公开(公告)号：WO2015147848A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：PCT/US2014/032108

申请日：2014-03-28

申请人： INTEL CORPORATION

发明人： KANG, Jiho ,  KOTHARI, Hiten ,  MONTAROU, Carole C. ,  YEOH, Andrew W.

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： An embodiment includes a semiconductor structure comprising: a backend portion including a plurality of metal layers between bottom and top metal layers; the top metal layer including a top metal layer portion having first and second opposing sidewall surfaces and a top surface that couples the sidewall surfaces to one another; an insulator layer directly contacting the top surface; and a via coupling a contact bump to the top metal layer portion; wherein a first vertical axis, orthogonal to a substrate coupled to the backend portion, intercepts the contact bump, the nitride layer, the via, and the top metal layer portion. Other embodiments are described herein.

摘要翻译： 一个实施例包括半导体结构，包括：后端部分，其在底部和顶部金属层之间包括多个金属层; 所述顶部金属层包括具有第一和第二相对侧壁表面的顶部金属层部分和将所述侧壁表面彼此连接的顶部表面; 直接接触顶表面的绝缘体层; 以及将接触凸块耦合到顶部金属层部分的通孔; 其中与耦合到所述后端部分的衬底正交的第一垂直轴截取所述接触凸块，所述氮化物层，所述通孔和所述顶部金属层部分。 本文描述了其它实施例。

公开(公告)号：WO2014088966A3

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：PCT/US2013072675

申请日：2013-12-02

申请人： INVENSAS CORP

发明人： UZOH CYPRIAN EMEKA

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/10 ,  H01L23/498 ,  H05K3/34

CPC分类号： H05K13/046 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/10 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/05552

摘要： A microelectronic assembly (10, 110, 210, 310, 410) includes a first substrate (12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912) having a first conductive element (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) and a second substrate (14, 114, 214, 314, 414) having a second conductive element (26, 126, 226, 326, 426). The assembly further includes an electrically conductive alloy mass (16, 116) joined to the first and second conductive elements (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022), including a first, a second and a third material. First and second materials of the alloy mass (16, 116) each have a melting point lower than a melting point of the alloy. A concentration of the first material varies in concentration from a relatively higher amount at a location disposed toward the first conductive element (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) to a relatively lower amount toward the second conductive element (26, 126, 226, 326, 426), and a concentration of the second material varies in concentration from a relatively higher amount at a location disposed toward the second conductive element (26, 126, 226, 326, 426) to a relatively lower amount toward the first conductive element (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022). The microelectronic assembly (10, 110, 210, 310, 410) is formed by aligning the first substrate (12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912), having a first bond component (30, 230, 330, 430), with the second substrate (14, 114, 214, 314, 414), having a second bond component (40, 240, 340, 440), such that the first (30, 230, 330, 430, 1030) and second (40, 240, 340, 440) bond components are in contact with each other, the first bond component (30, 230, 330, 430, 1030) including a first material layer (36, 536, 636, 736, 836, 936) adjacent the first conductive element (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) and a first protective layer (38, 538, 638, 738, 838, 938) overlying the first material layer (36, 536, 636, 736, 836, 936), the second bond component (40, 240, 340, 440) including a second material layer (46) adjacent the second conductive element (26) and a second protective layer (48) overlying the second material layer (46), and heating the first (30, 230, 330, 430, 1030) and second (40, 240, 340, 440) bond components such that at least portions of the first (36, 536, 636, 736, 836, 936) and second (46) material layers diffuse together to form the alloy mass (16, 116) joining the first (12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912) and second (14, 114, 214, 314, 414) substrates with one another. There may be formed a plurality of first conductive elements (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) on the first substrate (12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912) and a plurality of second conductive elements (26, 126, 226, 326, 426) on the second substrate (14, 114, 214, 314, 414), joined by a plurality of conductive alloy masses (16, 116). The conductive alloy mass (116) may also surround and hermetically seal an internal volume.

