公开(公告)号：WO2011122407A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：PCT/JP2011/056914

申请日：2011-03-23

Applicant: 株式会社村田製作所 ,  守屋 要一 ,  勝部 毅 ,  武森 祐貴 ,  杉本 安隆 ,  高田 隆裕

Inventor： 守屋　要一 ,  勝部　毅 ,  武森　祐貴 ,  杉本　安隆 ,  高田　隆裕

IPC: B32B15/04 ,  H05K1/05

CPC classification number: B32B7/02 ,  H01L23/142 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49894 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15192 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/4629 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/068 ,  H05K2203/049 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/2495 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00011

Abstract: 　金属板上に低温焼結セラミック層を形成した、金属ベース基板において、金属板を銅から構成することを可能にしながら、金属板との界面において低温焼結セラミック層にクラックや剥離が生じにくく、表面導体の耐剥離強度を向上させる。　金属板（１４）と、その上に形成された低温焼結セラミック層（１５）とを備える、金属ベース基板（１２）において、金属板（１４）の熱膨張係数は低温焼結セラミック層（１５）の熱膨張係数より大きく、金属板（１４）と低温焼結セラミック層（１５）との２５～４００℃での平均熱膨張係数差が４～９ｐｐｍ／℃以下であり、かつ、低温焼結セラミック層（１５）のヤング率が１２０ＧＰａ未満であり、かつ抗折強度が２００ＭＰａ以上である。

Abstract translation: 公开了一种金属基底，其包括形成在金属基底上的低温烧结陶瓷层，并且其中低温烧结陶瓷层在与金属基底的界面处不易开裂或剥离， 提高了表面导体的剥离强度，同时使金属基板可以由铜构成。 在设置有金属基板（14）的金属基底（12）和形成在其上的低温烧结陶瓷层（15）之后，金属基板（14）的热膨胀系数大于低温烧结陶瓷层 烧结陶瓷层（15）; 金属基板（14）和低温烧结陶瓷层（15）之间的平均热膨胀系数在25-400℃时为4-9ppm /摄氏度; 低温烧结陶瓷层（15）的杨氏模量小于120GPa; 弯曲强度为200MPa以上。

公开(公告)号：WO2011122406A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：PCT/JP2011/056913

申请日：2011-03-23

Applicant: 株式会社村田製作所 ,  守屋 要一 ,  勝部 毅 ,  武森 祐貴 ,  金森 哲雄 ,  杉本 安隆 ,  高田 隆裕

Inventor： 守屋　要一 ,  勝部　毅 ,  武森　祐貴 ,  金森　哲雄 ,  杉本　安隆 ,  高田　隆裕

IPC: C04B35/00 ,  C04B35/16 ,  C04B37/02 ,  H05K1/05 ,  H05K3/44 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L23/15 ,  B32B18/00 ,  C04B35/117 ,  C04B35/16 ,  C04B35/195 ,  C04B37/021 ,  C04B37/025 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/77 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/56 ,  C04B2237/60 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C23C24/082 ,  C23C28/04 ,  H01L23/142 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49894 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15192 ,  H05K1/053 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/265

Abstract: 　銅からなる金属板上に低温焼結セラミック層を形成した、金属ベース基板において、金属板と低温焼結セラミック層との接合信頼性を高める。　銅からなる金属板（１４）の表面上に、バリウムをＢａＯ換算で１０～４０モル％およびケイ素をＳｉＯ ２ 換算で４０～８０モル％含む低温焼結セラミック材料を含む、低温焼結セラミックグリーン層を積層することによって、生の積層体を作製し、この生の積層体を、低温焼結セラミックグリーン層が焼結する温度で焼成する。このようにして得られた金属ベース基板（１２）における金属板（１４）と低温焼結セラミック層（１５）との間には、Ｃｕ－Ｂａ－Ｓｉ系のガラスからなる厚み１～５μｍのガラス層（２２）が形成される。このガラス層（２２）は良好な接合信頼性を示す。

Abstract translation: 公开了一种金属基底基板的制造方法，该金属基底基板在金属基底中金属基底和低温烧结陶瓷层之间的接合的可靠性增加，其中在金属基底上形成低温烧结陶瓷层， 由铜配置 未烧结的层压体通过在包含含有以BaO计为10-40摩尔％的钡的低温烧结陶瓷材料的低温烧结陶瓷生坯层的玻璃状金属基材（14）的表面上叠层而形成， -80％mol。 将该未烧结的层压体在低温烧结陶瓷生坯层烧结的温度下进行烧结。 在金属基板（14）和金属基底（12）上的低温烧结陶瓷层（15）之间形成包含Cu-Ba-Si基玻璃的1-5μm厚的玻璃层（22） 这条路。 该玻璃层（22）具有优异的接合可靠性。

