公开(公告)号：WO2011016741A3

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：PCT/PT2010000037

申请日：2010-08-05

Applicant: UNIV NOVA DE LISBOA ,  INST STEFAN JOSEF ,  UNIV BARCELONA ,  DE PAIVA MARTINS RODRIGO FERRAO ,  CORREIA FORTUNATO ELVIRA MARIA ,  CANDIDO BARQUINHA PEDRO MIGUEL ,  NUNES PEREIRA LUIS MIGUEL ,  GONCALVES GONCALO PEDRO ,  KUSCER HROVATIN DANJELA ,  KOSEC MARIJA

Inventor： DE PAIVA MARTINS RODRIGO FERRAO ,  CORREIA FORTUNATO ELVIRA MARIA ,  CANDIDO BARQUINHA PEDRO MIGUEL ,  NUNES PEREIRA LUIS MIGUEL ,  GONCALVES GONCALO PEDRO ,  KUSCER HROVATIN DANJELA ,  KOSEC MARIJA

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31604 ,  H01L21/0215 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7869

Abstract: High performance thin-film, transistors entirely processed at temperatures not exceeding 150°C, using amorphous multi component dielectrics based on t.he mixture of high band gap and high dielectric constant ( K) materials are presented in this invention. The invention relates to the use of sputtered or ink jet printed mixed dielectric materials such as Ta2O5 with SiO2 or Al2O3 or HfO2 with SiO2 or Al2O3. These multicomponent dielectrics allow producing amorphous dielectrics to be introduced in high stable electronic devices with low leakage currents, while preserving a high dielectric constant. This results in producing thin film transistors with remarkable electrical properties, such as the ones produced based on Ga-In-Zn oxide as channel layers and where the dielectric was the combination of the mixture Ta2O5:SiO2, exhibiting field- effect mobility exceeding 35 cm2 V-1 s-1, close to 0 V turn- on voltage, on/off ratio higher than 106 and subthreshold slope below 0.24 V dec-1.

Abstract translation: 本发明提出了使用基于高带隙和高介电常数（K）材料的混合物的非晶多组分电介质，在不超过150℃的温度下完全加工的高性能薄膜。 本发明涉及使用溅射或喷墨印刷的混合电介质材料，例如具有SiO 2或Al 2 O 3或HfO 2的Ta 2 O 5与SiO 2或Al 2 O 3。 这些多组分电介质允许产生非晶电介质，以便在具有低泄漏电流的高稳定电子器件中引入，同时保持高的介电常数。 这导致产生具有显着电性能的薄膜晶体管，例如基于Ga-In-Zn氧化物作为沟道层产生的薄膜晶体管，并且其中电介质是混合物Ta 2 O 5：SiO 2的组合，显示场效应迁移率超过35cm 2 V-1 s-1，接近0 V导通电压，开/关比高于106，亚阈值斜率低于0.24 V dec-1。

公开(公告)号：WO2011043448A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：PCT/JP2010/067706

申请日：2010-10-04

Applicant: 日本電気株式会社 ,  迫坪 行広 ,  寺井 真之 ,  多田 宗弘 ,  矢部 裕子 ,  斎藤 幸重

Inventor： 迫坪　行広 ,  寺井　真之 ,  多田　宗弘 ,  矢部　裕子 ,  斎藤　幸重

IPC: H01L49/00 ,  H01L21/314 ,  H01L27/10 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L21/02186 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02266 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608

Abstract: 第一の電極と、第二の電極と、前記第一の電極と前記第二の電極との間に挟まれた遷移金属酸化物層を含む層と、を少なくとも有し、前記遷移金属酸化物層は、第一の遷移金属からなる第一の遷移金属酸化物層と、前記第一の遷移金属とは異なる第二の遷移金属からなる第二の遷移金属酸化物層と、を有し、前記第一の遷移金属酸化物層は前記第一の電極側に設けられ、前記第二の遷移金属酸化物層は前記第二の電極側に設けられ、前記第一の遷移金属酸化物層と前記第二の遷移金属酸化物層とは当接し、前記第一の遷移金属酸化物層は、前記第一の遷移金属酸化物層と前記第二の遷移金属酸化物層との界面から、前記第一の電極側に向かって酸素濃度の傾斜を有し、且つ、前記界面における酸素濃度が、前記第一の電極側における酸素濃度より大きい、半導体装置とされる。

