公开(公告)号：CN104103626B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201410127366.5

申请日：2014-03-31

申请人： 英特尔公司

发明人： H-J·巴斯

IPC分类号： H01L23/532

CPC分类号： H01L51/0048 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49872 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/645 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L29/1606 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 本申请公开了混合碳－金属互连结构。本公开的实施例涉及一种用于集成电路组件中的混合碳－金属互连结构的技术和构造。在一个实施例中，装置包括衬底、金属互连层和石墨烯层，该金属互连层设置在衬底上并且配置成作为石墨烯层的生长起始层，其中石墨烯层在金属互连层上直接形成，金属互连层和石墨烯层被配置成路由电信号。可描述和/或要求保护其它的实施例。

公开(公告)号：CN107680932A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201610620762.0

申请日：2016-08-01

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 周鸣

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/5329 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/52

摘要： 本发明公开了一种互连结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底；在所述衬底上的第一电介质层；和在所述衬底上贯穿所述第一电介质层的金属互连线；去除金属互连线两侧的第一电介质层以形成凹陷；在金属互连线暴露的表面上形成石墨烯层；沉积第二电介质层以填充所述凹陷并覆盖所述石墨烯层。本发明能够阻挡金属互连线中的金属向电介质层扩散。

公开(公告)号：CN106952864A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201610006671.8

申请日：2016-01-06

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 张海洋 ,  张城龙

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76852 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/53276

摘要： 本发明提供了一种互连结构及其形成方法，和一种集成电路，其中，所述互连结构的形成方法包括：提供基底，所述基底上具有介质层，所述介质层内形成有开口；在所述介质层上形成第一石墨烯层，所述第一石墨烯层覆盖所述开口的底部和侧壁；在所述第一石墨烯层上形成导电材料层，所述导电材料层填充满所述开口；刻蚀所述导电材料层，形成导电结构，所述导电结构包括位于所述开口内的第一部分和位于所述介质层上的第二部分。本发明所形成的互连结构的导电性好，且抑制了互连结构的电迁移现象。

公开(公告)号：CN106486183A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610306096.3

申请日：2016-05-10

申请人： 三星电子株式会社 ,  延世大学校原州产学协力团

发明人： 周建模 ,  张元硕 ,  郑灿文

IPC分类号： H01B5/16 ,  H01B1/20

CPC分类号： H01L24/33 ,  H01B1/22 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/5328 ,  H01L24/09 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29028 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29305 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29394 ,  H01L2224/29398 ,  H01L2224/29487 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/2957 ,  H01L2224/29691 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81026 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/1426 ,  H01R4/04 ,  H01R13/2414 ,  H05K3/323 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/0224 ,  H05K2201/026 ,  H05K2201/0323 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/0425 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01B5/16 ,  H01B1/20

摘要： 本公开涉及各向异性导电材料及包括其的电子装置。各向异性导电材料、包括各向异性导电材料的电子装置和/或制造电子装置的方法被提供。一种各向异性导电材料可以包括基体材料层中的多个颗粒。颗粒中的至少一些可以包括芯部分和覆盖芯部分的壳部分。芯部分可以包括在高于15℃且低于或等于约110℃或更低的温度处于液态的导电材料。例如，芯部分可以包括液态金属、低熔点焊料和纳米填料中的至少一种。壳部分可以包括绝缘材料。通过使用各向异性导电材料形成的接合部分可以包括从颗粒流出的芯部分，并且还可以包括金属间化合物。

公开(公告)号：CN103703563B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201280036869.0

申请日：2012-06-27

申请人： 美光科技公司

发明人： 古尔特杰·S·桑胡

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66022 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的一些实施例包括形成含石墨烯的开关的方法。可在基座上方形成底部电极，且可形成第一导电结构以从所述底部电极向上延伸。可沿所述第一导电结构的侧壁形成介电材料，同时使所述底部电极的一部分保持暴露。可形成石墨烯结构以与所述底部电极的暴露部分电耦合。可在所述石墨烯结构与所述第一导电结构相对的一侧上形成第二导电结构。可在所述石墨烯结构上方形成顶部电极，且所述顶部电极与所述第二导电结构电耦合。所述第一和第二导电结构可经配置以跨所述石墨烯结构提供电场。

公开(公告)号：CN102197476B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN200980142002.1