公开(公告)号：WO2011007874A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：PCT/JP2010/062102

申请日：2010-07-16

Applicant: 電気化学工業株式会社 ,  日隈 智志 ,  広津留 秀樹 ,  成田 真也

Inventor： 日隈　智志 ,  広津留　秀樹 ,  成田　真也

IPC: H01L33/62 ,  H01L23/373 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/641 ,  H01L23/142 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 放熱性を著しく改善した信頼性の高いＬＥＤパッケージと、ＬＥＤパッケージの製造方法と、このＬＥＤパッケージに用いるＬＥＤチップ接合体を提供する。ＬＥＤパッケージは、ＬＥＤチップ接合体（１０）が、金属基板（５）に絶縁層（４）を介して金属回路（３）が形成されてなる回路基板（１１）に接合される一方、上記ＬＥＤチップ接合体のＬＥＤチップ（１）と上記回路基板の金属回路（３）とが電気的接続部材（９）で接続されており、少なくとも上記ＬＥＤチップ接合体と上記電気的接続部材とが、蛍光物質を含む樹脂封止材（８）で封止されていることを特徴とする。

Abstract translation: 提供了一种高度可靠的LED封装，其具有显着改善的散热性能，LED封装的制造方法以及在LED封装中使用的LED芯片组件。 LED封装的特征在于，LED芯片组件（10）被结合到通过在其间具有绝缘层（4）的金属基板（5）上形成金属电路（3）而形成的电路板（11），而LED LED芯片组件的芯片（1）和电路板的金属电路（3）经由电连接构件（9）连接，并且至少LED芯片组件和电连接构件用树脂密封剂（8 ）包括荧光材料。

公开(公告)号：WO2010092905A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：PCT/JP2010/051668

申请日：2010-02-05

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  楠川 順平 ,  松本 啓紀

Inventor： 楠川　順平 ,  松本　啓紀

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/12 ,  H01L23/373 ,  H05K1/05

CPC classification number: H05K1/056 ,  H01L23/142 ,  H01L23/145 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49894 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/0209 ,  H01L2924/00

Abstract: 　絶縁信頼性の高い絶縁回路基板及びこの絶縁回路基板を使用する関連技術を提供することを課題とする。　本発明に関わる絶縁回路基板は、金属ベース基板(１)上に絶縁層(２)を介して導体回路(４)が形成されている絶縁回路基板(１２)において、絶縁層(２)は、導体回路(４)との界面を形成するとともに無機充填材(８)が絶縁樹脂(７)に分散してなる複合絶縁層(２ａ)と、無機充填材(８)を含まない樹脂単体絶縁層(２ｂ)と、を少なくとも含む複数の層が積層してなることを特徴とする。

Abstract translation: 提供绝缘可靠性高的绝缘电路板以及使用绝缘电路板的相关技术。 在绝缘电路板（12）中，其中在其间具有绝缘层（2）的金属基底（1）上形成导体电路（4），绝缘层（2）通过层叠多个层 至少包括与分散在绝缘树脂（7）中的无机填充材料（8）形成与导体电路（4）的界面的复合绝缘层（2a），以及绝缘层（2b），其仅由 不含无机填充材料的树脂（8）。

公开(公告)号：WO2008115468A3

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：PCT/US2008003491

申请日：2008-03-17

Applicant: MARVELL WORLD TRADE LTD ,  SUTARDJA SEHAT

Inventor： SUTARDJA SEHAT

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/538 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L23/50 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/142 ,  H01L23/367 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/544 ,  H01L24/16 ,  H01L24/40 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/4918 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: An integrated circuit comprises N plane-like metal layers, where N is an integer greater than one. A first plane-like metal layer includes M contact portions that communicate with the N plane-like metal layers, respectively, where M is an integer greater than one. The first plane-like metal layer and the N plane-like metal layers are located in separate planes. At least two of a first source, a first drain and a second source communicate with at least two of the N plane-like metal layers. A first gate is arranged between the first source and the first drain. A second gate is arranged between the first drain and the second source. The first and second gates define alternating first and second regions in the first drain, and wherein the first and second gates are arranged farther apart in the first regions than in the second regions.

