公开(公告)号：CN102714201A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080061500.6

申请日：2010-12-07

申请人： 维西埃-硅化物公司

发明人： S.乔内伊 ,  S.贝拉尼 ,  F.郭 ,  S.毛 ,  P.王

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L24/73 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

摘要： 本发明涉及通过将多个管芯电连接至上和下引线框的半导体封装。上引线框中的每个相应引线组的相对边缘是弯曲的。上引线框中的引线电连接在相应管芯上的相应触点与下引线框中的引线的相应下部分之间。在包封之前，上引线框的每个相应引线组的弯曲的相对边缘支撑上引线框，将多个管芯设置在封装半导体中的上和下引线框的引线之间。在将包封的管芯分离之后，上引线为L形，且将管芯上侧的管芯触点电连接至管芯的下侧上的引线，使得封装触点在同一侧上。

公开(公告)号：CN102610658A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201110461353.8

申请日：2011-12-28

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 安德里安·米科莱伊恰克

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/866 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L24/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/87 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099

摘要： 在一个一般方面中，一种设备可包括势垒二极管，所述势垒二极管包括耦合到半导体衬底的耐热金属层，所述半导体衬底包括PN结的至少一部分，且所述设备可包括可操作地耦合到所述势垒二极管的过电流保护装置。

公开(公告)号：CN101488496B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200910004386.2

申请日：2004-05-13

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 白石正树 ,  岩崎贵之 ,  松浦伸悌 ,  宇野友彰

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H02M3/00

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L23/495 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49112 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015

摘要： 本发明公开了一种半导体集成电路。功率MOS-FET被用作非绝缘DC/DC变换器中的高端开关晶体管。用作功率MOS-FET源极端子的电极区分别通过连结导线连接到一个外部引线和两个外部引线。所述一个外部引线是连接到用于驱动栅极的通路上的外部端子。所述两个外部引线中的每一个是连接到主电流通路的外部端子。由于以分立的形式连接主电流通路和栅极驱动通路，因此可以减小寄生电感的影响，并提高电压变换效率。

公开(公告)号：CN102456655A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110349129.X

申请日：2011-10-14

申请人： 三垦电气株式会社

发明人： 荻野博之 ,  上野成则

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L2224/32245 ,  H01L2224/37 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种半导体模块。以高成品率制造搭载有多个半导体芯片的半导体模块。在该半导体模块(10)中，6个半导体芯片(12)以2×3的布局搭载在引线框(11)上，并且在其上设置夹式引线(13)。该半导体模块(10)与外部的电连接是通过作为引线框(11)的一部分的第1引线(112)、隔着绝缘部(14)固定于引线框(11)的第2引线(15)和第3引线(16)来进行的。在夹式引线主体(131)上设置有24个圆形开口部。在夹式引线主体(131)的背面侧设置有6个凸部。6个凸部与6个半导体芯片(12)对应形成，并经由焊锡层与各半导体芯片(12)相接合。

公开(公告)号：CN102403291A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110187480.3

申请日：2011-07-06

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： S·克里南 ,  王松伟

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L25/065 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/41 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 一种半导体零件以及用于制造半导体零件的方法，其中半导体零件包括叠层型半导体管芯。根据实施例，半导体零件包括具有零件接收区和多个键合焊盘的衬底。半导体芯片被附接于零件接收区。电连接器与半导体芯片和衬底耦连。第二半导体芯片被安装或被附接于电连接器的一个端部从而使该端部定位于半导体芯片之间。第二电连接器被耦连于第二半导体芯片和衬底之间。第三半导体芯片被安装于第二电连接器之上或者被附接与第二电连接器使得一部分在第二和第三半导体芯片之间。

公开(公告)号：CN102386106A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110257072.0

