公开(公告)号：WO2018194978A1

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：PCT/US2018/027789

申请日：2018-04-16

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： ARNEPALLI, Ranga Rao ,  THAKARE, Darshan ,  MALLICK, Abhijit Basu ,  MANNA, Pramit ,  VISSER, Robert Jan ,  BAGUL, Nilesh Chimanrao

IPC: H01L21/768

CPC classification number: C23C16/4486 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02153 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02271

Abstract: Systems and methods for forming films on the surface of a substrate are described. The systems possess aerosol generators which form droplets from a liquid solution made from a solvent and a deposition precursor. A carrier gas may be flowed through the liquid solution and push the droplets toward a substrate placed in a substrate processing region. The droplets pass into the substrate processing region and chemically react with the substrate to form films. The temperature of the substrate may be maintained below the boiling temperature of the solvent during film formation. The solvent imparts a flowability to the forming film and enable the depositing film to flow along the surface of a patterned substrate during formation prior to solidifying. The flowable film results in bottom-up gapfill inside narrow high-aspect ratio gaps in the patterned substrate.

公开(公告)号：WO2017049145A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：PCT/US2016/052227

申请日：2016-09-16

Applicant: TOKYO ELECTRON LIMITED ,  TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.

Inventor： TAPILY, Kandabara N. ,  CLARK, Robert D. ,  CONSIGLIO, Steven P. ,  WAJDA, Cory ,  LEUSINK, Gerrit J.

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28255 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L29/161 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: A germanium-containing semiconductor device and a method for forming a germanium-containing semiconductor device are described. The method includes providing a germanium-containing substrate, depositing an aluminum-containing diffusion barrier layer on the germanium-containing substrate, depositing a high-k layer on the aluminum-containing diffusion barrier layer, and exposing the high-k layer to atomic oxygen to reduce the equivalent oxide thickness (EOT) of the high-k layer while avoiding oxidizing the germanium-containing substrate. The germanium-containing semiconductor device includes a germanium-containing substrate, an aluminum-containing diffusion barrier layer on the germanium-containing substrate, and a high-k layer on the aluminum-containing diffusion barrier layer, where the high-k layer has been exposed to atomic oxygen to reduce the EOT of the high-k layer while avoiding oxidizing the germanium-containing substrate.

Abstract translation: 描述了含锗的半导体器件和用于形成含锗的半导体器件的方法。 该方法包括提供含锗衬底，在含锗衬底上沉积含铝扩散阻挡层，在含铝扩散阻挡层上沉积高k层，并将高k层暴露于原子氧 以降低高k层的等效氧化物厚度（EOT），同时避免氧化含锗衬底。 含锗半导体器件包括含锗衬底，含锗衬底上的含铝扩散阻挡层和含铝扩散阻挡层上的高k层，其中高k层已经 暴露于原子氧以降低高k层的EOT，同时避免氧化含锗基底。

公开(公告)号：WO2016209219A1

公开(公告)日：2016-12-29

申请号：PCT/US2015/037326

申请日：2015-06-24

Applicant: INTEL CORPORATION

Inventor： GLASS, Glenn A. ,  PANG, Ying ,  MURTHY, Anand S. ,  GHANI, Tahir ,  JAMBUNATHAN, Karthik

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78696

Abstract: Techniques are disclosed for reducing off-state leakage of fin-based transistors through the use of a sub-fin passivation layer. In some cases, the techniques include forming sacrificial fins in a bulk silicon substrate and depositing and planarizing shallow trench isolation (STI) material, removing and replacing the sacrificial silicon fins with a replacement material (e.g., SiGe or III-V material), removing at least a portion of the STI material to expose the sub-fin areas of the replacement fins, applying a passivating layer/treatment/agent to the exposed sub-fins, and re-depositing and planarizing additional STI material. Standard transistor forming processes can then be carried out to complete the transistor device. The techniques generally provide the ability to add arbitrary passivation layers for structures that are grown in STI-based trenches. The passivation layer inhibits sub-fin source-to-drain (and drain-to-source) current leakage.

