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公开(公告)号:CN102668075B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201080057868.5
申请日:2010-12-11
申请人: 超威半导体公司
发明人: 迈克尔·Z·苏
IPC分类号: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/42 , H01L23/00
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L21/54 , H01L23/055 , H01L23/3185 , H01L23/3737 , H01L23/42 , H01L23/433 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/131 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/26175 , H01L2224/2747 , H01L2224/29011 , H01L2224/29023 , H01L2224/29101 , H01L2224/29105 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29164 , H01L2224/29169 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/321 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/81801 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/1579 , H01L2924/16152 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 公开了使用焊料型热材料(90)为半导体器件建立传热途径的各种方法和装置。在一方面,提供了一种制造方法,包括提供具有基片和延伸到基片中第一距离的第一有源电路部分(40)的第一半导体芯片(20)。在第一半导体芯片(20)中形成抑制焊料扩散的屏障(135),该屏障(135)围绕该第一有源电路部分(40)但与该第一有源电路部分(40)横向分开并且延伸到基片中比该第一距离更大的第二距离。
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公开(公告)号:CN104658987A
公开(公告)日:2015-05-27
申请号:CN201410042445.6
申请日:2014-01-28
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号: H01L23/293 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/36 , H01L23/4334 , H01L23/49816 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/131 , H01L2224/16113 , H01L2224/16227 , H01L2224/29022 , H01L2224/29036 , H01L2224/29105 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/81191 , H01L2224/83191 , H01L2224/92225 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
摘要: 一种半导体器件包括:载具;管芯,包括第一面和第二面;多个第一导电凸块,设置在管芯的第二面和载具之间,管芯倒装接合在载具上;以及成型物,设置在载具上方并环绕管芯,其中,成型物包括设置在管芯的第一面上的凹进部,从而保持第一面的一部分未被成型物覆盖。此外,制造半导体器件的方法包括:提供载具;将管芯倒装接合在载具上;将橡胶材料设置在管芯的第一面上以及管芯的第一面内;以及形成环绕橡胶材料并覆盖载具的成型物。本发明还提供了半导体器件的制造方法。
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公开(公告)号:CN104704620B
公开(公告)日:2017-12-15
申请号:CN201380040541.0
申请日:2013-08-01
申请人: 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H05K3/3431 , B23K1/0016 , B23K1/20 , B23K3/0684 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L24/97 , H01L33/62 , H01L2224/29082 , H01L2224/29105 , H01L2224/29113 , H01L2224/325 , H01L2224/83143 , H01L2224/83192 , H01L2224/8321 , H01L2224/83815 , H01L2224/83907 , H01L2224/9205 , H01L2224/95085 , H01L2224/95101 , H01L2224/95146 , H01L2224/97 , H01L2924/01322 , H05K1/111 , H05K3/3468 , H05K13/0465 , H05K2201/10992 , H05K2203/044 , H05K2203/047 , H05K2203/048 , H01L2924/00012 , H01L2924/0105
摘要: 描述了用于流控自组装的双焊料层、电组件衬底以及采用所述流控自组装的方法。所述双焊料层包括在电组件衬底(18)的焊料焊盘(16)上所部署的基底焊料(14)的层上所部署的自组装焊料(12)的层。所述自组装焊料(12)具有小于第一温度的液相线温度,并且所述基底焊料(14)具有大于所述第一温度的固相线温度。在流控自组装方法期间所述自组装焊料(12)在第一温度下液化,以引起电组件(10)粘附到所述衬底(18)。在附接之后,所述衬底(18)被从浴器(20)被移除并且被加热,从而所述基底焊料(14)和自组装焊料(12)组合以形成合成合金(22),所述合成合金在所述组件(10)与所述衬底(18)上的所述焊料焊盘(16)之间形成最终的电焊料连接。
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公开(公告)号:CN105122447B
公开(公告)日:2017-07-04
申请号:CN201380071665.5
申请日:2013-12-02
申请人: 伊文萨思公司
发明人: C·E·尤佐
IPC分类号: H01L23/485 , H01L23/498 , H01L21/60 , H05K3/34 , H01L23/10 , H01L21/50
CPC分类号: H05K13/046 , H01L21/4853 , H01L21/50 , H01L21/76898 , H01L23/10 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/98 , H01L2224/02372 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05027 , H01L2224/05138 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/0518 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05187 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/13009 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/13076 , H01L2224/13078 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13138 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/1319 , H01L2224/14131 , H01L2224/16146 , H01L2224/16235 , H01L2224/16501 , H01L2224/16505 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/29011 , H01L2224/29023 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29105 , H01L2224/29109 , H01L2224/29138 , H01L2224/29147 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32501 , H01L2224/32505 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/81075 , H01L2224/8112 , H01L2224/81141 , H01L2224/81193 , H01L2224/81825 , H01L2224/83075 , H01L2224/8312 , H01L2224/83193 , H01L2224/83825 , H01L2924/00014 , H01L2924/381 , H01L2924/04953 , H01L2924/01071 , H01L2924/01042 , H01L2924/01015 , H01L2924/04941 , H01L2924/01074 , H01L2924/01047 , H01L2924/01031 , H01L2924/01034 , H01L2924/00012 , H01L2924/07025 , H01L2224/05552
