C25D17/12 ,  C25D21/10 ,  C25D21/12 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76873

    摘要： Methods of electroplating metal on a substrate while controlling azimuthal uniformity, include, in one aspect, providing the substrate to the electroplating apparatus configured for rotating the substrate during electroplating, and electroplating the metal on the substrate while rotating the substrate relative to a shield such that a selected portion of the substrate at a selected azimuthal position dwells in a shielded area for a different amount of time than a second portion of the substrate having the same average arc length and the same average radial position and residing at a different angular (azimuthal) position. For example, a semiconductor wafer substrate can be rotated during electroplating slower or faster, when the selected portion of the substrate passes through the shielded area.

    摘要翻译： 在一方面，在控制方位均匀性的同时，在基板上电镀金属的方法包括在电镀期间为电镀设备提供基板，该电镀设备被配置为在电镀期间旋转基板，以及在将基板相对于屏蔽件旋转的同时使金属电镀， 在选择的方位角位置的衬底的选定部分在屏蔽区域中停留不同于具有相同平均弧长和相同平均径向位置并且位于不同角度（方位角）处的基底的第二部分的时间量， 位置。 例如，当基板的选定部分通过屏蔽区域时，半导体晶片基板可以在电镀期间更快或更快地旋转。

    METHODS AND APPARATUSES FOR CLEANING ELECTROPLATING SUBSTRATE HOLDERS
    3.
    发明申请
    METHODS AND APPARATUSES FOR CLEANING ELECTROPLATING SUBSTRATE HOLDERS 审中-公开
    清洗电镀基板支架的方法和装置

    公开(公告)号：US20130292254A1

    公开(公告)日：2013-11-07

    申请号：US13852767

    申请日：2013-03-28

    申请人： Santosh Kumar ,  Bryan L. Buckalew ,  Steven T. Mayer ,  Thomas Ponnuswamy ,  Chad Michael Hosack ,  Robert Rash ,  Lee Peng Chua ,  David Porter

    发明人： Santosh Kumar ,  Bryan L. Buckalew ,  Steven T. Mayer ,  Thomas Ponnuswamy ,  Chad Michael Hosack ,  Robert Rash ,  Lee Peng Chua ,  David Porter

    IPC分类号： C25D17/00

    CPC分类号： B08B3/022 ,  B08B3/041 ,  C25D7/12 ,  C25D17/00 ,  C25D17/001 ,  C25D21/00 ,  C25D21/12 ,  H01L21/67051

    摘要： Disclosed herein are methods of cleaning a lipseal and/or cup bottom of an electroplating device by removing metal deposits accumulated in prior electroplating operations. The methods may include orienting a nozzle such that it is pointed substantially at the inner circular edge of the lipseal and/or cup bottom, and dispensing a stream of cleaning solution from the nozzle such that the stream contacts the inner circular edge of the lipseal and/or cup bottom while they are being rotated, removing metal deposits. In some embodiments, the stream has a velocity component against the rotational direction of the lipseal and/or cup bottom. In some embodiments, the deposits may include a tin/silver alloy. Also disclosed herein are cleaning apparatuses for mounting in electroplating devices and for removing electroplated metal deposits from their lipseals and/or cup bottoms. In some embodiments, the cleaning apparatuses may include a jet nozzle.

    摘要翻译： 本文公开了通过去除在现有电镀操作中积累的金属沉积物来清洁电镀装置的唇密封和/或杯底的方法。 所述方法可以包括使喷嘴定向成使得其基本上指向唇密封件和/或杯底部的内圆形边缘，并且从喷嘴分配清洁溶液流，使得流接触唇塞的内圆形边缘，并且 /或杯底，同时旋转，去除金属沉积物。 在一些实施例中，流具有抵抗唇密封和/或杯底的旋转方向的速度分量。 在一些实施例中，沉积物可以包括锡/银合金。 本文还公开了用于安装在电镀装置中并用于从其密封件和/或杯底部去除电镀金属沉积物的清洁装置。 在一些实施例中，清洁设备可以包括喷嘴。

    PULSE SEQUENCE FOR PLATING ON THIN SEED LAYERS
    10.
    发明申请
    PULSE SEQUENCE FOR PLATING ON THIN SEED LAYERS 有权
    用于涂覆薄层层的脉冲序列

    公开(公告)号：US20100300888A1

    公开(公告)日：2010-12-02

    申请号：US12786329

    申请日：2010-05-24

    申请人： Thomas A. Ponnuswamy ,  Bryan Pennington ,  Clifford Berry ,  Bryan L. Buckalew ,  Steven T. Mayer

    发明人： Thomas A. Ponnuswamy ,  Bryan Pennington ,  Clifford Berry ,  Bryan L. Buckalew ,  Steven T. Mayer

    IPC分类号： C25D7/12 ,  C25D21/12 ,  C25D3/38

    CPC分类号： C25D7/123 ,  C25D3/38 ,  C25D5/18 ,  C25D17/001

    摘要： A plating protocol is employed to control plating of metal onto a wafer comprising a conductive seed layer. Initially, the protocol employs cathodic protection as the wafer is immersed in the plating solution. In certain embodiments, the current density of the wafer is constant during immersion. In a specific example, potentiostatic control is employed to produce a current density in the range of about 1.5 to 20 mA/cm2. The immersion step is followed by a high current pulse step. During bottom up fill inside the features of the wafer, a constant current or a current with a micropulse may be used. This protocol may protect the seed from corrosion while enhancing nucleation during the initial stages of plating.

    摘要翻译： 使用电镀方案来控制金属镀在包含导电种子层的晶片上。 最初，当晶片浸入电镀溶液中时，协议采用阴极保护。 在某些实施例中，晶片的电流密度在浸入期间是恒定的。 在具体实例中，使用恒电位控制来产生约1.5至20mA / cm 2范围内的电流密度。 浸没步骤之后是高电流脉冲步骤。 在向下填充晶片的特征内部时，可以使用恒定电流或具有微脉冲的电流。 该方案可以保护种子免受腐蚀，同时在电镀初始阶段增强成核。