公开(公告)号：US5313451A

公开(公告)日：1994-05-17

申请号：US942821

申请日：1992-09-10

申请人： Takayuki Yagi ,  Toshiyuki Komatsu

发明人： Takayuki Yagi ,  Toshiyuki Komatsu

IPC分类号： G01B7/34 ,  G01D9/00 ,  G01Q20/04 ,  G01Q30/06 ,  G01Q60/10 ,  G01Q80/00 ,  G11B9/00 ,  G11B9/14 ,  G11B11/08 ,  G11B21/02 ,  G11B21/21 ,  H01J37/28

CPC分类号： G01D9/00 ,  G11B11/08 ,  G11B21/02 ,  G11B21/21 ,  G11B9/1436 ,  B82Y10/00 ,  G01Q20/04 ,  Y10S977/947

摘要： An apparatus for relatively moving a probe facing an information carrier and recording information on and/or reproducing information from the information carrier with the probe provided with a detector for detecting an error in the probe.

摘要翻译： 一种用于相对移动面向信息载体的探针的装置，并且在具有用于检测探针中的错误的检测器的探针上从信息载体记录信息和/或再现信息的装置。

公开(公告)号：US5490896A

公开(公告)日：1996-02-13

申请号：US395472

申请日：1995-02-28

申请人： Takayuki Yagi ,  Toshiyuki Komatsu ,  Yasue Sato ,  Shinichi Kawate

发明人： Takayuki Yagi ,  Toshiyuki Komatsu ,  Yasue Sato ,  Shinichi Kawate

IPC分类号： G03F1/68 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  B44C1/22

CPC分类号： G03F1/68 ,  G03F7/16 ,  G03F7/167 ,  G03F7/2043 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  Y10S438/908 ,  Y10T29/41

摘要： A photomask or a light-shielding member has a support capable of transmitting light, a light-shielding pattern which shields the light and a light absorbing member provided corresponding to the light-shielding pattern. In one aspect, the light-shielding pattern and the light absorbing member are provided on the same side of the support. In another aspect, the light-shielding pattern and the light absorbing member are provided with the support sandwiched therebetween.

摘要翻译： 光掩模或遮光构件具有能够透光的支撑体，屏蔽光的遮光图案和对应于遮光图案设置的光吸收构件。 一方面，遮光图案和光吸收构件设置在支撑体的同一侧。 在另一方面，遮光图案和光吸收构件设置有夹在其间的支撑。

公开(公告)号：US5413664A

公开(公告)日：1995-05-09

申请号：US275757

申请日：1994-07-20

申请人： Takayuki Yagi ,  Toshiyuki Komatsu ,  Yasue Sato ,  Shinichi Kawate

发明人： Takayuki Yagi ,  Toshiyuki Komatsu ,  Yasue Sato ,  Shinichi Kawate

IPC分类号： G03F1/68 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3065 ,  B44C1/22 ,  C23F1/02

CPC分类号： G03F1/68 ,  G03F7/16 ,  G03F7/167 ,  G03F7/2043 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  Y10S438/908 ,  Y10T29/41

摘要： A process for forming an etching pattern, which includes selectively irradiating a light to a clean surface of a material to be worked by etching so as to form radicals from a photoradical forming substance in an atmosphere of the substance, forming a modified portion having an etching resistance at a photo-irradiated portion of the surface, and then subjecting an unmodified portion of the surface of the material to be worked to an etching treatment, thereby forming an etching pattern corresponding to a pattern formed by the irradiation.

摘要翻译： 一种用于形成蚀刻图案的工艺，其包括通过蚀刻选择性地将光照射到待加工材料的清洁表面，以在物质的气氛中从光自由基形成物质形成自由基，形成具有蚀刻的改性部分 在表面的光照射部分的电阻，然后对被处理材料的未修饰部分进行蚀刻处理，从而形成与通过照射形成的图案相对应的蚀刻图案。

公开(公告)号：US5344522A

公开(公告)日：1994-09-06

申请号：US13180

申请日：1993-01-29

申请人： Takayuki Yagi ,  Toshiyuki Komatsu ,  Yasue Sato ,  Shinichi Kawate

发明人： Takayuki Yagi ,  Toshiyuki Komatsu ,  Yasue Sato ,  Shinichi Kawate

IPC分类号： G03F1/68 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  B44C1/22 ,  C23F1/00

CPC分类号： G03F1/68 ,  G03F7/16 ,  G03F7/167 ,  G03F7/2043 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  Y10S438/908 ,  Y10T29/41

摘要： A process for forming an etching pattern, which includes selectively irradiating a light to a clean surface of a material to be worked by etching so as to form radicals from a photoradical forming substance in an atmosphere of the substance, forming a modified portion having an etching resistance at a photo-irradiated portion of the surface, and then subjecting an unmodified portion of the surface of the material to be worked to an etching treatment, thereby forming an etching pattern corresponding to a pattern formed by the irradiation.

