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公开(公告)号：CN107024303B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201611235039.7
申请日：2016-12-28
申请人： 亚太优势微系统股份有限公司
IPC分类号： G01L1/18
摘要： 一种微型压阻式压力传感器，包含一基材及一元件结构层。该基材形成有一振动空间。该元件结构层位于该基材上并具有一上表面，且于该上表面形成一与该振动空间位置相对应的凹槽并借此形成一介于该凹槽与该振动空间之间的可振动的薄膜。该凹槽由该薄膜及一连接该薄膜与该上表面的侧壁面所界定。该元件结构层还由离子植入形成一离子浓度较低的压阻区及一离子浓度较高的导线区，其中该压阻区从该薄膜延伸通过该侧壁面至该上表面，该导线区与该压阻区连接并分布在该上表面。
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公开(公告)号：CN105883712B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201510744069.X
申请日：2015-11-05
申请人： 亚太优势微系统股份有限公司
发明人： 殷宏林
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 一种具有支撑结构的微元件的制作方法，包含以下步骤：提供一第一晶圆；形成一与该第一晶圆接合的第一结构层；形成多个至少贯穿该第一结构层的沟槽，以界定出多个结构体；及可选择地对应至少一结构体形成一支撑结构，该支撑结构由介电材料形成且连接该结构体及该第一晶圆，以加强该结构体与该第一晶圆的接合强度。借此，避免结构体受后续制程应力作用与第一晶圆分离，而提升制程良率与元件的可靠度。
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公开(公告)号：CN103377956B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310129982.X
申请日：2013-04-15
申请人： 亚太优势微系统股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L23/49866 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/50 , H01L21/76251 , H01L23/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0347 , H01L2224/03614 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/2745 , H01L2224/27462 , H01L2224/2747 , H01L2224/27614 , H01L2224/29011 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29084 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32146 , H01L2224/32148 , H01L2224/32235 , H01L2224/32238 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48148 , H01L2224/48228 , H01L2224/48463 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73215 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81022 , H01L2224/81121 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81825 , H01L2224/81948 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83022 , H01L2224/83121 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83805 , H01L2224/83825 , H01L2224/83948 , H01L2224/9202 , H01L2224/92147 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/16235 , H01L2924/351 , H01L2924/00015 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明提供一种基材的接合方法，包含：首先提供一第一基材和一第二基材，其中一第一银层覆盖第一基材之表面，一第二银层覆盖第二基材之表面以及一金属层覆盖第二银层，其中金属层包含一第一锡层，接着进行一接合制程，将第一基材与第二基材对准，使得金属层和第一银层接触，并且施加负载并加热至一预定温度以生成Ag3Sn金属间化合物，最后降温并移除负载，完成接合制程。本发明的有益效果是改良接合晶圆之质量，使技术能实际应用于产品量产之上。
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公开(公告)号：CN107024303A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611235039.7
申请日：2016-12-28
申请人： 亚太优势微系统股份有限公司
IPC分类号： G01L1/18
CPC分类号： G01L9/0044 , G01L9/0047 , G01L9/0055 , G01L9/06 , G01L1/18
摘要： 一种微型压阻式压力传感器，包含一基材及一元件结构层。该基材形成有一振动空间。该元件结构层位于该基材上并具有一上表面，且于该上表面形成一与该振动空间位置相对应的凹槽并借此形成一介于该凹槽与该振动空间之间的可振动的薄膜。该凹槽由该薄膜及一连接该薄膜与该上表面的侧壁面所界定。该元件结构层还由离子植入形成一离子浓度较低的压阻区及一离子浓度较高的导线区，其中该压阻区从该薄膜延伸通过该侧壁面至该上表面，该导线区与该压阻区连接并分布在该上表面。
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公开(公告)号：CN105883712A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510744069.X
申请日：2015-11-05
申请人： 亚太优势微系统股份有限公司
发明人： 殷宏林
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： H01L23/562 , B06B1/0292 , B81B3/0078 , B81B2203/04 , H01L21/283 , H01L21/306 , H01L21/762 , H01L21/76251 , H01L23/00 , H01L24/03 , H01L24/84 , H01L24/95 , H01L2224/37599 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2224/37099 , B81C1/0065 , B81C1/00055 , B81C1/00666
摘要： 一种具有支撑结构的微元件的制作方法，包含以下步骤：提供一第一晶圆；形成一与该第一晶圆接合的第一结构层；形成多个至少贯穿该第一结构层的沟槽，以界定出多个结构体；及可选择地对应至少一结构体形成一支撑结构，该支撑结构由介电材料形成且连接该结构体及该第一晶圆，以加强该结构体与该第一晶圆的接合强度。借此，避免结构体受后续制程应力作用与第一晶圆分离，而提升制程良率与元件的可靠度。