申请日：2011-08-24

申请人： 宇芯(毛里求斯)控股有限公司

发明人： R·S·S·安东尼奥 ,  M·H·麦凯瑞根 ,  A·苏巴吉奥 ,  A·C·托里阿戈

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/8485

摘要： 公开了一种部分图案化的引线框以及在半导体封装中制造和使用其的方法，其中该方法适于更佳的生产线自动化以及从中生产封装的改进的质量和可靠性。制造工艺步骤的主要部分用在一侧上形成为蹼状引线框的部分图案化的金属条执行，以使蹼状的引线框也是机械上刚性的和热力学上鲁棒的以在芯片附连和引线接合工艺期间、在芯片级和封装级上没有扭曲或变形地执行。仅在包括芯片和布线的前侧使用密封材料密闭地密封之后，金属引线框的底侧被图案化以隔离芯片焊盘和引线接合触点。被电隔离的所得封装允许进行拉伸测试和可靠的单片化。

公开(公告)号：CN1988137B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200610136222.1

申请日：2006-10-13

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 须藤进吾 ,  太田达雄 ,  谷口信刚 ,  吉田博 ,  樫本宽德

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/84 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明的目的在于提供能够不仅在长边方向而且在短边方向(与玻璃纤维的配置方向垂直的方向)上抑制树脂封装件翘曲的半导体装置。依据本发明的一实施例而提供的半导体装置的特征在于，设有：散热板；隔着绝缘层固定在散热板上的布线图案层；安装在布线图案层上的包含至少1个表面电极的半导体元件；在半导体元件的表面电极上电气连接的导电引线片；以及由线膨胀率的各向异性的热塑性树脂成形的树脂封装件。所述树脂封装件将散热板的至少一部分、布线图案层、半导体元件及导电引线片包围在内。导电引线片沿树脂封装件的线膨胀率成为最大的方向延伸。

公开(公告)号：CN101661953B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200910166647.0

申请日：2009-08-24

申请人： 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

发明人： 高桥和也

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/0804 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66295 ,  H01L29/732 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体装置。在具有两层电极结构的分立式双极型晶体管中，将第一层发射极电极与发射极区域由形成于它们之间的第一绝缘膜的发射极接触孔连接。将第二层发射极电极与第一层发射极电极由形成于它们之间的第二绝缘膜的发射极通孔连接。故在第二层发射极电极下方，发射极接触孔和发射极通孔重叠，产生两个绝缘膜厚度的高度差。该高度差也影响第二层发射极电极表面，在其上使用焊料粘合金属片时，由于凹凸大产生不良粘合。本发明的半导体装置使设于第一层发射极电极上下的发射极接触孔和发射极通孔不重叠，对于一个发射极电极使发射极接触孔和发射极通孔相互分开地配置多个。故在第二层发射极电极表面，即便高度差为最大，也仅受设于膜厚较厚的绝缘膜的发射极通孔高度差的影响，第二层电极表面的平坦性提高。可以避免金属片不良粘合。

公开(公告)号：CN101060090B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200710096115.5

申请日：2007-04-13

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 田中壮和 ,  高桥康平

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/80 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/37164 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/81224 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体器件上形成电极；在所述电极上形成导电凸起；把外部电线放置在所述导电凸起上；以及对所述外部电线和所述导电凸起进行激光焊接以建立电气连接。

公开(公告)号：CN101803015A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880107419.X

申请日：2008-06-23

申请人： 赛特克斯半导体公司

发明人： 瑞纳·卡斯特纳 ,  弗兰克-迈克尔·道博斯图特兹

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49548 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 半导体芯片封装(30)包括半导体芯片(31)、包括至少一个引线(32)的引线框、以及至少部分地封包所述半导体芯片(31)和所述引线框的封包层(34)。所述引线(32)包括第一部分(36)和第二部分，所述第一部分限定了在所述封装的外表面处至少部分暴露的引线框焊盘，所述第二部分从所述第一部分(36)向所述半导体芯片(31)延伸，将所述半导体芯片(31)的表面部分与所述引线框焊盘电连接。所述第一部分具有第一厚度，并且所述第二部分包括薄化部分(37)，所述薄化部分(37)具有比所述第一厚度更小的厚度。所述引线(32)还包括弯曲部分，并且其中所述薄化部分包括所述弯曲部分的至少一部分。