摘要翻译： 微电子组件（10,110,210,310,410）包括具有第一导电元件（26,126,226）的第一衬底（12,112,212,312,412,512,612,712,812,912） 具有第二导电元件（26,126,226,326,426）的第二基板（14,114,214,314,414），以及具有第二导电元件（26,126,226,326,426）的第二基板（14,114,214,314,414）。 组件还包括接合到第一和第二导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1022）的导电合金块（16,116），包括第一， 第二和第三材料。 合金质量（16,116）的第一和第二材料的熔点低于合金的熔点。 第一材料的浓度在朝向第一导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1022）设置的位置处的相对较高的量的浓度变化到相对较低的量 朝向第二导电元件（26,126,226,326,426）的量，并且第二材料的浓度在朝向第二导电元件（26,126,226,326,426）设置的位置处的相对较高的量的浓度变化 ，426）朝向第一导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1012）相对较低的量。 微电子组件（10,110,210,310,410）通过使具有第一粘合组分（30,110,210,310,410）的第一粘合组分（30,110,210,310,410） 具有第二接合部件（40,42,340,440）的第二基板（14,114,214,314,414），使得所述第一基板（30,230,340,440） 所述第一接合部件（30,230,330,430,1030）包括第一材料层（36,536,630）和第二接合部件（40,42,340,440），所述第一接合部件 邻近第一导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1022）的第一保护层（38,538,638,738,838），第三保护层 ，覆盖在第一材料层（36,536,636,736,836,936）上的第二结合部件（40,240,340,440）包括邻近第二导电元件（26）的第二材料层（46） ）和覆盖在第二材料层（46）上的第二保护层（48），并且加热第一（30,230,33 0,430,1030）和第二（40,42,340,440）粘合部件，使得第一（36,536,636,736,836,936）和第二（46）材料层的至少一部分一起扩散到 形成将第一（12,112,212,312,412,912）和第二（14,114,214,314,414）基板彼此接合的合金块（16,116） 。 可以在第一衬底（12,112,212,312,412,512,512）上形成多个第一导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1022） 612,1112,812,912）以及由第二基片（14,114,214,314,414）上的多个第二导电元件（26,126,226,326,426）组成的多个导电合金块 （16,116）。 导电合金质量块（116）也可以围绕并气密地密封内部体积。

公开(公告)号：WO2013001225A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：PCT/FR2012/051460

申请日：2012-06-26

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  MARION, François

发明人： MARION, François

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/11827 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/81099 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/81355 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H05K3/10 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/131

摘要： Un composant de connexion électro-mécanique (10) muni sur une face de connexion d'inserts conducteurs (72) est destinés à être insérés dans des plots conducteurs respectifs (18) ménagés sur une face d'un autre composant de connexion (12) pour une hybridation du type face contre face. Chaque insert (72) du composant (10) comprend : une âme métallique creuse (50) constituée d'un fond disposé sur la face de connexion (14) et d'une paroi latérale faisant saillie dudit fond, définissant une surface interne de l'insert (72), au moins une portion de ladite surface interne étant non oxydée; et une couche métallique (70) recouvrant sensiblement uniquement la surface interne de l'âme métallique (50). Selon un mode de réa lisation, la couche métallique (70) comprende une première sous- couche (80) d'un métal oxydable et une seconde sous-couche (82) d'oxyd natif du métal consitutif de la première sous-couche (80).

摘要翻译： 本发明涉及一种机电连接部件（10），其在连接面上配有导电插入件（72），导电插入件（72）旨在插入到布置在另一个连接部件（12）的面上的相应导电焊盘（18）中，用于面对 表面杂交。 组件（10）的每个插入件（72）包括：由设置在连接面（14）上的基座形成的中空金属芯（50），以及从所述基座突出并限定插入件（72）的内表面的侧壁 ），所述内表面的至少一部分未被氧化; 以及仅覆盖金属芯（50）的内表面的金属层（70）。 根据一个实施例，金属层（70）包括可氧化金属的第一底层（80）和形成第一底层（80）的金属的天然氧化物的第二底层（82）。

公开(公告)号：WO2012081144A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：PCT/JP2011/004523