Abstract translation: 公开了通过使用亚翅片钝化层来减少鳍状晶体管的截止状态泄漏的技术。 在一些情况下，这些技术包括在体硅衬底中形成牺牲翅片并沉积和平坦化浅沟槽隔离（STI）材料，用替换材料（例如SiGe或III-V材料）去除和替换牺牲硅散热片，去除 STI材料的至少一部分以暴露替代翅片的副鳍片区域，向暴露的子鳍片施加钝化层/处理剂/试剂，以及重新沉积和平坦化另外的STI材料。 然后可以执行标准晶体管形成工艺以完成晶体管器件。 这些技术通常提供为在基于STI的沟槽中生长的结构添加任意钝化层的能力。 钝化层抑制子鳍源极到漏极（和漏极到源极）的电流泄漏。

公开(公告)号：WO2015142053A1

公开(公告)日：2015-09-24

申请号：PCT/KR2015/002628

申请日：2015-03-18

Applicant: 주식회사 유진테크 머티리얼즈

Inventor： 이근수 ,  이윤영 ,  이영민

IPC: C07F7/30 ,  C07C211/14 ,  C23C14/26

CPC classification number: H01L21/02205 ,  C07F7/30 ,  C23C16/28 ,  C23C16/303 ,  C23C16/34 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 청구항 1 기재의 화학식 1로 표시되는 유기 게르마늄 아민 화합물 및 이 화합물을 전구체로서 이용하는 막 형성 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 상기 화합물을 전구체로서 사용하면 게르마늄 산화물막, 게르마늄 질화물막, 금속 게르마늄 산화물막, 또는 금속 게르마늄 질화물막 등을 효과적으로 증착 형성할 수 있다.

Abstract translation: 公开了由权利要求1所述的化学式1表示的有机锗胺化合物和使用该化合物作为前体的成膜方法。 当根据本发明的化合物用作前体时，可以通过沉积有效地形成氧化锗膜，氮化锗膜，金属氧化锗膜，金属锗氮化膜等。

公开(公告)号：WO2012118847A3

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：PCT/US2012027002

申请日：2012-02-28

Applicant: INPRIA CORPORTION ,  STOWERS JASON K ,  MEYERS STEPHEN T ,  KOCSIS MICHAEL ,  KESZLER DOUGLAS A ,  GRENVILLE ANDREW

Inventor： STOWERS JASON K ,  MEYERS STEPHEN T ,  KOCSIS MICHAEL ,  KESZLER DOUGLAS A ,  GRENVILLE ANDREW

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C23C18/06 ,  C23C18/1216 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/16 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31122

Abstract: Solution processible hardmasks are described that can be formed from aqueous precursor solutions comprising polyoxometal clusters and anions, such as polyatomic anions. The solution processible metal oxide layers are generally placed under relatively thin etch resist layers to provide desired etch contrast with underlying substrates and/or antireflective properties. In some embodiments, the metal oxide hardmasks can be used along with an additional hardmask and/or antireflective layers. The metal oxide hardmasks can be etched with wet or dry etching. Desirable processing improvements can be obtained with the solution processible hardmasks.

Abstract translation: 描述了可以由包含多金属氧化物簇和阴离子（例如多原子阴离子）的含水前体溶液形成的溶液可加工硬掩模。 溶液可加工的金属氧化物层通常放置在相对较薄的蚀刻抗蚀剂层下，以提供与下面的衬底和/或抗反射性质的期望的蚀刻对比度。 在一些实施例中，金属氧化物硬掩模可以与额外的硬掩模和/或抗反射层一起使用。 金属氧化物硬掩模可以用湿蚀刻或干蚀刻蚀刻。 可以使用可处理的硬掩模获得理想的加工改进。

公开(公告)号：WO2012066977A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：PCT/JP2011/075704

申请日：2011-11-08

Applicant: 株式会社日立国際電気 ,  湯浅 和宏 ,  山本 隆治

Inventor： 湯浅　和宏 ,  山本　隆治

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/02263 ,  C23C16/40 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228