摘要: 一种微电子组件(10、110、210、310、410)包括:第一衬底(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912),具有第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022);以及第二衬底(14、114、214、314、414),具有第二导电元件(26、126、226、326、426)。该组件还包括导电合金块(16、116),接合至第一和第二导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022),包括第一、第二和第三材料。导电合金块(16、116)的第一和第二材料的熔点均低于合金的熔点。第一材料的浓度从朝向第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)设置的位置处的相对较大量向朝向第二导电元件(26、126、226、326、426)的相对较小量变化,并且第二材料的浓度从朝向第二导电元件(26、126、226、326、426)设置的位置处的相对较大量向朝向第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)的相对较小量变化。通过将具有第一接合部件(30、230、330、430)的第一衬底(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)与具有第二接合部件(40、240、340、440)的第二衬底(14、114、214、314、414)对准来形成微电子组件(10、110、210、310、410),使得第一(30、230、330、430、1030)和第二(40、240、340、440)接合部件彼此接触,第一接合部件(30、230、330、430、1030)包括邻近第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)的第一材料层(36、536、636、736、836、936)以及上覆第一材料层(36、536、636、736、836、936)的第一保护层(38、538、638、738、838、938),第二接合部件(40、240、340、440)包括邻近第二导电元件(26)的第二材料层(46)以及上覆第二材料层(46)的第二保护层(48),并且加热第一(30、230、330、430、1030)和第二(40、240、340、440)接合部件使得第一(36、536、636、736、836、936)和第二(46)材料层的至少部分一起扩散以形成使第一(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)和第二(14、114、214、314、414)衬底彼此接合的合金块(16、116)。可以在第一衬底(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)上形成多个第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)以及在第二衬底(14、114、214、314、414)上形成多个第二导电元件(26、126、226、326、426),由多个导电合金块(16、116)接合。导电合金块(116)还可以包围并密封内部容积。
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公开(公告)号:CN106660153A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201580046808.6
申请日:2015-07-15
申请人: 阿尔法装配解决方案公司
IPC分类号: B23K1/00 , B23K1/002 , B23K1/005 , B23K1/08 , B23K35/00 , B23K35/14 , B23K35/26 , C22C13/00 , C22C13/02
CPC分类号: B23K35/262 , B23K1/0016 , B23K1/002 , B23K1/0056 , B23K1/085 , B23K35/00 , B23K35/0222 , B23K35/0227 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/26 , B23K2101/40 , B23K2101/42 , C22C13/00 , C22C13/02 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/29101 , H01L2224/29105 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29117 , H01L2224/29123 , H01L2224/29124 , H01L2224/29138 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29149 , H01L2224/29155 , H01L2224/29157 , H01L2224/2916 , H01L2224/29163 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/29172 , H01L2224/2918 , H01L2224/83815 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01032 , H01L2924/01034 , H01L2924/01052 , H01L2924/01058
摘要: 无铅无锑的焊料合金,其包含:(a)从1至4重量%银(b)从0.5至6重量%铋(c)从3.55至15重量%铟(d)3重量%或更少的铜(e)任选地下列元素中的一种或多种:0至1重量%镍、0至1重量%的钛、0至1重量%锰、0至1重量%的稀土(例如铈)、0至1重量%的铬、0至1重量%锗、0至1重量%的镓、0至1重量%的钴、0至1重量%的铁、0至1重量%的铝、0至1重量%的磷、0至1重量%的金、0至1重量%的碲、0至1重量%的硒、0至1重量%的钙、0至1重量%的钒、0至1重量%的钼、0至1重量%的铂、0至1重量%的镁(f)余量为锡连同任何不可避免的杂质。
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公开(公告)号:CN102892549A
公开(公告)日:2013-01-23
申请号:CN201180022297.6
申请日:2011-04-04
申请人: 铟泰公司
IPC分类号: B23K35/02 , B23K35/26 , B23K35/362
CPC分类号: B23K35/025 , B23K35/0244 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/264 , B23K35/362 , C22C12/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/27332 , H01L2224/27505 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/29105 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29298 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H05K3/3457 , H05K3/3484 , Y10T428/12493 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01083 , H01L2924/01031 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
摘要: 焊料膏包括约60wt%至约92wt%之间的量的第一焊料合金粉末;大于0wt%并且小于约12wt%的量的第二焊料合金粉末;和助焊剂;其中第一焊料合金粉末包括第一焊料合金,其固相线温度高于约260℃;和其中第二焊料合金粉末包括第二焊料合金,其固相线温度低于约250℃。
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公开(公告)号:CN106486183A
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201610306096.3
申请日:2016-05-10
申请人: 三星电子株式会社 , 延世大学校原州产学协力团
CPC分类号: H01L24/33 , H01B1/22 , H01L23/53276 , H01L23/5328 , H01L24/09 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/29028 , H01L2224/29105 , H01L2224/29198 , H01L2224/2929 , H01L2224/29305 , H01L2224/29309 , H01L2224/29313 , H01L2224/29393 , H01L2224/29394 , H01L2224/29398 , H01L2224/29487 , H01L2224/2949 , H01L2224/29499 , H01L2224/2957 , H01L2224/29691 , H01L2224/32225 , H01L2224/32227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81026 , H01L2224/81193 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81801 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83851 , H01L2924/01006 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/0134 , H01L2924/1426 , H01R4/04 , H01R13/2414 , H05K3/323 , H05K3/3436 , H05K2201/0224 , H05K2201/026 , H05K2201/0323 , H05K2201/10674 , H05K2203/0425 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/0103 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01B5/16 , H01B1/20
