公开(公告)号：WO2016063744A1

公开(公告)日：2016-04-28

申请号：PCT/JP2015/078719

申请日：2015-10-09

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 藤野　純司 ,  内田　祥久 ,  小川　翔平 ,  坂元　創一 ,  柳本　辰則

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01L23/48 ,  H01L24/09 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29123 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/34 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

摘要： 　アルミと銅を重ね合わせて圧接したクラッド材について、パワー半導体素子の電極表面にクラッド材のアルミ側を超音波接合などによって接合しておき、クラッド材の銅側にワイヤボンドを行うことで電気回路を形成する。さらにクラッド材をあらかじめパワー半導体素子の動作温度よりも高温で熱処理しておくことで、接合プロセス後に膜厚が成長しないようにアルミ及び銅の各々との界面に金属間化合物を十分に形成しておく。

摘要翻译： 其中铝和铜被覆盖并被压焊的包层，其中当包层的铝侧被超声波或以其他方式接合到功率半导体元件的电极表面时，在包层的铜侧进行引线接合 形成电路。 此外，在高于功率半导体元件的工作温度的温度下预先对包层进行热处理，在与铝和铜的界面处充分形成金属间化合物，使得在接合工艺之后膜的厚度不会增加。

公开(公告)号：WO2014132803A1

公开(公告)日：2014-09-04

申请号：PCT/JP2014/053287

申请日：2014-02-13

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 江草　稔 ,  重　和良

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/053 ,  H01L23/24 ,  H01L23/562 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01R4/48 ,  H01R12/585 ,  H01R13/05 ,  H01R13/405 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/2076

摘要： パッケージ(2)内に設置され、電力用半導体素子(6)を含む電気回路が形成された回路基板(5)と、パッケージ(2)内で電気回路と電気接続されるワイヤボンド部(35)と、被接続機器と電気接続するためのプレスフィット部(32)と、ワイヤボンド部(35)に連なる一端部がパッケージ(2)内で固定され、他端部がプレスフィット部(32)をパッケージ(2)から引き離すように支持する胴体部(33)とを有する複数のプレスフィット端子(3)と、を備え、複数のプレスフィット端子(3)のそれぞれは、胴体部(33)のうち、パッケージ(2)から露出した部分に、中心線の部分を残すように、中心線に垂直な方向における両側から括れた括れ部(36)が形成されている。

摘要翻译： 本发明提供有：安装在封装（2）中的电路板（5），其上形成有包括功率半导体元件（6）的电路的电路板（5） 以及多个压配合端子（3），其具有电连接到所述封装（2）中的所述电路的导线接合部（35），用于与要连接的装置建立电连接的压配部件（32），以及 主体部分（33）被支撑成使得与所述线接合部分（35）连续的端部固定在所述包装（2）内，并且所述另一端部将所述压配合部分（32）设置成远离所述包装（2） ）。 每个压入端子（3）具有从垂直于中心线的方向从两侧收缩的收缩部分（36），以便保持中心线处的部分，所述收缩部分（36）形成在 从所述包装（2）露出的所述主体部分（33）的部分。

公开(公告)号：WO2014097524A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：PCT/JP2013/006369

申请日：2013-10-29

申请人： パナソニック株式会社

发明人： 海原　一裕 ,  平野　博茂

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L23/5283 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00

摘要： 　半導体装置は、Ｓｉ基板上の素子電極の上方に積層された第１配線層と、第１配線層上方に積層された第２配線層とを備え、第１配線層は第１ソース電極配線及び第１ドレイン電極配線を含み、第２配線層は第２ソース電極配線及び第２ドレイン電極配線を含み、第１配線層は、第１ソース電極配線及び第１ドレイン電極配線が連続して配置されている第１領域と不連続に配置されている第２領域とを含み、第２ソース電極配線及び第２ドレイン電極配線のそれぞれは、第１領域と第２領域とを交互に覆うように配置され、第２領域の上方では外部接続端子が接続されず、第１領域の上方において第２ソース電極配線及び第２ドレイン電極配線と外部接続端子とが接合される。

