公开(公告)号：CN107039343A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710053291.4

申请日：2017-01-23

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 针贝笃史 ,  置田尚吾 ,  松原功幸 ,  广岛满 ,  奥根充弘

IPC分类号： H01L21/78 ,  B28D5/00

CPC分类号： H01L23/3157 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/5446 ,  B28D5/0005 ,  B28D5/0058

摘要： 本发明提供一种元件芯片的制造方法及元件芯片，能够抑制安装过程中的导电性材料的爬升。在分割具有多个元件区域的基板来制造多个元件芯片的元件芯片的制造方法中使用的等离子体处理工序中，通过将基板暴露于第一等离子体，从而将基板分割成元件芯片(10)。而且，形成为具备第一面(10a)、第二面(10b)及连结第一面(10a)和第二面(10b)的侧面(10c)的元件芯片(10)彼此隔开间隔地保持在载体(4)上的状态。通过将这些元件芯片(10)暴露于以氟化碳和氦气的混合气体为原料气体的第二等离子体中，从而仅在侧面(10c)形成覆盖元件芯片(10)的保护膜(12)，抑制安装过程中的导电性材料向侧面(10c)的爬升。

公开(公告)号：CN107017222A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610984517.8

申请日：2016-11-09

申请人： 安世有限公司

发明人： 梁志豪 ,  波姆皮奥·V·乌马里 ,  杨顺迪 ,  林根伟

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/481 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/03424 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05091 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/013 ,  H01L23/49838 ,  H01L21/4853

摘要： 本发明公开一种半导体装置以及一种制造该半导体装置的方法。该装置包括具有主表面的半导体基板、位于该主表面上的一个或多个接触以及覆盖至少该主表面的包封物。每个接触的外围边缘限定主该表面上的接触面积。该装置还包括位于该包封物外部的一个或多个结合衬垫。每个结合衬垫通过穿过该包封物的相应金属填充通孔电连接到相应接触，该接触位于该基板的该主表面上。当从该基板的该主表面上方查看时，每个相应金属填充通孔的侧壁在该通孔与该相应接触接合的点处落入由该相应接触限定的该接触面积内，由此填充每个相应通孔的该金属都不会延伸到每个相应接触的该接触面积外部。

公开(公告)号：CN107000125A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064748.0

申请日：2015-11-27

申请人： 西尔特克特拉有限责任公司

发明人： 克里斯蒂安·拜尔 ,  扬·黎克特

IPC分类号： B23K26/53

CPC分类号： H01L21/7813 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/38 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/78 ,  H01S5/0201

摘要： 本发明涉及一种用于在固体(1)中产生分离区域(2)的，尤其用于沿着分离区域(2)分开固体(1)的方法，其中待分离的固体部分(12)与减少了该固体部分(12)的固体(1)相比更薄。根据本发明，该方法优选至少包括下述步骤：借助于修改机构，尤其借助于至少一个激光器，尤其皮秒激光器或者飞秒激光器对固体(1)的晶格进行修改，其中该修改物，尤其激光束经由待分离的固体部分(12)的表面(5)进入到固体(1)中，其中在晶格中产生多个修改部(9)，其中晶格由于修改部(9)在围绕所述修改部(9)的区域中而至少在各一个部分中断裂。

公开(公告)号：CN106997853A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201610201251.5

申请日：2016-03-31

申请人： 美光科技公司

发明人： 吴铁将 ,  施信益

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2224/81 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50

摘要： 本发明公开了一种制作封装上封装构件的方法。先提供一载板，其上具有第一钝化层，然后于第一钝化层上形成重分布层，其中重分布层包含至少一介电层以及至少一金属层，金属层包含多数个第一凸块焊盘以及第二凸块焊盘，从介电层的一上表面暴露出来，其中第一凸块焊盘是设置于一芯片接合区，而第二凸块焊盘是设置于芯片接合区周围的一周边区，之后于第一凸块焊盘上接合至少一芯片，其中芯片是通过设置于第一凸块焊盘上的多数个凸块与重分布层电连结，最后于第二凸块焊盘上接合一晶粒封装，其中晶粒封装是通过设置于第二凸块焊盘上的多数个第二凸块与重分布层电连接。

公开(公告)号：CN106992151A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201710007888.5

申请日：2017-01-05

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 中村胜

IPC分类号： H01L21/78 ,  B28D5/00 ,  B23K26/38 ,  B23K26/53

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/5446 ,  B23K26/38 ,  B23K26/53 ,  B28D5/0011 ,  B28D5/0058