摘要: 本公开涉及各向异性导电材料及包括其的电子装置。各向异性导电材料、包括各向异性导电材料的电子装置和/或制造电子装置的方法被提供。一种各向异性导电材料可以包括基体材料层中的多个颗粒。颗粒中的至少一些可以包括芯部分和覆盖芯部分的壳部分。芯部分可以包括在高于15℃且低于或等于约110℃或更低的温度处于液态的导电材料。例如,芯部分可以包括液态金属、低熔点焊料和纳米填料中的至少一种。壳部分可以包括绝缘材料。通过使用各向异性导电材料形成的接合部分可以包括从颗粒流出的芯部分,并且还可以包括金属间化合物。
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公开(公告)号:CN103515311B
公开(公告)日:2016-02-24
申请号:CN201310262690.3
申请日:2013-06-27
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号: H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号: H01L24/83 , H01L21/561 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L23/49513 , H01L23/49582 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05568 , H01L2224/05582 , H01L2224/05611 , H01L2224/05618 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0566 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05672 , H01L2224/06181 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/2731 , H01L2224/27332 , H01L2224/27334 , H01L2224/29082 , H01L2224/29105 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29116 , H01L2224/29118 , H01L2224/2912 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29155 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/32245 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83439 , H01L2224/83447 , H01L2224/83825 , H01L2224/83855 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/92143 , H01L2224/92147 , H01L2224/94 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2224/83 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L21/56 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要: 本发明涉及芯片封装和制造芯片封装的方法。提供一种制造芯片封装的方法,该方法包括:在载体上形成层布置;在层布置上布置包括一个或多个接触焊盘的芯片,其中芯片覆盖层布置的至少一部分;以及选择性地去除层布置的一个或多个部分,并使用芯片作为掩模,使得由芯片覆盖的层布置的至少一部分不被去除。
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公开(公告)号:CN104094387A
公开(公告)日:2014-10-08
申请号:CN201380008409.1
申请日:2013-01-25
申请人: 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L24/32 , B23K1/0008 , B23K1/19 , B23K35/025 , B23K35/3006 , B23K2103/08 , B23K2103/56 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/83 , H01L2224/26125 , H01L2224/26155 , H01L2224/27013 , H01L2224/2732 , H01L2224/29016 , H01L2224/29105 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29118 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/30515 , H01L2224/32013 , H01L2224/32014 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32507 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/83801 , H01L2224/83825 , H01L2224/8384 , H01L2224/8392 , H01L2224/83948 , H01L2224/83951 , H01L2924/01013 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/0105 , H01L2924/01083 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H01L2924/1203 , H01L2924/1304 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要: 本发明涉及一种连接装置(100、200、300、400),包括至少一个电气元件和/或电子元件(1)。所述至少一个电气元件和/或电子元件(10)具有至少一个连接面(11),所述连接面借助于连接层(20)以材料连接的方式与接合配对件(40)连接。所述连接层(20)例如可以是在形成材料连接的条件下将接合配对件连接的粘接、钎焊、熔焊、烧结连接部或者其它已知的连接部。此外,以材料连接的方式与所述连接层(20)邻接地设有加强层(30’)。所述加强层(30’)具有比所述连接层(20)更高的弹性模量。因此,如果所述加强层(30’)通过外边界和内边界(36、35)被设计成框架状并且至少以它的外边界(36)包围所述至少一个电气元件和/或电子元件(10)的连接面(11),则得到特别大的保护作用。
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公开(公告)号:CN102668075A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201080057868.5
申请日:2010-12-11
申请人: 超威半导体公司
发明人: 迈克尔·Z·苏
IPC分类号: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/42 , H01L23/00
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L21/54 , H01L23/055 , H01L23/3185 , H01L23/3737 , H01L23/42 , H01L23/433 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/131 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/26175 , H01L2224/2747 , H01L2224/29011 , H01L2224/29023 , H01L2224/29101 , H01L2224/29105 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29164 , H01L2224/29169 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/321 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/81801 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/1579 , H01L2924/16152 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 公开了使用焊料型热材料(90)为半导体器件建立传热途径的各种方法和装置。在一方面,提供了一种制造方法,包括提供具有基片和延伸到基片中第一距离的第一有源电路部分(40)的第一半导体芯片(20)。在第一半导体芯片(20)中形成抑制焊料扩散的屏障(135),该屏障(135)围绕该第一有源电路部分(40)但与该第一有源电路部分(40)横向分开并且延伸到基片中比该第一距离更大的第二距离。
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