Abstract: 　処理室内に収容され、第１の温度に加熱された基板に対して、所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、第１の温度よりも高い第２の温度に加熱された大気圧未満の圧力下にある反応予備室内で、酸素含有ガスと水素含有ガスとを反応させて酸素を含む反応種を生成し、その反応種を、大気圧未満の圧力下にある処理室内の第１の温度に加熱された基板に対して供給することで、基板上に形成された所定元素含有層を酸化層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜を形成する。

Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其中通过交替地重复以下步骤在衬底上形成预定膜厚的氧化物膜：通过起始形成在衬底上含有预定元素的层的步骤 含有预定元素的材料气体被供给到处理室内部并被加热到第一温度的基底; 以及将含有预定元素并已形成在基板上的层转化为氧化物层的步骤，通过含氧气体和在预反应室内反应的含氢气体 加热到高于第一温度的第二温度并且处于低于大气压的压力下，以产生含氧的反应物质，然后将该反应物质供给到已经被加热到处理室内的第一温度的基底 即压力低于大气压。

公开(公告)号：WO2009120169A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：PCT/US2008/004096

申请日：2008-03-27

Applicant: STATE OF OREGON ACTING BY AND THROUGH THE STATE BOARD OF HIGHER EDUCATION ON BEHALF OF OREGON STATE UNIVERSITY ,  KESZLER, Douglas, A. ,  ANDERSON, Jeremy ,  HERSH, Peter, A. ,  STOWERS, Jason, K. ,  MEYERS, Stephen, T.

Inventor： KESZLER, Douglas, A. ,  ANDERSON, Jeremy ,  HERSH, Peter, A. ,  STOWERS, Jason, K. ,  MEYERS, Stephen, T.

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C01G25/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G27/00 ,  C01G27/02 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/60 ,  C23C18/06 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1295 ,  C23C18/14 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/316 ,  H01L27/10873 ,  H01L28/40 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869

Abstract: Devices having a thin film or laminate structure comprising hafnium and/or zirconium oxy hydroxy compounds, and methods for making such devices, are disclosed. The hafnium and zirconium compounds can be doped, typically with other metals, such as lanthanum. Examples of electronic devices or components that can be made include, without limitation, insulators, transistors and capacitors. A method for patterning a device using the materials as positive or negative resists or as functional device components also is described. For example, a master plate for imprint lithography can be made. An embodiment of a method for making a device having a corrosion barrier also is described. Embodiments of an optical device comprising an optical substrate and coating also are described. Embodiments of a physical ruler also are disclosed, such as for accurately measuring dimensions using an electron microscope.

Abstract translation: 公开了具有包含铪和/或锆羟基羟基化合物的薄膜或层压结构的装置以及制造这种装置的方法。 铪和锆化合物可以掺杂，通常与其它金属如镧掺杂。 可以制造的电子器件或组件的实例包括但不限于绝缘体，晶体管和电容器。 还描述了使用这些材料作为正或负抗蚀剂或作为功能元件部件来构图设备的方法。 例如，可以制造用于压印光刻的主板。 还描述了制造具有腐蚀屏障的装置的方法的实施例。 还描述了包括光学基底和涂层的光学装置的实施例。 还公开了物理尺的实施例，例如使用电子显微镜精确地测量尺寸。

公开(公告)号：WO2007140813A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：PCT/EP2006/062893

申请日：2006-06-02

Applicant: L'AIR LIQUIDE SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE ,  BLASCO, Nicolas ,  DUSSARRAT, Christian

Inventor： BLASCO, Nicolas ,  DUSSARRAT, Christian

IPC: C23C16/18

CPC classification number: H01L21/02205 ,  C07F7/00 ,  C07F7/006 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645

Abstract: A method of forming on at least one support at least one metal containing dielectric films having the formula (M 1 1-a M a )O b N c , wherein: 0≤a 1 and M 2 being metals Hf, Zr or Ti using precursors with pentadienyl ligands and/or cyclopentadienyl ligands.