Abstract translation: 提供了至少包括第一电极，第二电极和介于第一电极和第二电极之间的层并且包括过渡金属氧化物层的半导体器件，所述过渡金属氧化物层包括第一过渡金属氧化物层 由第一过渡金属制成的第二过渡金属氧化物层和由不同于第一过渡金属的第二过渡金属制成的第二过渡金属氧化物层，第一过渡金属氧化物层设置在第一电极侧，第二过渡金属氧化物层设置在 第二电极侧，第一过渡金属氧化物层和第二过渡金属氧化物层彼此接触，第一过渡金属氧化物层具有从第一过渡金属氧化物层和第二过渡金属氧化物层之间的界面的氧浓度梯度 金属氧化物层到第一电极侧，氧浓度a 所述界面大于所述第一电极侧的氧浓度。

公开(公告)号：WO2010103935A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：PCT/JP2010/053015

申请日：2010-02-19

Applicant: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. ,  OHARA, Hiroki ,  SASAKI, Toshinari

Inventor： OHARA, Hiroki ,  SASAKI, Toshinari

IPC: H01L29/786 ,  C01G15/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/66969 ,  C01G15/006 ,  C01G45/006 ,  C01G49/009 ,  C01G51/006 ,  C01G53/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/441 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

Abstract: An object is to provide a semiconductor device including a semiconductor element which has favorable characteristics. A manufacturing method of the present invention includes the steps of: forming a first conductive layer which functions as a gate electrode over a substrate; forming a first insulating layer to cover the first conductive layer; forming a semiconductor layer over the first insulating layer so that part of the semiconductor layer overlaps with the first conductive layer; forming a second conductive layer to be electrically connected to the semiconductor layer; forming a second insulating layer to cover the semiconductor layer and the second conductive layer; forming a third conductive layer to be electrically connected to the second conductive layer; performing first heat treatment after forming the semiconductor layer and before forming the second insulating layer; and performing second heat treatment after forming the second insulating layer.

Abstract translation: 目的是提供一种具有有利特性的半导体元件的半导体器件。 本发明的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成用作栅电极的第一导电层; 形成第一绝缘层以覆盖所述第一导电层; 在所述第一绝缘层上形成半导体层，使得所述半导体层的一部分与所述第一导电层重叠; 形成与半导体层电连接的第二导电层; 形成覆盖半导体层和第二导电层的第二绝缘层; 形成与第二导电层电连接的第三导电层; 在形成半导体层之后并在形成第二绝缘层之前进行第一热处理; 以及在形成所述第二绝缘层之后进行第二热处理。

公开(公告)号：WO2008085467A1

公开(公告)日：2008-07-17

申请号：PCT/US2007/026313

申请日：2007-12-26

Applicant: EASTMAN KODAK COMPANY ,  LEVY, David Howard

Inventor： LEVY, David Howard

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/54

CPC classification number: C23C16/45563 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/545 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0262

Abstract: A process for depositing a thin film material on a substrate is disclosed, comprising simultaneously directing a series of gas flows from the output face of a delivery head of a thin film deposition system toward the surface of a substrate, and wherein the series of gas flows comprises at least a first reactive gaseous material, an inert purge gas, and a second reactive gaseous material, wherein the first reactive gaseous material is capable of reacting with a substrate surface treated with the second reactive gaseous material, wherein one or more of the gas flows provides a pressure that at least contributes to the separation of the surface of the substrate from the face of the delivery head. A system capable of carrying out such a process is also disclosed.