申请日：2011-08-10

申请人： パナソニック株式会社 ,  青井 信雄

发明人： 青井　信雄

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/05552

摘要： 　支持部材（５０）上に金属微粒子層（５１）を形成する。基板（１０）上に形成された電極（１１）の頂部を支持部材（５０）上の金属微粒子層（５１）に接触させて電極（１１）の頂部上に金属微粒子層（５１）の一部を付着させることにより、電極（１１）の頂部上に、金属微粒子層（５１）を構成する金属微粒子からなる付着層（１２）を形成する。基板（１０）上に形成された電極（１１）と、基板（２０）上に形成された電極（２１）とを互いに対向させ、付着層（１２）を介して、電極（１１）と電極（２１）とを接続することにより、基板（１０）と基板（２０）とを積層する。

摘要翻译： 提供了一种在支撑部件（50）的顶部上形成金属微粒层（51）的半导体器件。 在形成于基板（10）的顶部的电极（11）的顶部的顶部，形成包含构成金属微粒层（51）的金属微粒的粘合层（12），通过使电极的顶部 11）与支撑部件（50）的顶部的金属微粒层（51）接触，并且将金属微粒层（51）的一部分粘接到电极（11）的顶部。 基板（10）和基板（20）通过使形成在基板（10）的顶部上的电极（11）面对形成在基板（20）的顶部上的电极（21）而层叠，并且通过连接电极 （11）和电极（21）。

公开(公告)号：WO2014049551A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/IB2013/058896

申请日：2013-09-26

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： MARION, François

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L23/485 ,  H01L23/00 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81099 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0496 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： L'invention concerne un procédé d'assemblage de deux composants électroniques l'un à l'autre, lesdits composants comportant chacun une face d'assemblage, selon lequel on rapproche les deux faces d'assemblage l'une de l'autre selon une direction X dite d'assemblage et on applique une force donnée F à l'un et/ou l'autre des composants, l'une et/ou l'autre face(s) d'assemblage comportant: -des inserts de connexion en matériau rigide présentant une forme longitudinale allongée selon la direction X d'assemblage; -des pistes de connexion en matériau de dureté inférieure à celle des inserts et de forme longitudinale allongée transversalement à la direction X d'assemblage. procédé selon lequel: -on aligne les inserts en regard des pistes correspondantes de manière à ce que les inserts et les pistes forment deux à deux, après assemblage, au moins une intersection sensiblement transversale, -on applique la force F pour faire pénétrer les inserts dans les pistes jusqu'à obtenir l'assemblage.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于将两个电子部件连接在一起的装配方法，所述部件各自具有组装面，其中两个组装面以所谓的组装方向X一起移动，给定的力F施加到一个和 一个和/或另一个组装面具有：由刚性材料制成的连接插入件，其沿组装方向X具有细长的纵向形状; 由具有小于插入件的硬度的材料制成的并且具有横向于组装方向X的细长纵向形状的材料的连接轨道，其中在所述方法中： - 插入件对准相应的轨道，使得插入件和轨道形成 在组装之后，成对地，至少一个近似横向的交叉点，施加力F以使得插入件穿透到轨道中直到产生组件。

公开(公告)号：WO2013184921A2

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：PCT/US2013044519

申请日：2013-06-06

申请人： INVENSAS CORP

发明人： UZOH CYPRIAN EMEKA ,  WOYCHIK CHARLES G ,  CASKEY TERRENCE ,  DESAI KISHOR V ,  WEI HUAILIANG ,  MITCHELL CRAIG ,  HABA BELGACEM

IPC分类号： H01L23/15

CPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81805

摘要： A component 10 can include a substrate 20 and a conductive via 40 extending within an opening 30. The substrate 20 can have first and second opposing surfaces 21, 22. A dielectric material 60 can be exposed at an inner wall 32 of the opening 30. The conductive via 40 can define a relief channel 55 within the opening 30 adjacent the first surface 21. The relief channel 55 can have an edge 56 within a first distance D1 from the inner wall 32 in a direction D2 of a plane P parallel to and within five microns below the first surface 21, the first distance being the lesser of one micron and five percent of a maximum width of the opening 30 in the plane. The edge 56 can extend along the inner wall 32 to span at least five percent of a circumference of the inner wall.