申请日：2009-08-28

申请人： 先进微装置公司

发明人： R·塞德尔 ,  F·费尤斯特 ,  R·里克特

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/53276 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 在半导体器件中，可基于含碳材料形成延伸穿过该器件的衬底的导通孔，从而提供与高温工艺良好的兼容性，同时还提供比掺杂半导体材料等优越的电性性能。因此，在一些实施例中，可在形成关键电路元件的任意工艺步骤之前形成该导通孔，以实质上避免该导通孔结构与该相应半导体器件的器件层的任何干扰。因此，可实现高效的三维集成方案。

公开(公告)号：CN105441903A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510831456.7

申请日：2009-02-20

申请人： 斯莫特克有限公司

发明人： 乔纳斯·贝尔格 ,  文森特·代马雷 ,  默罕默德·沙菲奎尔·卡比尔 ,  艾米·默罕默德 ,  大卫·布鲁德

IPC分类号： C23C16/44 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： C23C16/26 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  C23C16/503 ,  G02B6/26 ,  H01B13/0026 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/66439 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  C23C16/44 ,  B82B3/00

摘要： 本发明公开了一种制造一个或多个纳米结构的方法，所述方法包括：在基底的上表面沉积导电层；在所述导电层上沉积带图案的催化剂层；在所述催化剂层上生长一个或多个纳米结构；以及选择性地移除位于一个或多个纳米结构之间和周围的导电助层。本发明还公开了一种器件，包括基底，其中所述基底包括被一个或多个绝缘区域分开的一个或多个裸露金属岛；沉积在所述基底上的导电助层，所述导电助层至少覆盖一个或多个裸露金属岛或绝缘区域中的一部分；沉积在所述导电助层上的催化剂层；以及沉积在所述催化剂层上的一个或多个纳米结构。

公开(公告)号：CN102403304B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201110401441.9

申请日：2011-12-06

申请人： 上海集成电路研发中心有限公司

发明人： 赵宇航 ,  康晓旭

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53276 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种互连结构及其制作方法，采用牺牲层在互连介质之间形成空腔，使用碳纳米管作为局部互连的通孔互连材料，使用石墨烯纳米带作为金属线互连材料，互连介质中含有空腔，并使用传统CMOS后道铜互连技术应用在中间互连层次和全局互连层次中，可以有效地解决铜互连技术在局部互连尺寸较小时带来的高寄生电阻和寄生电容问题，其中通孔或接触孔内的碳纳米管和用于连接碳纳米管的石墨烯纳米带大幅度降低寄生电阻，互连介质中的空腔有效地降低层间寄生电容，同时石墨烯纳米带很薄，其连线之间的寄生电容也大幅度得到降低；本发明还兼容了现有的CMOS铜互连技术，有效地降低互连RC延迟，提高芯片性能，控制芯片成本。

公开(公告)号：CN103003921B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180033816.9

申请日：2011-06-07

申请人： 美光科技公司

发明人： 古尔特杰·S·桑胡

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L23/53276 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一些实施例包含电互连件。所述互连件可含有具有夹在非石墨烯区之间的石墨烯区的层压结构。在一些实施例中，所述石墨烯区与非石墨烯区可嵌套在彼此内。在一些实施例中，电绝缘材料可在所述层压结构的上部表面上方，且开口可穿过所述绝缘材料延伸到所述层压结构的一部分。导电材料可在所述开口内且与所述层压结构的所述非石墨烯区中的至少一者电接触。一些实施例包含形成电互连件的方法，其中非石墨烯材料与石墨烯交替地形成于沟槽内以形成嵌套的非石墨烯区与石墨烯区。

公开(公告)号：CN104934412A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510122317.7

申请日：2015-03-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨士亿 ,  田希文 ,  李明翰 ,  李香寰 ,  眭晓林

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76879 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的实施例提供了一种互连结构，其包括：衬底；位于衬底上方的第一导电部件；位于第一导电部件上方的第二导电部件；以及围绕第一导电部件和第二导电部件的介电层。第一导电部件的宽度和第二导电部件的宽度介于10nm与50nm之间。本发明的实施例还提供了一种用于制造互连结构的方法，包括(1)在介电层中形成通孔开口和线性沟槽，(2)在通孔开口中形成一维导电部件，(3)在线性沟槽的侧壁、线性沟槽的底部以及一维导电部件的顶部上方形成共形催化层，以及(4)从线性沟槽的底部和一维导电部件的顶部处去除共形催化层。