Abstract translation: 公开了一种在衬底上沉积薄膜材料的方法，其中包括同时引导一系列气体流从薄膜沉积系统的输送头的输出面朝向衬底的表面，并且其中一系列气体流 包括至少第一反应性气体材料，惰性吹扫气体和第二反应性气体材料，其中第一反应性气体材料能够与用第二反应性气态材料处理的基底表面反应，其中一个或多个气体 流动提供至少有助于将衬底的表面与输送头的表面分离的压力。 还公开了能够进行这种处理的系统。

公开(公告)号：WO2006028215A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：PCT/JP2005/016639

申请日：2005-09-09

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  柿本 明修

Inventor： 柿本 明修

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/02189 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40

Abstract: 　薄膜キャパシタにおいて、電界集中を抑制してリーク電流を低減する。導電材料からなる下部電極（２２）上に第１のジルコニウム酸化物層（２６Ａ）を形成する。第１のジルコニウム酸化物層（２６Ａ上）にアモルファス材料よりなるバッファ層（２８）を形成する。バッファ層（２８）上に第２のジルコニウム酸化物層（２６Ｂ）を形成し、第２のジルコニウム酸化物層（２６Ｂ）上に、導電材料からなる上部電極（２４）を形成する。

Abstract translation: 在薄膜电容器中，通过抑制电场浓度来降低泄漏电流。 在由导电材料制成的下电极（22）上形成第一氧化锆层（26A）。 在第一氧化锆层（26A）上形成由非晶材料构成的缓冲层（28）。 在缓冲层（28）上形成第二氧化锆层（26B），在第二氧化锆层（26B）上形成由导电材料制成的上部电极（24）。

公开(公告)号：WO2003030242A1

公开(公告)日：2003-04-10

申请号：PCT/US2001/029831

申请日：2001-09-19

Applicant: MATTSON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： LEVY, Sagy ,  BLOOM, Robin, S. ,  KEPTEN, Dr., Avashai

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/0214 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/345 ,  C23C16/40 ,  C23C16/405 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185

Abstract: A method for depositing a high-k dielelectric coating onto a substrate, such as a semiconductor wafer, is provided. In one embodiment, the process is directed to forming a nitride layer on a substrate. In an alternative embodiment, the present invention is directed to forming a metal oxide or silicate on a semiconductor wafer. When forming a metal oxide or silicate, a passivation layer is first deposited onto the substrate.

Abstract translation: 提供了一种用于在诸如半导体晶片的衬底上沉积高k电介质涂层的方法。 在一个实施例中，该方法旨在在衬底上形成氮化物层。 在替代实施例中，本发明涉及在半导体晶片上形成金属氧化物或硅酸盐。 当形成金属氧化物或硅酸盐时，首先将钝化层沉积到衬底上。

公开(公告)号：WO2017136141A1

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：PCT/US2017/013953

申请日：2017-01-18

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： ZHANG, Xuena ,  YIM, Dong-kil ,  DAI, Wenqing ,  YOU, Harvey ,  WON, Tae Kyung ,  YANG, Hsiao-Lin ,  LIN, Wan-Yu ,  TSAI, Yun-chu

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1343

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L2227/323

Abstract: Embodiments of the disclosure generally provide methods of forming a capacitor with high capacitance and low leakage as well as a good interface control for thin film transistor (TFT) applications. In one embodiment, a thin film transistor structure includes a capacitor formed in a thin film transistor device. The capacitor further includes a common electrode disposed on a substrate, a dielectric layer formed on the common electrode and a pixel electrode formed on the dielectric layer. An interface protection layer formed between the common electrode and the dielectric layer, or between the dielectric layer and the pixel electrode. A gate insulating layer fabricated by a high-k material may also be utilized in the thin film transistor structure.

Abstract translation: 本公开的实施例通常提供形成具有高电容和低漏电的电容器以及用于薄膜晶体管（TFT）应用的良好接口控制的方法。 在一个实施例中，薄膜晶体管结构包括形成在薄膜晶体管器件中的电容器。 该电容器还包括设置在衬底上的公共电极，形成在公共电极上的电介质层和形成在电介质层上的像素电极。 界面保护层形成于公共电极与介电层之间或介电层与像素电极之间。 在薄膜晶体管结构中也可以使用由高k材料制成的栅绝缘层。

公开(公告)号：WO2016205349A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/US2016/037599

申请日：2016-06-15

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： ZENG, Weimin ,  NGUYEN, Thanh X. ,  CHENG, Yana ,  CAO, Yong ,  DIEHL, Daniel Lee ,  GUGGILLA, Srinivas ,  WANG, Rongjun ,  TANG, Xianmin

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0234 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02266

