公开(公告)号：CN108231868A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711433835.6

申请日：2014-10-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·聪德尔 ,  K-H·巴赫 ,  A·伍德

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7815

摘要： 本发明涉及一种场效应构件，包括半导体主体，其在边缘区域从背面延伸至半导体主体的表面，并且半导体主体包括半导体台面，半导体台面以垂直于背面和/或表面的竖直的方向延伸至安置在表面之上的一个高度(hM)处的半导体台面顶侧，其中，半导体主体在竖直的横截面中还包括：漂移区，其至少在边缘区域中延伸至表面并且部分地安置在半导体台面之中；以及至少部分地安置在半导体台面之中的主体区，其与漂移区形成第一pn结，第一pn结在半导体台面的两个侧壁之间延伸，其中，第一pn结在水平方向上离半导体台面顶侧的垂直距离(d)会变化并且在由两个侧壁隔开的中央区域中采用最大的值(d1)。

公开(公告)号：CN102931962B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201210229121.4

申请日：2012-07-03

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： J·R·吉塔特 ,  F·鲍温斯

IPC分类号： H03K17/687 ,  H03K17/16

CPC分类号： H03K17/06 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7813 ,  H03K17/567

摘要： 本发明涉及形成半导体功率开关器件的方法及其结构。至少一个示例性实施方案涉及包括ctrl开关、sync开关的半导体功率开关器件，其中电阻器电气连接在所述ctrl开关与所述sync开关之间。

公开(公告)号：CN105355653B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201510679551.X

申请日：2011-05-25

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 哈姆扎·依玛兹 ,  陈军 ,  伍时谦 ,  李文军

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/866 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

摘要： 本发明提出了一种含有多个沉积在半导体衬底的顶面附近的顶部接线端的半导体功率器件。每个顶部接线端都由一个端子接触层构成，作为半导体衬底的顶面附近的硅化物接触层。半导体功率器件的沟槽栅极从半导体衬底的顶面打开，每个沟槽栅极都由硅化层构成，作为一个凹陷的硅化物接触层，沉积在每个沟槽栅极上方，沟槽栅极周围的半导体衬底的顶面稍下。

公开(公告)号：CN104576737B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201410543952.8

申请日：2014-10-15

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： F.希尔勒 ,  A.迈泽尔 ,  T.施勒泽尔

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/41

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/8083

摘要： 本发明涉及半导体器件。半导体器件包含在包含主要表面的半导体衬底中形成的晶体管。晶体管包含源极区、漏极区、沟道区、和栅极电极。源极区和漏极区沿着第一方向被安置，第一方向与主要表面平行。沟道区具有沿着第一方向延伸的脊的形状，脊包含顶侧和第一侧壁和第二侧壁。栅极电极被安置在沟道区的第一侧壁处，并且栅极电极不在沟道区的第二侧壁处。

公开(公告)号：CN105247683B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201480012210.0

申请日：2014-03-04

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 中野佑纪 ,  中村亮太

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

摘要： 本发明的半导体装置包含：第1导电型的半导体层，具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部；以及表面绝缘膜，以横跨所述单元部及所述外周部的方式配置，形成为在所述单元部比在所述外周部的部分薄。

公开(公告)号：CN107978633A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201711011664.8

申请日：2017-10-25

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： D.阿勒斯 ,  P.布兰德尔 ,  K.马托伊 ,  T.奥斯特曼 ,  M.孙德尔

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L27/105

CPC分类号： H01L27/0292 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0296 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/8083

摘要： 本发明公开了包含晶体管器件的半导体器件。实施例的半导体器件（10）包含在包含半导体本体（101）的半导体管芯（100）中的晶体管器件（11）。晶体管器件（11）包含并联连接并且在半导体本体（101）的第一表面（104）处覆盖全部有源区域（103）的至少80％的晶体管单元（102）。半导体器件（10）还包含在第一表面（104）处的、电连接到晶体管单元（102）中的每个的控制电极（106）的控制端子接触区域（G）。在第一表面（104）处的、电连接到晶体管单元（102）中的每个的第一负载端子区（108）的第一负载端子接触区域（S）。半导体器件（10）还包含在半导体管芯（100）中并且电耦合在控制端子接触区域（G）与第一负载端子接触区域（S）之间的电阻器（R）。

公开(公告)号：CN103633144B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201310367330.X

申请日：2013-08-21

申请人： 美格纳半导体有限公司

发明人： 申铉光

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

摘要： 本发明提供半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括:在其中形成有沟槽的半导体衬底;置于沟槽下侧内部的底电极，底电极具有不平坦的上表面;在底电极上部和沟槽侧壁上形成的绝缘层;和置于沟槽内侧底电极上部的顶电极，所述顶电极是不平坦的顶电极，其中所述顶电极构造为使得顶电极朝中央部倾斜。

公开(公告)号：CN107887431A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710906126.9

申请日：2017-09-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： J.G.拉文 ,  F.D.普菲尔施

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66969

摘要： 一种功率半导体装置包括：半导体主体，具有正面和背面；布置在正面的第一负载端子和布置在背面的第二负载端子；漂移区域，被包括在半导体主体中并且具有第一导电型的掺杂物；和第一基元，被布置在正面。功率半导体装置还包括第二基元。另外，所述功率半导体装置包括：第一背面发射极区域，被包括在半导体主体中，第一背面发射极区域以电气方式与第二负载端子连接并且具有第二导电型的掺杂物，其中第一背面发射极区域和第一基元具有第一共同横向延伸范围；和第二背面发射极区域，被包括在半导体主体中，第二背面发射极区域以电气方式与第二负载端子连接并且具有第一导电型的掺杂物，其中第二背面发射极区域和第二基元具有第二共同横向延伸范围。

公开(公告)号：CN107845677A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710383242.7

申请日：2017-05-26

申请人： 株式会社东芝

发明人： 玉城朋宏

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/0684

摘要： 本发明的实施方式提供一种寄生晶体管不易动作的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1电极、第2导电型的第4半导体区域、第1导电型的第5半导体区域、栅极电极、第2导电型的第6半导体区域、第2电极及第3电极。第2半导体区域及第3半导体区域设置于第1半导体区域之下。第3半导体区域的第2导电型的载流子浓度低于第2半导体区域的第2导电型的载流子浓度。栅极电极与第4半导体区域对向。第6半导体区域设置于第1半导体区域之上，且位于第3半导体区域之上。第2电极介隔第1绝缘层而与第6半导体区域对向。第3电极与第2电极电连接。

公开(公告)号：CN107833915A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710831909.5

申请日：2017-09-15

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： M.达伊内塞 ,  E.格里布尔

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3086 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66348

摘要： 本发明公开半导体器件。一种半导体器件包括半导体主体，其包括第一侧、第一导电类型的基极区，以及通过绝缘沟槽栅极电极结构与彼此分离的两个半导体台面，所述绝缘沟槽栅极电极结构从第一侧延伸到基极区中并且包括栅极电极和将栅极电极与半导体主体分离的电介质层。所述两个半导体台面中的每一个在垂直于第一侧的截面中包括与基极区形成第一pn结的第二导电类型的主体区、布置在主体区与第一侧之间并且具有比主体区更高的掺杂浓度的第二导电类型的闩锁安全区，以及布置在电介质层处并且在电介质层与闩锁安全区之间并且与主体区形成第二pn结的第一导电类型的发射极区。