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公开(公告)号：CN104973566A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510151343.2
申请日：2015-04-01
申请人： 亚太优势微系统股份有限公司
发明人： 殷宏林
CPC分类号： H01L21/02255 , B81C1/00047 , B81C2201/019 , H01L21/02554 , H01L21/187 , H01L21/461 , H01L21/78 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/09 , H01L24/80 , H01L24/92 , H01L2224/0355 , H01L2224/05551 , H01L2224/05638 , H01L2224/05686 , H01L2224/08145 , H01L2224/09181 , H01L2224/80006 , H01L2224/80013 , H01L2224/80894 , H01L2224/80896 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2924/01014 , H01L2924/05442 , H01L2924/00012 , H01L2224/80 , H01L2221/68381 , H01L21/306 , H01L2224/03
摘要： 本发明提供一种具精确间隙的微机电晶圆结构及其制作方法，该制作方法包括以下步骤。首先，提供一第一晶圆，第一晶圆具有一第一表面。接着，于该第一表面的形成至少两个以上具有不同掺杂浓度或不同掺杂物的掺杂区，以使每一该掺杂区具有不同的氧化速率。再来，对第一晶圆进行热氧化，以使不同的掺杂区上形成不同厚度的氧化层。之后，提供一第二晶圆。然后，将第二晶圆与第一晶圆相结合。本发明的有益效果是可以制造出成本较低、电容间极板具精确间隙的微机电晶圆结构。
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公开(公告)号：CN118545671A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202310161253.6
申请日：2023-02-24
申请人： 亚太优势微系统股份有限公司
摘要： 一种具有内嵌磁性材料的载板，包含基板、磁性材料、两个介电隔绝层，及导电金属层。所述基板包括两个相对的基板表面，及贯穿所述基板表面的基板通孔。所述磁性材料覆盖于所述基板通孔的内缘，包括两个相对从而分别与所述基板表面实质平行的磁性材料表面，及与所述基板通孔的内缘实质平行的磁性材料内缘。所述介电隔绝层分别设置在所述基板表面与所述磁性材料表面上。所述导电金属层分布于所述磁性材料内缘，并延伸至所述介电隔绝层的表面。借此，在后续制程时，磁性材料不会裸露在制程化学溶液中，从而避免磁性材料受损，提高制程良率。
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公开(公告)号：CN103377956A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310129982.X
申请日：2013-04-15
申请人： 亚太优势微系统股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L23/49866 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/50 , H01L21/76251 , H01L23/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0347 , H01L2224/03614 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/2745 , H01L2224/27462 , H01L2224/2747 , H01L2224/27614 , H01L2224/29011 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29084 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32146 , H01L2224/32148 , H01L2224/32235 , H01L2224/32238 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48148 , H01L2224/48228 , H01L2224/48463 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73215 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81022 , H01L2224/81121 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81825 , H01L2224/81948 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83022 , H01L2224/83121 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83805 , H01L2224/83825 , H01L2224/83948 , H01L2224/9202 , H01L2224/92147 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/16235 , H01L2924/351 , H01L2924/00015 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明提供一种基材的接合方法，包含:首先提供一第一基材和一第二基材，其中一第一银层覆盖第一基材的表面，一第二银层覆盖第二基材的表面以及一金属层覆盖第二银层，其中金属层包含一第一钖层，接着进行一接合制程，将第一基材与第二基材对准，使得金属层和第一银层接触，并且施加负载并加热至一预定温度以生成Ag3Sn金属间化合物，最后降温并移除负载，完成接合制程。本发明的有益效果是改良接合晶圆的质量，使技术能实际应用于产品量产之上。
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公开(公告)号：CN103245377A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210505202.2
申请日：2012-11-30
申请人： 亚太优势微系统股份有限公司
CPC分类号： G01P1/00 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , G01P15/0802 , G01P15/123
摘要： 一种单体化复合传感器及其封装品，所述封装品包含：一单体化复合传感器、一封盖及一底板。单体化复合传感器包含：一主体、一复合体、至少一连结梁及多个传感元件。复合体包括相连接的一质量块及一薄膜，两者共同界定出至少一空腔。连结梁连结主体与复合体，使复合体可相对于主体作运动。其中至少一个传感元件形成于薄膜位于空腔上的区域。封盖连接于单体化复合传感器的上表面，遮盖复合体及所述连结梁并与复合体及连结梁相间隔，且设有多个穿孔。底板连接于单体化复合传感器的下表面，与封盖位于单体化复合传感器的相反两侧，且与复合体相间隔。
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