Abstract translation: 集成电路包括N个平面状金属层，其中N是大于1的整数。 第一平面状金属层包括分别与N平面状金属层连通的M个接触部，其中M是大于1的整数。 第一平面状金属层和N平面状金属层位于分开的平面中。 第一源，第一漏极和第二源中的至少两个与N个平面状金属层中的至少两个连通。 第一栅极布置在第一源极和第一漏极之间。 第二栅极布置在第一漏极和第二源极之间。 第一和第二栅极在第一漏极中限定交替的第一和第二区域，并且其中第一和第二栅极在第一区域中比在第二区域中更远地布置。

公开(公告)号：WO2009092863A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：PCT/FI2009/050057

申请日：2009-01-22

Applicant: VALTION TEKNILLINEN TUTKIMUSKESKUS ,  JOKELAINEN, Kimmo ,  PETÄJÄJÄRVI, Aila

Inventor： JOKELAINEN, Kimmo ,  PETÄJÄJÄRVI, Aila

IPC: C23C4/06 ,  C23C4/10 ,  C23C4/00

CPC classification number: H05K1/056 ,  C23C4/10 ,  C23C4/18 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/142 ,  H01L23/36 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/60 ,  H01L24/48 ,  H01L33/64 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15183 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/053 ,  H05K3/048 ,  H05K3/284 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2203/1131 ,  H05K2203/1344 ,  H05K2203/1366 ,  Y02T50/67 ,  Y10T29/49169 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: According to the invention, thermal spraying can be used to integrate electric, pneumatic or hydraulic structures into existing mechanical structures. The producing of the structure being integrated begins by thermally spraying either conductive or dielectric material onto the surface of the structure which is the object of the integration process. If the base material is dielectric, conductor structures can be thermally sprayed on top of the base material. If the base material is at least partly conductive, a layer of an insulating ceramic substance is first thermally sprayed on top of it. A metallic, conductive substance is sprayed through a mask on top of the insulating ceramic layer. This results in a conductor pattern according to the aperture of the mask being duplicated onto the base material. The conductor pattern thus formed can be covered with a mechanically, chemically, and/or electrically protective substance. If needed, the surface of the protective layer can be further processed to the desired surface coarseness.

Abstract translation: 根据本发明，热喷涂可用于将电动，气动或液压结构集成到现有机械结构中。 集成结构的生产开始于将导电或介电材料热喷涂到作为整合过程的对象的结构的表面上。 如果基材是电介质，则可以将导体结构热喷涂在基材上。 如果基材至少部分导电，则首先将绝缘陶瓷物质层热喷涂在其顶部。 通过绝缘陶瓷层顶部的掩模喷射金属导电物质。 这导致根据掩模的孔径被复制到基底材料上的导体图案。 由此形成的导体图案可被机械，化学和/或电保护物质覆盖。 如果需要，可以将保护层的表面进一步加工成所需的表面粗糙度。

公开(公告)号：WO2009091005A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：PCT/JP2009/050485

申请日：2009-01-15

Applicant: 古河電気工業株式会社 ,  橘 昭頼 ,  犬飼 俊之 ,  菅原 親人 ,  森井 暁

Inventor： 橘 昭頼 ,  犬飼 俊之 ,  菅原 親人 ,  森井 暁

IPC: B32B15/08 ,  B32B15/088 ,  H01B17/62 ,  H05K1/03

CPC classification number: H05K1/0346 ,  H01L23/142 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/056 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0358 ,  H05K2203/0783 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T428/31681 ,  H01L2924/00

Abstract: 　金属基材上の少なくとも一部に樹脂皮膜が形成されており、前記樹脂皮膜の残留溶媒量が１～３０質量％に調製されている電気電子部品用複合材料。樹脂皮膜はポリイミド又はポリアミドイミドであることが好ましい。

Abstract translation: 公开了一种用于电气/电子部件的复合材料，其中在金属基体的至少一部分上形成树脂涂膜，并将树脂涂膜中的残留溶剂的量控制在1〜30质量％。 树脂涂膜优选由聚酰亚胺或聚酰胺酰亚胺构成。