摘要翻译： 该半导体装置设置有层叠在Si基板上的元件电极上方的第一布线层和层叠在第一布线层上方的第二布线层。 第一布线层包括第一源电极布线和第一漏电极布线，第二布线层包括第二源极布线和第二漏电极布线，第一布线层包括第一区域，其中第一源极布线和第一漏电极 连线配置，第一源电极配线和第一漏电极配线不连续地配置的第二区域。 第二源电极布线和第二漏极布线交替地覆盖第一区域和第二区域，外部连接端子不连接在第二区域上方，并且外部连接端子接合到第二源极电极布线，并且 所述第二漏极电极布线在所述第一区域上方。

公开(公告)号：WO2014083717A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：PCT/JP2013/003182

申请日：2013-05-20

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 出尾　晋一 ,  田屋　昌樹 ,  小原　太一 ,  西田　信也

IPC分类号： H01L23/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H05K1/0203 ,  H01L23/049 ,  H01L23/10 ,  H01L23/13 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4006 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H05K7/2039 ,  H05K7/209 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2076

摘要： 本発明は、放熱基板の冷却フィンへの固定により発生する樹脂ケースの変形を抑制し、樹脂ケース内に充填した樹脂へのクラックの発生を防止可能なパワーモジュールの提供を目的とする。本発明に係るパワーモジュールは端部に傾斜部を設けた放熱基板２０にパワー半導体素子４が搭載され、このパワー半導体素子４を取り囲み、樹脂ケース６を放熱基板２０と接するように配置し、放熱基板２０のパワー半導体素子４の搭載面の反対面側に接するように冷却フィン１０を配置し、放熱基板２０の傾斜部と接して放熱基板２０を冷却フィン１０に押さえ付ける押さえ手段１３を備えたものである。

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种功率模块，其中抑制了由于将散热板固定到冷却片而产生的树脂壳体变形，并且消除了施加在树脂壳体中的树脂中产生裂纹。 在该功率模块中，功率半导体元件（4）安装在散热板（20）上，散热板（20）在散热板的端部设有倾斜部分，树脂壳（6） 树脂壳体围绕功率半导体元件（4），并且树脂壳体与散热板（20）接触，散热片（10）设置成使得散热片与散热板（20）接触 ）表面，其上安装有功率半导体元件（4）的散热板表面的背面，并且设置有加压装置（13），所述按压装置将散热板（20）按压到冷却片（10） ）通过与散热板（20）的倾斜部分接触。

公开(公告)号：WO2013049061A9

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：PCT/US2012057116

申请日：2012-09-25

申请人： ALPHA METALS

发明人： KOEP PAUL J ,  MICHIEL DE MONCHY A ,  TORMEY ELLEN S

IPC分类号： H05K3/34

CPC分类号： H05K13/0465 ,  H01L24/11 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/1624 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/9201 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/2076 ,  H05K1/092 ,  H05K1/111 ,  H05K3/3421 ,  H05K3/3478 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/10689 ,  H05K2201/10969 ,  H05K2203/0405 ,  Y02P70/613

摘要： In accordance with one or more aspects, a method of reducing void formation in a solder joint may comprise applying a solder paste deposit to a substrate, placing a solder preform in the solder paste deposit, disposing a device on the solder preform and the solder paste deposit, and processing the solder paste deposit and the solder preform to form the solder joint between the device and the substrate. In some aspects, the substrate is a printed circuit board and the device is an integrated circuit package.

