公开(公告)号：CN103137618B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210448360.9

申请日：2012-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 亚历克斯·卡尔尼茨基 ,  姚智文 ,  蔡军 ,  柳瑞兴 ,  段孝勤

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/76237 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/76216 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0921 ,  H01L29/1087

Abstract: 一种半导体结构，包括：衬底；位于衬底中的第一功率器件和第二功率器件；位于第一和第二功率器件之间的至少一个隔离部件；以及位于衬底中的邻接至少一个隔离部件的俘获部件。本发明提供了局部载流子寿命减少的结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN104850161B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201410181644.5

申请日：2014-04-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 穆罕默德·阿尔-夏欧卡 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基

IPC: G05F1/56

CPC classification number: G05F3/262 ,  G05F3/24

Abstract: 本发明提供了组合栅极基准电压源及其使用方法。基准电压源，该基准电压源包括配置为接收第一电流的组合栅极晶体管。该基准电压源还包括配置为接收第二电流的第一晶体管，该第一晶体管具有第一泄漏电流，其中，该第一晶体管以Vgs差分布置的方式与组合栅极晶体管连接。该基准电压源还包括配置为输出基准电压的输出节点，该输出节点连接至第一晶体管。该基准电压源还包括连接至输出节点的第二晶体管，该第二晶体管具有第二泄漏电流，其中，第一泄漏电流基本上等于第二泄漏电流。

公开(公告)号：CN105988500A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510099948.1

申请日：2015-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 穆罕默德·阿尔-夏欧卡 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基

IPC: G05F1/567

CPC classification number: G05F1/46 ,  G05F3/242 ,  H02M3/158

Abstract: 本发明提供了一种基准电流源，包括跟踪电压生成器。跟踪电压生成器包括翻转栅极晶体管和第一晶体管，第一晶体管具有第一漏电流，其中第一晶体管以Vgs减去布置与翻转栅极晶体管连接。跟踪电压生成器还包括被配置为输出跟踪电压的输出节点；和连接至输出节点的第二晶体管，第二晶体管具有第二漏电流。基准电流源还包括被配置为接收跟踪电压并且输出放大信号的放大器。基准电流源还包括被配置为接收放大信号并且引导基准电流流过其中的控制晶体管。基准电流源还包括与控制晶体管串联连接的控制电阻器。本发明还提供了一种使用基准电流源的方法。

公开(公告)号：CN103253625B

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201310001220.1

申请日：2013-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐家保 ,  洪嘉明 ,  戴文川 ,  王鸿森 ,  陈相甫 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基

IPC: H01L23/26 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0032 ,  B81B7/0038 ,  B81C1/00261 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种器件，所述器件包括与衬底结构接合的盖式衬底。所述衬底结构包括集成电路结构。所述集成电路结构包括设置在气体外泄阻止结构上的顶部金属层。至少一个MEMS器件设置在所述顶部金属层和所述气体外泄阻止结构的上方。本发明还公开了一种微电子机械系统(MEMS)结构以及形成MEMS结构的方法。

公开(公告)号：CN103579114A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310173218.2

申请日：2013-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张贵松 ,  郑钧文 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基 ,  朱家骅

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/768 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L24/09 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/64 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82 ,  H05K3/4661 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明提供堆叠的半导体器件的一个实施例。堆叠的半导体器件包括第一衬底；位于第一衬底上方的第一接合焊盘；包括在其上制造的第二电子器件的第二衬底；位于第二衬底上方的第二电子器件的上方的第二接合焊盘，第二接合焊盘与第二电子器件电连接；位于第二接触焊盘的上方并具有顶面的第二绝缘层，第二绝缘层与第一衬底的第一接合焊盘接合；和从与第一接合焊盘相对的表面延伸穿过第一衬底并穿过第二绝缘层的顶面到达第二接合焊盘的衬底通孔(“TSV”)。本发明还提供了集成半导体器件及其晶圆级制造方法。

公开(公告)号：CN103091368A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210382506.4