摘要： 提供晶片的加工方法，当在晶片的内部沿着分割预定线层叠多层改质层而进行分割时，通过对从初期改质层朝向正面成长的裂纹的方向进行限制，能够对分割面的弯曲行进进行抑制。一种晶片的加工方法，该晶片的加工方法包含如下的工序：初期改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从晶片的背面侧定位在与分割预定线对应的晶片内部的正面附近而沿着分割预定线照射激光光线，沿着分割预定线形成初期改质层；以及次期改质层形成工序，与初期改质层的背面侧相邻地定位激光光线的聚光点而沿着分割预定线进行照射，由此形成用于使裂纹从初期改质层朝向正面成长的次期改质层。

公开(公告)号：CN106985060A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201710037784.9

申请日：2017-01-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔相壹 ,  金昞豪 ,  崔洪硕

IPC分类号： B24B37/10 ,  B24B53/017 ,  B24B37/30 ,  B08B3/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/67092 ,  B24B7/228 ,  B24B41/068 ,  B24B49/12 ,  B24B55/02 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/68714 ,  B24B37/107 ,  B08B3/02 ,  B24B37/30 ,  B24B53/017 ,  H01L21/78

摘要： 基板减薄装置包括：能够支撑基板的工作盘；可旋转研磨装置，包括能够研磨被工作盘支撑的基板的轮顶端；清洁装置，配置为在研磨装置旋转的同时执行轮顶端的同步清洁。当使用基板减薄装置时，甚至可以以相当高的可靠性制造非常薄的半导体器件。

公开(公告)号：CN106971947A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201611019931.1

申请日：2016-11-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  叶松峯 ,  陈明发

IPC分类号： H01L21/58

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L24/13 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/83192

摘要： 本发明的实施例提供了半导体结构及其形成方法。该方法包括：提供第一半导体工件；在半导体工件的第一表面上沉积第一膜；在对预定波长范围内的光具有透射性的衬底上沉积第二膜；以及在预定接合温度和预定接合压力下将第一膜接合至第二膜。

公开(公告)号：CN106960780A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201710010031.9

申请日：2017-01-06

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 佐久间仁

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/78 ,  H01S5/00

CPC分类号： H01S5/0425 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2275 ,  H01S2301/176 ,  H01L21/02 ,  H01L21/78 ,  H01S5/00

摘要： 本发明的目的在于提供一种半导体激光元件的制造方法，该半导体激光元件的制造方法能够抑制晶片的断裂和激光棒的翘曲。其特征在于，具有：元件形成工序，在具有中央部和包围该中央部的外周部的晶片的该中央部形成多个半导体激光元件；镀敷工序，在该外周部的下表面形成具有格子状的槽的镀敷层，在该中央部的下表面不形成该镀敷层；激光棒工序，将该中央部的一部分切断而形成激光棒；以及单片化工序，将该激光棒单片化而形成半导体激光元件。

公开(公告)号：CN103508410B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201310251111.5

申请日：2013-06-21

申请人： 罗伯特·博世有限公司

发明人： J·莱茵穆特 ,  J·弗莱 ,  Y·贝格曼

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC分类号： H01L21/76224 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00095 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/83 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种用于制造具有电覆镀通孔（110）的构件（300）的方法。所述方法在此包括以下步骤：提供具有前侧（101）和与前侧（101）相对置的背侧（102）的半导体衬底（100），在半导体衬底（100）的前侧（101）上产生环形地包围接触区域（103）的绝缘沟槽（121），以绝缘材料（122）填充绝缘沟槽（121），通过在接触区域（103）中沉积导电材料在半导体衬底（100）的前侧（101）上产生电接触结构（130），去除半导体衬底（100）的背侧（102）上的留在接触区域（103）中的半导体材料（104）以便产生暴露接触结构（130）的下侧（134）的接触孔（111），在接触孔（111）中沉积金属材料（114）以便将电接触结构（130）与半导体衬底（100）的背侧（102）电连接。

公开(公告)号：CN106952986A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710386516.8

申请日：2017-05-26

申请人： 厦门市东太耀光电子有限公司

发明人： 陈永平

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L33/0095 ,  H01L21/78

摘要： 本发明提供了一种LED晶元切割方法，属于LED领域，具体包括以下步骤：S1，选定待切割晶元；S2，在待切割晶元上划分形成四个顶点都在待切割晶元圆周上的矩形区；S3，在待切割晶元的矩形区按照横向和竖向切割形成面积相对较大的第一芯片区；S4，在待切割晶元上的非矩形区域按照横向和竖向切割形成面积相对较小的第二芯片区。与现有技术相比，该LED晶元切割方法采用在同一LED晶元的矩形区切割形成面积相对较大的第一芯片区，在非矩形区切割形成面积相对较小的第二芯片区，这样可在同一LED晶元上同时切割两种不同大小的芯片区，提高LED芯片利用率，降低制造成本。