摘要翻译： 根据一个或多个方面，减少焊接接头中的空隙形成的方法可以包括将焊膏沉积物施加到基板上，将焊料预制件放置在焊膏沉积物中，在焊料预制件上设置装置和焊膏 沉积和处理焊膏沉积物和焊料预制件以形成器件和衬底之间的焊接接头。 在一些方面，衬底是印刷电路板，并且该器件是集成电路封装。

公开(公告)号：WO2013192054A1

公开(公告)日：2013-12-27

申请号：PCT/US2013/046044

申请日：2013-06-15

申请人： ADVANCED MICRO DEVICES, INC.

发明人： FU, Lei ,  ZHANG, Xuefeng ,  CAO, Lihong

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L23/293 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03416 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03515 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05584 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16506 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/00

摘要： Methods and apparatus to protect fragile dielectric layers in a semiconductor chip are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes forming a first polymer layer (105) over a conductor pad (60) of a semiconductor chip (15) where the conductor pad (60) has a first lateral dimension (X 1 ). An underbump metallization structure (55) is formed on the first polymer layer (105) and in ohmic contact with the conductor pad (60). The underbump metallization structure (55) has a second lateral dimension (X 2 ) greater than the first lateral dimension (X 1 ). A second polymer layer (130) is formed on the first polymer layer (105) with a first opening (135) exposing at least a portion of the underbump metallization structure (55).

摘要翻译： 公开了用于保护半导体芯片中易碎介质层的方法和装置。 在一个方面，提供一种制造方法，其包括在半导体芯片（15）的导体焊盘（60）上形成第一聚合物层（105），其中导体焊盘（60）具有第一横向尺寸（X1）。 底部金属化结构（55）形成在第一聚合物层（105）上并与导电垫（60）欧姆接触。 底部浸渍金属化结构（55）具有比第一横向尺寸（X1）大的第二横向尺寸（X2）。 在第一聚合物层（105）上形成第二聚合物层（130），其中第一开口（135）露出底部金属化结构（55）的至少一部分。

公开(公告)号：WO2013059181A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：PCT/US2012/060402

申请日：2012-10-16

申请人： INVENSAS CORPORATION

发明人： CHAU, Ellis ,  CO, Reynaldo ,  ALATORRE, Roseann ,  DAMBERG, Philip ,  WANG, Wei-shun ,  YANG, Se, Young ,  ZHAO, Zhijun

IPC分类号： H01L25/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/851 ,  H01L2224/8518 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/1715 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3511 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/1053 ,  Y10T29/49149 ,  Y10T29/49151 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076

摘要： A microelectronic package (10) can include wire bonds (32) having bases (34) bonded to respective conductive elements (28) on a substrate (12) and ends (36) opposite the bases (34). A dielectric encapsulation layer (42) extends from the substrate (12) and covers portions of the wire bonds (32) such that covered portions of the wire bonds (32) are separated from one another by the encapsulation layer (42), wherein unencapsulated portions (39) of the wire bonds (32) are defined by portions of the wire bonds (32) which are uncovered by the encapsulation layer (42). Unencapsulated portions (39) can be disposed at positions in a pattern having a minimum pitch which is greater than a first minimum pitch between bases (34) of adjacent wire bonds (32).

摘要翻译： 微电子封装（10）可以包括具有接合到衬底（12）上的相应导电元件（28）的基部（34）和与基底（34）相对的端部（36）的引线接合（32）。 电介质封装层（42）从衬底（12）延伸并且覆盖引线接合部分（32），使得引线键合的被覆部分（32）通过封装层（42）彼此分开，其中未封装 引线键合（32）的部分（39）由未被封装层（42）覆盖的引线键合（32）的部分限定。 未包封部分（39）可以布置在具有最小间距的图案的位置处，该最小间距大于相邻引线键合（32）的基部（34）之间的第一最小间距。

公开(公告)号：WO2012018593A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：PCT/US2011/045238

申请日：2011-07-25

申请人： INTEMATIX CORPORATION ,  LI, Yi-Qun ,  EDWARDS, Charles Owen ,  HUANG, Chih-Wei ,  LIU, Ah

发明人： LI, Yi-Qun ,  EDWARDS, Charles Owen ,  HUANG, Chih-Wei ,  LIU, Ah

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： An LED-based light emitting device comprises: a substrate; at least one LED die mounted to the substrate; at least one bond wire that electrically connects the LED die; and a light transmissive material (silicone) encapsulating the at least one LED die and at least one bond wire. The at least one bond wire has a hook-shaped portion that loops back on itself.