摘要翻译： 一种用于形成蚀刻图案的工艺，其包括通过蚀刻选择性地将光照射到待加工材料的清洁表面，以在物质的气氛中从光自由基形成物质形成自由基，形成具有蚀刻的改性部分 在表面的光照射部分的电阻，然后对被处理材料的未修饰部分进行蚀刻处理，从而形成与通过照射形成的图案相对应的蚀刻图案。

公开(公告)号：US5490132A

公开(公告)日：1996-02-06

申请号：US7000

申请日：1993-01-21

申请人： Takayuki Yagi ,  Toshiyuki Komatsu ,  Katsunori Hatanaka ,  Toshihiko Miyazaki

发明人： Takayuki Yagi ,  Toshiyuki Komatsu ,  Katsunori Hatanaka ,  Toshihiko Miyazaki

IPC分类号： G01Q60/00 ,  G01Q60/10 ,  G01Q80/00 ,  G11B9/00 ,  G11B9/14

CPC分类号： G11B9/1454 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1436 ,  B82Y10/00 ,  G01Q70/06 ,  G01Q80/00 ,  Y10S977/874 ,  Y10S977/947

摘要： An apparatus for inputting and/or outputting information includes a plurality of probes arranged at positions respectively facing each of the plural blocks which carry information, a device for enabling the plurality of probes to respectively perform tracking independently, and a device for inputting information to and/or outputting information from the information carrier by the use of the aforesaid probes.

摘要翻译： 一种用于输入和/或输出信息的装置，包括：多个探针，其布置在分别面向携带信息的多个块中的每一个的位置处;多个探针独立地分别执行跟踪的装置;以及用于输入和/ /或通过使用上述探针从信息载体输出信息。

公开(公告)号：US07439454B2

公开(公告)日：2008-10-21

申请号：US10561388

申请日：2005-03-11

申请人： Toshiyuki Komatsu ,  Yukio Wakasa

发明人： Toshiyuki Komatsu ,  Yukio Wakasa

IPC分类号： B65G27/08 ,  G01G19/387

CPC分类号： B65G27/08

摘要： A transport apparatus that enables a trough to be easily removed in one step, and a combination weighing apparatus provided with the same are provided. The transport apparatus includes a trough and a reciprocating movement mechanism, and is configured to convey an article placed in the trough in a predetermined direction. The reciprocating movement mechanism includes a motor box, and a support member. The trough has one of a protruding part and a depressed part, while the support member had the other of the protruding part and the depressed part. The motor is configured to move the trough via the support member along the conveyance direction such that the trough moves faster in a direction opposite the conveyance direction than in the conveyance direction. The protruding part is removably connected to the depressed part.

摘要翻译： 提供一种能够在一个步骤中容易地移除槽的输送装置，以及具有该槽的组合称重装置。 输送装置包括槽和往复运动机构，并且构造成沿预定方向输送放置在槽中的物品。 往复运动机构包括电动机箱和支撑构件。 槽具有突出部和凹部中的一个，而支撑构件具有突出部和凹部中的另一个。 马达构造成沿着输送方向经由支撑构件移动槽，使得槽沿与输送方向相反的方向移动得更快。 突出部分可拆卸地连接到凹陷部分。

公开(公告)号：US6025115A

公开(公告)日：2000-02-15

申请号：US429288

申请日：1995-04-25

申请人： Toshiyuki Komatsu ,  Yasue Sato ,  Shin-Ichi Kawate

发明人： Toshiyuki Komatsu ,  Yasue Sato ,  Shin-Ichi Kawate

IPC分类号： C23C16/04 ,  G03F1/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/36 ,  G03F7/38 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/285 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/316 ,  H01L21/32 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/02071 ,  C23C16/047 ,  G03F1/68 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/2043 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/265 ,  G03F7/36 ,  G03F7/38 ,  G03F7/7005 ,  G03F7/70841 ,  G03F7/70866 ,  G03F7/70875 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/32 ,  H01L21/321 ,  H01L21/32139 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0042

摘要： A processing method for etching a substrate is described. This method includes subjecting a surface of a substrate to be processed to selective irradiation with a light in a gas atmosphere to form a surface-modified layer. The substrate surface with the surface-modified layer is then annealed to stabilize and make the surface-modified layer more etch resistant. Both the stabilized surface-modified layer and a non-modified portion of the substrate are then subjected to dry etching, thereby utilizing the higher resistance to dry etching of the stabilized surface-modified layer compared to the non-modified portion to selectively etch the non-modified portion to a desired depth.

