公开(公告)号：WO2015079582A1

公开(公告)日：2015-06-04

申请号：PCT/JP2013/082267

申请日：2013-11-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今泉延弘

IPC: B23K1/00 ,  B23K1/008 ,  B23K3/00

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13847 ,  H01L2224/13864 ,  H01L2224/1389 ,  H01L2224/13911 ,  H01L2224/13955 ,  H01L2224/13999 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

Abstract: 複数の基体１０、２０上にそれぞれ形成された金属層１２、２２同士を第１金属３５を含む多孔質体３２を介して対向させる工程と、前記多孔質体の表面の前記第１金属を第２金属３６に置換する工程と、前記第２金属を加熱することにより、前記金属層同士を接合する工程と、を含む基体の接合方法。

Abstract translation: 提供了一种基板接合方法，其包括以下步骤：使多个基板（10,20）分别在多孔体（32）上彼此面对的金属层（12,22） 包括插入其间的第一金属（35） 用第二金属（36）代替多孔体表面上的第一金属的步骤; 以及通过加热第二金属来接合金属层的步骤。

公开(公告)号：WO2016123609A3

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：PCT/US2016015951

申请日：2016-02-01

Applicant: INVENSAS CORP

Inventor： KATKAR RAJESH ,  UZOH CYPRIAN EMEKA ,  SITARAM ARKALGUD R

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/768 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/528 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1379 ,  H01L2224/13809 ,  H01L2224/13811 ,  H01L2224/13847 ,  H01L2224/13855 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16014 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/81905 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/364 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2064

Abstract: An apparatus relates generally to a microelectronic device. In such an apparatus, a first substrate has a first surface with first interconnects located on the first surface, and a second substrate has a second surface spaced apart from the first surface with a gap between the first surface and the second surface. Second interconnects are located on the second surface. Lower surfaces of the first interconnects and upper surfaces of the second interconnects are coupled to one another for electrical conductivity between the first substrate and the second substrate. A conductive collar is around sidewalls of the first and second interconnects, and a dielectric layer is around the conductive collar.

Abstract translation: 装置一般涉及微电子器件。 在这样的装置中，第一基板具有第一表面，第一表面具有位于第一表面上的第一互连，并且第二基板具有第二表面，第二表面与第一表面隔开，第一表面与第二表面之间具有间隙。 第二个互连位于第二个表面上。 第一互连的下表面和第二互连的上表面为了第一基板和第二基板之间的导电性而彼此耦合。 导电套环围绕第一和第二互连的侧壁，介电层围绕导电套环。

公开(公告)号：WO2010106703A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：PCT/JP2009/067856

申请日：2009-10-15

Applicant: 富士通株式会社 ,  中西 輝 ,  林 信幸 ,  森田 将 ,  米田 泰博

Inventor： 中西　輝 ,  林　信幸 ,  森田　将 ,  米田　泰博

IPC: H01L23/32

CPC classification number: H05K1/0296 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1379 ,  H01L2224/13839 ,  H01L2224/13847 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/181 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10287 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2201/10424 ,  H05K2201/10719 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】半導体装置とその製造方法、電子装置、及び電子部品において、配線基板と半導体部品との接続信頼性を向上させること。 【解決手段】表面に第１の電極パッド１４を備えた配線基板１１と、配線基板１１の上に立てて設けられ、第１の電極パッド１４と接続された配線３１を備えた回路基板３０と、回路基板３０を介して配線基板１１に対向して設けられ、配線３１と接続された第２の電極パッド１９を表面に備えた半導体パッケージ２０とを有する半導体装置による。

Abstract translation: 公开了一种半导体器件，其制造方法，电子器件和电子部件，其中提高了布线板和半导体部件之间的连接可靠性。 具体公开了一种半导体器件，包括：布线板（11），其在表面上设置有第一电极焊盘（14）; 电路板（30），其形成为在所述布线基板（11）上并且设置有与所述第一电极焊盘（14）连接的导线（31）; 以及经由电路基板（30）形成为面对配线基板（11）的半导体封装（20），并配置有与导线（31）连接的第二电极焊盘（19） 表面。

公开(公告)号：WO2016123609A2

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：PCT/US2016/015951

申请日：2016-02-01

Applicant: INVENSAS CORPORATION

Inventor： KATKAR, Rajesh ,  UZOH, Cyprian, Emeka ,  SITARAM, Arkalgud, R.

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/768 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/528 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1379 ,  H01L2224/13809 ,  H01L2224/13811 ,  H01L2224/13847 ,  H01L2224/13855 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16014 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/81905 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/364 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2064

Abstract: An apparatus relates generally to a microelectronic device. In such an apparatus, a first substrate has a first surface with first interconnects located on the first surface, and a second substrate has a second surface spaced apart from the first surface with a gap between the first surface and the second surface. Second interconnects are located on the second surface. Lower surfaces of the first interconnects and upper surfaces of the second interconnects are coupled to one another for electrical conductivity between the first substrate and the second substrate. A conductive collar is around sidewalls of the first and second interconnects, and a dielectric layer is around the conductive collar.