公开(公告)号：WO2009017271A2

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：PCT/KR2007004487

申请日：2007-09-18

Applicant: WAVENICS INC ,  KOREA ADVANCED INST SCI & TECH ,  KWON YOUNG-SE ,  KIM KYOUNG-MIN ,  YU JE-IN

Inventor： KWON YOUNG-SE ,  KIM KYOUNG-MIN ,  YU JE-IN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/142 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/31 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16195 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: A package substrate, a manufacturing method thereof, a base package module, and a multi-layered package module having package substrates laminated on upper and lower portions of a base package module are provided. The base package module includes a base metal substrate, a first metal oxide layer that is formed on the base metal substrate to have a cavity therein, a device that is mounted in the cavity on the base metal substrate and insulated by the first metal oxide layer formed on a sidewall in the cavity, and a conductor that is connected to the device and a wiring pad formed on the first metal oxide layer on the base metal substrate. The package substrate includes a wiring pad, a conductor line, a second metal oxide layer having an opening that exposes a device, and a via that is connected to the wiring pad through a connection pad in the second metal oxide layer.

Abstract translation: 提供一种封装基板，其制造方法，基底封装模块和具有层压在基底封装模块的上部和下部上的封装基板的多层封装模块。 基底封装模块包括贱金属基底，第一金属氧化物层，其形成在贱金属基底上以在其中具有空腔;第一金属氧化物层，其被安装在贱金属基底上的空腔中并被第一金属氧化物层绝缘 形成在空腔中的侧壁上，以及连接到该器件的导体和形成在基底金属基板上的第一金属氧化物层上的布线焊盘。 封装衬底包括布线衬垫，导体线，具有暴露器件的开口的第二金属氧化物层和通过第二金属氧化物层中的连接焊盘连接到布线焊盘的通孔。

公开(公告)号：WO2008157675A1

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：PCT/US2008/067465

申请日：2008-06-19

Applicant: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY ,  INABA, Akira ,  HAMAGUCHI, Masaki ,  NAKAJIMA, Naoto

Inventor： INABA, Akira ,  HAMAGUCHI, Masaki ,  NAKAJIMA, Naoto

IPC: C03C8/02 ,  C03C8/14 ,  C03C8/20 ,  H01B3/08 ,  H01B3/10 ,  H01L23/14

CPC classification number: C03C8/02 ,  C03C8/14 ,  C03C8/20 ,  C03C2207/00 ,  H01L23/142 ,  H01L23/49894 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K1/053 ,  H01L2924/00

Abstract: The insulation paste of the present invention contains (a) a glass powder, and (b) an organic solvent, wherein one or both of alumina (Al 2 O 3 ) and titanium oxide (TiO 2 ) are contained in the paste as a glass diffusion inhibitor, and the content of this glass diffusion inhibitor is 12 to 50% by weight based on the content of inorganic component in the paste.

Abstract translation: 本发明的绝缘膏包含（a）玻璃粉末和（b）作为玻璃扩散抑制剂的糊料中含有氧化铝（Al 2 O 3）和氧化钛（TiO 2）中的一种或两种的有机溶剂， 该玻璃扩散抑制剂的含量相对于糊料中的无机成分的含量为12〜50重量％。

公开(公告)号：WO2008115468A2

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：PCT/US2008/003491

申请日：2008-03-17

Applicant: MARVELL WORLD TRADE LTD. ,  SUTARDJA, Sehat

Inventor： SUTARDJA, Sehat

IPC: H01L23/482 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L23/50 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/142 ,  H01L23/367 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/544 ,  H01L24/16 ,  H01L24/40 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/4918 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: An integrated circuit comprises N plane-like metal layers, where N is an integer greater than one. A first plane-like metal layer includes M contact portions that communicate with the N plane-like metal layers, respectively, where M is an integer greater than one. The first plane-like metal layer and the N plane-like metal layers are located in separate planes. At least two of a first source, a first drain and a second source communicate with at least two of the N plane-like metal layers. A first gate is arranged between the first source and the first drain. A second gate is arranged between the first drain and the second source. The first and second gates define alternating first and second regions in the first drain, and wherein the first and second gates are arranged farther apart in the first regions than in the second regions.

Abstract translation: 集成电路包括N个平面状金属层，其中N是大于1的整数。 第一平面状金属层包括分别与N平面状金属层连通的M个接触部，其中M是大于1的整数。 第一平面状金属层和N平面状金属层位于分开的平面中。 第一源，第一漏极和第二源中的至少两个与N个平面状金属层中的至少两个连通。 第一栅极布置在第一源极和第一漏极之间。 第二栅极布置在第一漏极和第二源极之间。 第一和第二栅极在第一漏极中限定交替的第一和第二区域，并且其中第一和第二栅极在第一区域中比在第二区域中更远地布置。