申请日：2012-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 亚历克斯·卡尔尼茨基 ,  刘怡劭 ,  梁凯智 ,  朱家骅 ,  郑创仁 ,  郑钧文

IPC: G01N27/00 ,  G01N27/414 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01N27/4145 ,  G01N27/414 ,  G01N27/4148 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L51/0093

Abstract: 本发明提供一种生物场效应晶体管(BioFET)和一种制作BioFET器件的方法。该方法包括使用与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容或者CMOS工艺特有的一个或者多个工艺步骤来形成BioFET。BioFET器件可以包括：衬底；栅极结构，设置于衬底的第一表面上；以及界面层，形成于衬底的第二表面上。界面层可以允许受体放置于界面层上以检测存在的生物分子或者生物实体。本发明还提供了兼容BioFET的CMOS。

公开(公告)号：CN105047627B

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201510096437.4

申请日：2015-03-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 亚历克斯·卡尔尼茨基 ,  段孝勤 ,  黄士芬 ,  郑新立 ,  徐英杰

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：具有顶面和底面的晶圆衬底；以及通过穿过晶圆衬底的顶面和底面的深沟槽绝缘体限定在晶圆衬底中的导电柱。制造半导体结构的方法包括以下步骤。从晶圆衬底的顶面形成深沟槽以在晶圆衬底中限定导电区。用掺杂剂掺杂导电区。用绝缘材料填充深沟槽以形成深沟槽绝缘体。以及从晶圆衬底的底面减薄晶圆衬底以暴露深沟槽绝缘体并且隔离导电区，从而形成导电柱。

公开(公告)号：CN106876423A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610861304.6

申请日：2016-09-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 亚历克斯·卡尔尼茨基 ,  庄学理 ,  黄胜煌 ,  江典蔚

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底；具有位于衬底上方的栅极和至少部分地位于衬底中的掺杂区域的晶体管区域；在晶体管区域上方的第一金属层；以及位于晶体管区域和第一金属层之间的磁性隧道结(MTJ)。本发明提供了一种用于制造半导体结构的方法，包括：在衬底上方形成晶体管区域，晶体管区域包括栅极和掺杂区域；在晶体管区域上方形成磁性隧道结(MTJ)，磁性隧道结电连接至晶体管区域；在MTJ上方形成第一金属层，第一金属层电连接至MTJ和晶体管区域。本发明的实施例还提供了一种制造半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN106816438A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201611092388.8

申请日：2016-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李陈毅 ,  黄士芬 ,  王培伦 ,  何大椿 ,  钟于彰 ,  穆罕默德·阿尔-夏欧卡 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/0883 ,  G05F3/08 ,  G05F3/242 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/0222 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/785 ,  H01L27/0886 ,  H01L21/823431

Abstract: 本发明的一些实施例提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一晶体管，被配置为包括第一阈值电压水平。该第一晶体管包括栅极结构。该栅极结构包括：包括第一导电类型的第一部件。第二晶体管被配置为包括与第一阈值电压水平不同的第二阈值电压水平。该第二晶体管包括栅极结构。该栅极结构包括：包括第一导电类型的第二部件。至少一个额外部件设置在第二部件上方。该至少一个额外部件包括与第一导电类型相反的第二导电类型。连接第一晶体管和第二晶体管以通过第一阈值电压水平和第二阈值电压水平之间的期望电压差确定至少一个额外部件的数量。本发明还提供了另一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN106486504A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610592321.4

申请日：2016-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈信宏 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基 ,  王文德

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/764 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683

Abstract: 一种方法，该方法包括：在衬底上形成深沟槽隔离结构，该衬底具有与正面表面相对的背面表面，深沟槽隔离结构向着正面表面打开。氧化物层形成在衬底的正面表面上以及深沟槽隔离结构的侧壁和底部上。去除衬底的正面表面上的氧化物层。去除衬底的位于深沟槽隔离结构的开口处的部分并且在衬底上形成外延层。本发明实施例涉及在图像传感器中制造深沟槽隔离结构的方法及其器件。