Abstract: In some embodiments a method of processing a substrate disposed atop a substrate support in a physical vapor deposition process chamber includes: (a) depositing a dielectric layer to a first thickness atop a first surface of the substrate via a physical vapor deposition process; (b) providing a first plasma forming gas to a processing region of the physical vapor deposition process chamber, wherein the first plasma forming gas comprises hydrogen but not carbon; (c) providing a first amount of bias power to a substrate support to form a first plasma from the first plasma forming gas within the processing region of the physical vapor deposition process chamber; (d) exposing the dielectric layer to the first plasma; and (e) repeating (a)-(d) to deposit the dielectric film to a final thickness.

Abstract translation: 在一些实施例中，处理设置在物理气相沉积处理室中的衬底支架顶上的衬底的方法包括：（a）通过物理气相沉积工艺在介质的第一表面顶部沉积介电层至第一厚度; （b）向所述物理气相沉积处理室的处理区域提供第一等离子体形成气体，其中所述第一等离子体形成气体包括氢而不是碳; （c）向所述衬底支撑件提供第一量的偏置功率以从所述物理气相沉积处理室的处理区域内的所述第一等离子体形成气体形成第一等离子体; （d）将介电层暴露于第一等离子体; 和（e）重复（a） - （d）将电介质膜沉积到最终厚度。

公开(公告)号：WO2015129413A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：PCT/JP2015/053077

申请日：2015-02-04

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  株式会社東北テクノアーチ

Inventor： 谷　▲シュン▼ ,  寒川　誠二

IPC: C23C16/56 ,  C23C16/507 ,  C23C16/511 ,  H01L21/316 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L45/1633 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L45/146

Abstract: 　被処理体表面の遷移金属を含む膜を酸化する遷移金属膜の酸化処理方法は、少なくとも酸素を含有するガスのプラズマを発生させ、当該プラズマ中の酸素の活性種に電子を付与して中性化して、酸素原子の中性粒子を生成し、当該中性粒子を、遷移金属を含む膜に照射する。

Abstract translation: 在氧化处理被处理物的表面上含有过渡金属的膜的过渡金属膜的氧化处理方法中，产生至少含有氧的气体的等离子体，从而中和氧的活性种类 产生等离子体中性粒子的氧原子，将中性粒子照射在含有过渡金属的膜上。

公开(公告)号：WO2008055007A2

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：PCT/US2007/081776

申请日：2007-10-18

Applicant: LAM RESEARCH CORPORATION ,  YOON, Hyungsuk, Alexander ,  REDEKER, Fritz

Inventor： YOON, Hyungsuk, Alexander ,  REDEKER, Fritz

IPC: H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/029 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846

Abstract: Various embodiments provide improved processes and systems that produce a barrier layer with decreasing nitrogen concentration with the increase of film thickness. A barrier layer with decreasing nitrogen concentration with film thickness allows the end of barrier layer with high nitrogen concentration to have good adhesion with a dielectric layer and the end of barrier layer with low nitrogen concentration (or metal-rich) to have good adhesion with copper. An exemplary method of depositing a barrier layer on an interconnect structure is provided. The method includes (a) providing an atomic layer deposition environment, (b) depositing a barrier layer on the interconnect structure with a first nitrogen concentration during a first phase of deposition in the atomic layer deposition environment. The method further includes (c) continuing the deposition of the barrier layer on the interconnect structure with a second nitrogen concentration during a second phase deposition in the atomic layer deposition environment.

Abstract translation: 各种实施方式提供改进的工艺和系统，其随着膜厚度的增加产生具有降低的氮浓度的阻挡层。 具有降低的氮浓度和膜厚度的阻挡层允许具有高氮浓度的阻挡层的端部与介电层具有良好的粘合性，并且具有低氮浓度（或富金属）的阻挡层的端部与铜 。 提供了在互连结构上沉积阻挡层的示例性方法。 该方法包括（a）提供原子层沉积环境，（b）在原子层沉积环境中沉积的第一阶段期间，在第一氮浓度下在互连结构上沉积阻挡层。 该方法进一步包括：（c）在原子层沉积环境中的第二相沉积期间，继续在具有第二氮浓度的互连结构上沉积阻挡层。