Abstract translation: 一种在至少一种载体上形成至少一种含金属的介电膜的方法，所述介电膜具有下式（M 1）

公开(公告)号：WO2006068453A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：PCT/KR2005/004508

申请日：2005-12-23

Applicant: Hynix Semiconductor Inc. ,  KIL, Deok Sin ,  HONG, Kwon ,  YEOM, Seung Jin

Inventor： KIL, Deok Sin ,  HONG, Kwon ,  YEOM, Seung Jin

IPC: H01L27/108

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31641 ,  H01L27/10814 ,  H01L28/40

Abstract: Provided is a method for forming a dielectric film in a semiconductor device, wherein the method can improve a dielectric characteristic and a leakage current characteristic. According to specific embodiments of the present invention, the method for forming a dielectric film includes: forming a zirconium dioxide (ZrO2) layer over a wafer in a predetermined thickness that does not allow continuous formation of the ZrO2 layer; and forming an aluminum oxide (AI2O3) layer over portions of the wafer where the ZrO2 layer is not formed, in a predetermined thickness that does not allow continuous formation of the Al2O3 layer.

Abstract translation: 提供一种在半导体器件中形成电介质膜的方法，其中该方法可以改善介电特性和漏电流特性。 根据本发明的具体实施方案，形成电介质膜的方法包括：在不允许连续形成ZrO 2层的预定厚度的晶片上形成二氧化锆（ZrO 2）层; 并且在不形成ZrO 2层的晶片的部分上形成氧化铝（Al 2 O 3）层，其厚度不能连续地形成Al 2 O 3层。

公开(公告)号：WO2006051877A1

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：PCT/JP2005/020645

申请日：2005-11-10

Applicant: 大日本印刷株式会社 ,  小堀 裕之 ,  大川 晃次郎 ,  中川 博喜 ,  薮内 庸介 ,  野村 圭介

Inventor： 小堀 裕之 ,  大川 晃次郎 ,  中川 博喜 ,  薮内 庸介 ,  野村 圭介

IPC: B05D7/24

CPC classification number: H01L21/316 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/127 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1291 ,  C23C18/14 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1662 ,  C23C18/1667 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1682 ,  C23C18/31 ,  C23C22/74 ,  C23C22/83 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02282 ,  H01M8/1246 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56

Abstract: 　本発明は、金属酸化物膜形成用溶液を用いる安価なＷｅｔコートであって、複雑な構造部を有する基材や多孔質材料の基材等に対しても均一かつ緻密で充分な膜厚を有する金属酸化物膜を得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。 　本発明は、金属源として金属塩または金属錯体と、酸化剤および還元剤の少なくとも一方とが溶解した第一金属酸化物膜形成用溶液と、基材とを接触させることにより上記基材上に第一金属酸化物膜を形成する第一金属酸化物膜形成工程と、上記第一金属酸化物膜を備えた基材を金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱し、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した第二金属酸化物膜形成用溶液と接触させることにより第二金属酸化物膜を得る第二金属酸化物膜形成工程とを有する金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。

Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种形成金属氧化物膜的方法，即使在具有复杂结构的衬底或多孔衬底上也可以通过廉价的用金属氧化物膜形成溶液进行湿式涂覆，可以形成具有令人满意厚度的均匀且致密的金属氧化物膜。 目的可以通过形成金属氧化物膜的方法来实现，该方法包括使第一金属氧化物膜形成步骤使基板与由金属盐或金属络合物组成的金属源的第一金属氧化物形成溶液接触 并且溶解氧化剂和还原剂中的至少一种以在基板上形成第一金属氧化物膜，并且第二金属氧化物膜形成步骤将具有第一金属氧化物膜的基板加热至金属氧化物膜形成温度或 使所得到的基板与溶解金属盐或金属络合物的金属源的第二金属氧化物成膜溶液接触，形成第二金属氧化物膜。