摘要翻译： 对基板的蚀刻处理方法进行说明。 该方法包括使待处理的基板的表面经受气体气氛中的光的选择性照射，以形成表面改性层。 然后将具有表面改性层的衬底表面退火以稳定并使表面改性层更耐蚀刻。 然后将稳定化的表面改性层和基底的未改性部分进行干蚀刻，从而与未改性部分相比，利用较稳定的表面改性层的干蚀刻的较高电阻以选择性地蚀刻非 - 改变的部分到期望的深度。

公开(公告)号：US5863706A

公开(公告)日：1999-01-26

申请号：US429287

申请日：1995-04-25

申请人： Toshiyuki Komatsu ,  Yasue Sato ,  Shin-Ichi Kawate

发明人： Toshiyuki Komatsu ,  Yasue Sato ,  Shin-Ichi Kawate

IPC分类号： C23C16/04 ,  G03F1/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/36 ,  G03F7/38 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/285 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/316 ,  H01L21/32 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/02071 ,  C23C16/047 ,  G03F1/68 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/2043 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/265 ,  G03F7/36 ,  G03F7/38 ,  G03F7/7005 ,  G03F7/70841 ,  G03F7/70866 ,  G03F7/70875 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/32 ,  H01L21/321 ,  H01L21/32139 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0042

摘要： A processing method is described which has a first step of depositing on a substrate a specimen film which may be any one of a semiconductor, a metal and a insulator.In a second step, the surface of the specimen film deposited in the first step, is irradiated with an ion beam to produce a physical damage on the surface, next, in a third step, the damaged specimen film surface is selectively irradiated with the light to partially cause a photochemical reaction so that a mask pattern, which depends on the desired device structure, is formed on the film surface. Finally, in a fourth step, photoetching is performed using the mask pattern formed in the third step as a shielding member.

摘要翻译： 描述了一种处理方法，其具有在基板上沉积可以是半导体，金属和绝缘体中的任何一个的试样膜的第一步骤。 在第二步骤中，在第一步骤中沉积的样品膜的表面用离子束照射以在表面上产生物理损伤，接下来，在第三步骤中，损伤的样品膜表面被选择性地照射光 以部分地引起光化学反应，使得在膜表面上形成取决于期望的器件结构的掩模图案。 最后，在第四步骤中，使用在第三步骤中形成的掩模图案作为屏蔽部件进行光刻。

公开(公告)号：US5714306A

公开(公告)日：1998-02-03

申请号：US428431

申请日：1995-04-25

申请人： Toshiyuki Komatsu ,  Yasue Sato ,  Shin-Ichi Kawate

发明人： Toshiyuki Komatsu ,  Yasue Sato ,  Shin-Ichi Kawate

IPC分类号： C23C16/04 ,  G03F1/68 ,  G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/36 ,  G03F7/38 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/285 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/316 ,  H01L21/32 ,  H01L21/3213

CPC分类号： G03F1/68 ,  C23C16/047 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/2043 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/265 ,  G03F7/36 ,  G03F7/38 ,  G03F7/7005 ,  G03F7/70841 ,  G03F7/70866 ,  G03F7/70875 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/32 ,  H01L21/32139 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0042

摘要： A processing method comprises: a first step of depositing on a substrate which is a specimen a film of any one of a semiconductor, a metal and an insulator; a second step of subjecting the surface of the film deposited in the first step, to irradiation with a beam having a given energy to produce a physical damage on the surface; a third step of subjecting the film surface on which the physical damage is produced in the second step, to selective irradiation with light to partially cause a photochemical reaction so that a mask pattern depending on the desired device structure is formed on the film surface; and a fourth step of carrying out photoetching using as a shielding member the mask pattern formed in the third step.

公开(公告)号：US5576060A

公开(公告)日：1996-11-19

申请号：US487561

申请日：1995-06-07

申请人： Yutaka Hirai ,  Toshiyuki Komatsu ,  Katsumi Nakagawa

发明人： Yutaka Hirai ,  Toshiyuki Komatsu ,  Katsumi Nakagawa

IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C14/16 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509 ,  G03G5/082 ,  H01L31/09 ,  H01L31/20 ,  C23C16/00 ,  B05D3/06

CPC分类号： C23C14/16 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0057 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509 ,  G03G5/08221 ,  G03G5/08228 ,  G03G5/08242 ,  G03G5/08278 ,  H01L31/095 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： A CVD process of forming a hydrogenated amorphous silicon film comprising not more than 40 atomic percent of hydrogen atoms is disclosed, which comprises introducing a silicon-containing gas and a gas containing impurity for controlling conductivity of said film into a film-forming space, wherein the concentration of the gas containing the impurity is controlled during film formation to vary the content of the impurity in the thickness direction of the amorphous silicon film.

摘要翻译： 公开了形成不超过40原子％氢原子的氢化非晶硅膜的CVD工艺，其包括将含硅气体和含有杂质的气体导入到成膜空间中，其中所述杂质用于控制所述膜的导电性，其中 在成膜期间控制含有杂质的气体的浓度以改变非晶硅膜的厚度方向上杂质的含量。