摘要翻译： 一种基于LED的发光器件包括：衬底; 至少一个安装在所述基板上的LED管芯; 至少一个电连接所述LED管芯的接合线; 以及封装所述至少一个LED管芯和至少一个接合线的透光材料（硅氧烷）。 所述至少一个接合线具有自身回绕的钩形部分。

公开(公告)号：WO2012004876A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：PCT/JP2010/061611

申请日：2010-07-08

申请人： 三菱電機株式会社 ,  前田 晃 ,  山田 朗 ,  林 建一

发明人： 前田　晃 ,  山田　朗 ,  林　建一

IPC分类号： H01L21/52

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L24/06 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/2076

摘要： 　本発明は、半導体素子（１）と基板（２）とが金属多孔質体（３）を介して接合された接合体であって、前記半導体素子（１）と前記基板（２）との間に前記金属多孔質体（３）が挟まれた状態で、該金属多孔質体（３）の一方の面が接合材を介して前記半導体素子（１）に接合され、該金属多孔質体（３）の他方の面が接合材を介して前記基板（２）に接合されており、前記金属多孔質体（３）の面内方向における中心部の機械的強度が周辺部よりも高いことを特徴とする接合体、および、それを備えた半導体装置である。

摘要翻译： 公开了作为半导体元件（1）的接合体和与其间的金属多孔体（3）接合的基板（2）。 粘结体的特征在于，所述金属多孔体（3）的一个表面与上述半导体元件（1）接合，其间具有接合材料，并且所述金属多孔体（3）的另一个表面与上述基板 2），在上述金属多孔体（3）夹在上述半导体元件（1）和上述基板（2）之间的状态下，其间具有接合材料，并且其特征还在于中心部分处的机械强度 在上述金属多孔体（3）的面内方向比周边部高。 另外公开了具备该半导体装置的半导体装置。

公开(公告)号：WO2011021317A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：PCT/JP2010/001169

申请日：2010-02-23

申请人： パナソニック株式会社 ,  仲野純章

发明人： 仲野純章

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00012

摘要： 　半導体デバイスは、基板（５）の上に形成された電極パッド（４）と、基板（５）及び電極パッド（４）の上に形成され、電極パッド（４）を露出する第１の開口部を有する第１の保護膜（３）と、電極パッド（４）の上に、第１の保護膜（３）における第１の開口部の周縁部を覆うように形成されたアンダーバリアメタル（２）と、アンダーバリアメタル（２）の上に形成されたバンプ（６）とを備えている。アンダーバリアメタル（２）の周縁部におけるアンダーバリアメタル（２）と第１の保護膜（３）との接触角は９０°未満とし、バンプ（６）の周縁部におけるバンプ（６）とアンダーバリアメタル（２）との接触角は９０°未満とする。

摘要翻译： 公开了一种半导体器件，其设置有：形成在基板（5）上的电极焊盘（4）; 第一保护膜（3），其形成在所述基板（5）和所述电极焊盘（4）上，并且具有从所述电极焊盘（4）露出的第一开口; 形成在电极焊盘（4）上的下阻挡金属（2），使得下阻挡金属覆盖第一保护膜（3）中的第一开口的边缘部分; 以及形成在下阻挡金属（2）上的凸块（6）。 在下阻挡金属（2）的边缘部分上的下阻挡金属（2）和第一保护膜（3）之间的接触角小于90°，​​并且凸起（6）和下部阻挡金属 凸块（6）的边缘部分上的阻挡金属（2）小于90°。