摘要翻译： 部件10可以包括衬底20和在开口30内延伸的导电通孔40.衬底20可以具有第一和第二相对表面21,22。电介质材料60可以暴露在开口30的内壁32处。 导电通孔40可以在邻近第一表面21的开口30内限定释放通道55.释放通道55可以具有在与内壁32相距平行于第一距离D1的第一距离D1内的边缘56 在第一表面21之下的五微米内，第一距离是平面中开口30的最大宽度的一微米和百分之五。 边缘56可以沿着内壁32延伸以跨越内壁的圆周的至少百分之五。

公开(公告)号：WO2013060975A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：PCT/FR2012/052416

申请日：2012-10-23

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： ALIANE, Abdelkader

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/345 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/11552 ,  H01L2224/1183 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13075 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81234 ,  H01L2224/81238 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81409 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00

摘要： Un procédé de réalisation d'un dispositif hybridé consiste : à réaliser un premier composant (10) muni de billes métalliques (14), et un second composant (12) muni d'éléments de connexion (40, 42); fixer les billes (14) avec les éléments de connexion (40, 42). La fabrication du second composant (12) comporte : la réalisation, sur une face d'un substrat, d'éléments résistifs (24) aux emplacements prévus pour les éléments de connexion (40, 42); le dépôt d'une couche d'un isolant électrique (34) sur les éléments résistifs (24); et la réalisation des éléments de connexion (40, 42) comportant chacun un puits métallique (40) présentant une ouverture apte à recevoir la bille métallique (14) correspondante du premier composant microélectronique (10) et au moins partiellement rempli d'un élément fusible, notamment de l'indium ou un alliage d'étain et d'or, ou d'une encre conductrice (42), notamment à base d'argent ou de cuivre. La fabrication du puits métallique (40) comporte la réalisation d'une plage métallique (36) déposées sur la couche constituée d'un poly¬ mère fluoré et la découpe au laser d'une ouverture dans ladite plage métallique (36). En outre, la fixation des billes (14) avec les éléments de connexion (40, 42) comporte l'application d'un courant électrique au travers des éléments résistifs (24) de manière à échauffer les billes (14).

摘要翻译： 本发明涉及一种用于生产杂交装置的方法，包括：制备装备有金属凸块（14）的第一部件（10）和装有连接件（40,42）的第二部件（12）。 以及将所述凸块（14）接合到所述连接元件（40,42）上。 制造第二部件（12）涉及：在为连接元件（40,42）提供的位置中，在基板的一侧上产生电阻元件（24）; 在电阻元件（24）上沉积电绝缘体的层（34）; 以及生产各自包括具有用于接收所述第一微电子部件（10）的相应金属凸块（14）的开口的金属孔（40）的连接元件（40,42），所述开口至少部分地填充有可熔元件， 特别是铟或锡/金合金，或导电油墨（42），特别是基于银或铜的导电油墨（42）。 制造金属孔（40）涉及制造沉积在由氟化聚合物制成的层上并将激光切割到所述金属垫（36）中的开口的金属垫（36）。 此外，将凸块（14）接合到连接元件（40,42）包括通过电阻元件（24）施加电流以加热凸块（14）。

公开(公告)号：WO2012070480A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：PCT/JP2011/076628

申请日：2011-11-18

申请人： 田中貴金属工業株式会社 ,  小柏 俊典 ,  栗田 昌昭 ,  西森 尚 ,  兼平 幸男

发明人： 小柏　俊典 ,  栗田　昌昭 ,  西森　尚 ,  兼平　幸男

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L21/4885 ,  B22F7/08 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/322 ,  B23K2201/40 ,  B81C1/00095 ,  B81C1/00373 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/0194 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/031 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0567 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/05678 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11