Abstract translation: 一种装置一般涉及一种微电子装置。 在这种装置中，第一基板具有第一表面，第一互连位于第一表面上，第二基板具有与第一表面间隔开的第二表面，第一表面与第二表面之间具有间隙。 第二互连位于第二表面上。 第一互连件的下表面和第二互连件的上表面彼此耦合，用于在第一基板和第二基板之间的导电性。 导电套环在第一和第二互连的侧壁周围，并且电介质层围绕导电套环。

公开(公告)号：WO2012060262A1

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：PCT/JP2011/074688

申请日：2011-10-26

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  保田 雄亮 ,  守田 俊章 ,  小林 芳男

Inventor： 保田　雄亮 ,  守田　俊章 ,  小林　芳男

IPC: H01B1/20 ,  H01L21/52 ,  H05K3/32

CPC classification number: H05K1/186 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/072 ,  H01L25/165 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11505 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13794 ,  H01L2224/13847 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8584 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H05K3/32 ,  H05K3/4614 ,  H05K2201/0266 ,  H05K2201/10636 ,  H05K2203/1131 ,  H05K2203/1157 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 　本発明は、ナノ粒子を用いた焼結接合剤において安定した分散性と接合性とを両立するとともにイオンマイグレーションを抑制することができる酸化銅ナノ粒子を主材とする焼結接合剤、その製造方法およびそれを用いた接合方法を提供することを目的とする。本発明に係る焼結接合剤は、酸化第二銅ナノ粒子を用いた焼結接合剤であって、粒径2 nm以上50 nm以下の前記酸化第二銅ナノ粒子を１次粒子として用い、前記１次粒子が凝集して粒径3 nm以上1000 nm以下の２次粒子を構成し、前記２次粒子が溶液中に分散していることを特徴とする。

Abstract translation: 本发明的目的是提供：主要由氧化铜纳米颗粒组成并能够抑制离子迁移的烧结粘合剂，同时在使用纳米颗粒的烧结粘合剂中的稳定分散性和充分粘合性之间具有良好的平衡; 烧结粘合剂的制造方法; 以及使用该烧结接合剂的接合方法。 该烧结粘合剂使用氧化铜（II）纳米粒子，其特征在于，使用粒径为2-50nm（含）的氧化铜（II）纳米粒子作为一次粒子; 一次粒子聚集形成粒径为3-1000nm（以下）的二次粒子; 二次粒子分散在溶液中。

公开(公告)号：WO2010062254A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：PCT/SG2008/000448

申请日：2008-11-27

Applicant: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH ,  NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY ,  WEI, Jun ,  ANG, Xiao Fang ,  WONG, Chee Cheong ,  CHEN, Zhong

Inventor： WEI, Jun ,  ANG, Xiao Fang ,  WONG, Chee Cheong ,  CHEN, Zhong

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11821 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11826 ,  H01L2224/11827 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13793 ,  H01L2224/13824 ,  H01L2224/13839 ,  H01L2224/13844 ,  H01L2224/13847 ,  H01L2224/13855 ,  H01L2224/13886 ,  H01L2224/1389 ,  H01L2224/13893 ,  H01L2224/1607 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/81099 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/36 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/254 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00

Abstract: A method for forming direct metal-metal bond between metallic surfaces is disclosed. The method comprises depositing a first nanostructured organic coating (118) on a first metallic surface (116) to form a first passivation layer thereon, the first nanostructured organic coating (118) comprising an organic phase with nanoparticles dispersed within the organic phase, contacting the first nanostructured organic coating (118) with a second metallic surface (126), and applying on the first and second metallic surfaces (116, 126) at least a bonding temperature of at least room temperature and/or a bonding pressure for a bonding period to bond the first and second metallic surfaces (116, 126) thereby forming the direct metal-metal bond therebetween. A second nanostructured organic coating (128) comprising an organic phase with nanoparticles dispersed within the organic phase may also be deposited on the second metallic surface (126).

Abstract translation: 公开了在金属表面之间形成直接金属 - 金属结合的方法。 该方法包括在第一金属表面（116）上沉积第一纳米结构化有机涂层（118）以在其上形成第一钝化层，第一纳米结构有机涂层（118）包含有机相，纳米颗粒分散在有机相内， 具有第二金属表面（126）的第一纳米结构有机涂层（118），并且在第一和第二金属表面（116,126）上至少施加至少室温的粘结温度和/或粘合时间段的粘合压力 以接合第一和第二金属表面（116,126），从而在它们之间形成直接金属 - 金属粘合。 包含分散在有机相内的纳米颗粒的有机相的第二纳米结构有机涂层（128）也可沉积在第二金属表面（126）上。