摘要： 　本発明は、基板と、前記基板上に形成された少なくとも一つの金属配線素材と、前記基板と前記金属配線素材との間に形成された下地金属膜とからなり、前記金属配線素材を被転写物に転写させるための転写用基板であって、前記金属配線素材は、純度９９．９重量％以上、平均粒径０．０１μｍ～１．０μｍである金粉等を焼結してなる成形体であり、前記下地金属膜は、金等の金属又は合金等からなる転写用基板である。この転写用基板は、被転写物の加熱温度を８０～３００℃としても金属配線素材を被転写物に転写することができる。

摘要翻译： 本发明是一种用于将金属布线材料转移到接受转印物品的转印基板，包括基板，形成在该基板上的至少一种金属布线材料和形成在基板和金属布线材料之间的基底金属膜。 在转印基板中，金属配线材料是烧结纯度为99.9重量％，平均粒径为0.01μm〜1.0μm的金属粉末等的成型体，贱金属膜为金，另一方 金属或合金等。 即使接受转印的制品的加热温度为80〜300℃，该转印基板也可以将金属布线材料转印到接收转印的制品。

公开(公告)号：WO2009073087A3

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：PCT/US2008012989

申请日：2008-11-21

申请人： ADVANCED MICRO DEVICES INC ,  LEHR MATTHIAS ,  KUECHENMEISTER FRANK ,  THIERBACH STEFFI

发明人： LEHR MATTHIAS ,  KUECHENMEISTER FRANK ,  THIERBACH STEFFI

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L22/34 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： In sophisticated semiconductor devices (200) including copper-based metallization systems, a substantially aluminum-free bump structure (212D) in device regions (250D) and a substantially aluminum-free wire bond structure (212T) in test regions (250T) may be formed on the basis of a manufacturing process resulting in identical final dielectric layer stacks (203) in these device areas. The number of process steps may be reduced by making a decision as to whether a substrate is to become a product substrate or test substrate for estimating the reliability of actual semiconductor devices (202D). For example, nickel contact elements may be formed above copper-based contact areas (207D, 207T) wherein the nickel (213) may provide a base for wire bonding or forming a bump material thereon.

摘要翻译： 在包括铜基金属化系统的复杂半导体器件（200）中，在测试区域（250T）中的器件区域（250D）中的基本上不含铝的凸块结构（212D）和基本上不含铝的引线键合结构（212T））可以是 在制造工艺的基础上形成，从而在这些器件区域中产生相同的最终电介质层叠层（203）。 可以通过判断衬底是否成为用于估计实际半导体器件（202D）的可靠性的产品衬底或测试衬底来降低工艺步骤的数量。 例如，镍接触元件可以形成在铜基接触区域（207D，207T）之上，其中镍（213）可以提供用于引线接合的基底或在其上形成凸块材料。

公开(公告)号：WO2016123609A2

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：PCT/US2016/015951

申请日：2016-02-01

申请人： INVENSAS CORPORATION

发明人： KATKAR, Rajesh ,  UZOH, Cyprian, Emeka ,  SITARAM, Arkalgud, R.

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/768 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/528 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1379 ,  H01L2224/13809 ,  H01L2224/13811 ,  H01L2224/13847 ,  H01L2224/13855 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16014 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/81905 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/364 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2064

摘要： An apparatus relates generally to a microelectronic device. In such an apparatus, a first substrate has a first surface with first interconnects located on the first surface, and a second substrate has a second surface spaced apart from the first surface with a gap between the first surface and the second surface. Second interconnects are located on the second surface. Lower surfaces of the first interconnects and upper surfaces of the second interconnects are coupled to one another for electrical conductivity between the first substrate and the second substrate. A conductive collar is around sidewalls of the first and second interconnects, and a dielectric layer is around the conductive collar.

摘要翻译： 一种装置一般涉及一种微电子装置。 在这种装置中，第一基板具有第一表面，第一互连位于第一表面上，第二基板具有与第一表面间隔开的第二表面，第一表面与第二表面之间具有间隙。 第二互连位于第二表面上。 第一互连件的下表面和第二互连件的上表面彼此耦合，用于在第一基板和第二基板之间的导电性。 导电套环在第一和第二互连的侧壁周围，并且电介质层围绕导电套环。