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公开(公告)号：CN106548988B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201610601007.8
申请日：2016-07-27
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/367 , H01L23/373 , H05K3/20 , H05K7/20 , H05K1/02
摘要： 本发明能抑制半导体装置的散热性下降。在半导体装置(100)中，在散热基底(140)的背面形成有多个凹陷，凹陷构成为多个重叠。散热基底(140)的背面的多个凹陷通过对散热基底(140)的背面进行喷丸处理而形成。作为此时的喷丸处理的处理条件，在喷丸材料为SUS304、处理时间为20秒、超声波振幅为70μm时，优选将喷丸材料的平均粒径设为0.3mm～6mm。若在进行了基于上述处理条件的喷丸处理的散热基底(140)的背面隔着导热膏(160)设置散热片(170)，则散热基底(140)的重叠的多个凹陷相对于导热膏(160)的密接性因固着效果而得到提高。
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公开(公告)号：CN105612614B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201580002155.1
申请日：2015-02-20
申请人： 富士电机株式会社
摘要： 本发明的目的是提供一种不仅能降低与冷却器接合的金属板整体的弯曲，还能降低由接合多块绝缘电路基板产生的局部弯曲的半导体装置及半导体装置的制造方法。在金属板(20)的一个面上多块绝缘电路基板(21)相互间隔地配置并焊接接合的半导体装置中，在金属板(20)的与配置绝缘电路基板(21)的面相反侧的面上，具备对应于绝缘电路基板(21)的金属部(26)的配置的第一区域(13)，在第一区域(13)的至少一部分上具备表面加工硬化层(11)。通过利用表面加工硬化层(11)的压缩应力降低由绝缘电路基板(21)和金属板(20)的热膨胀差引起的局部的弯曲。
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公开(公告)号：CN104205301B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201280071499.4
申请日：2012-08-17
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/603 , H01L29/78
CPC分类号： H01L24/33 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L2224/0346 , H01L2224/04026 , H01L2224/05023 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/27332 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32014 , H01L2224/32225 , H01L2224/32238 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/33505 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48229 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/00015 , H01L2924/00014 , H01L2224/83205 , H01L2924/00
摘要： 本发明中，在成为半导体元件的正面电极的导电部(1)的表面对以铜为主要成分的第1金属膜(2)进行成膜。在第1金属膜(2)的表面对以银为主要成分的第2金属膜(3)进行成膜。在第2金属膜(3)的表面，经由含有银粒子的接合层(4)接合有金属板(5)，该金属板(5)用于电连接导电部(1)与其他构件(例如绝缘基板(23)的电路图案(24))。在第2金属膜(3)中不包含会使第2金属膜(3)与含有银粒子的接合层(4)的接合强度下降的镍。由此，能够提供具有较高的接合强度及优异的耐热性和散热性的电子元器件(10)以及电子元器件(10)的制造方法。
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公开(公告)号：CN106548988A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610601007.8
申请日：2016-07-27
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/367 , H01L23/373 , H05K3/20 , H05K7/20 , H05K1/02
CPC分类号： H01L23/3737 , H01L21/4871 , H01L21/4882 , H01L23/36 , H01L23/3675 , H01L23/3735 , H01L23/13 , H01L23/3672 , H05K1/02 , H05K1/0203 , H05K3/20 , H05K7/20 , H05K7/20436
摘要： 本发明能抑制半导体装置的散热性下降。在半导体装置(100)中，在散热基底(140)的背面形成有多个凹陷，凹陷构成为多个重叠。散热基底的背面进行喷丸处理而形成。作为此时的喷丸处理的处理条件，在喷丸材料为SUS304、处理时间为20秒、超声波振幅为70μm时，优选将喷丸材料的平均粒径设为0.3mm～6mm。若在进行了基于上述处理条件的喷丸处理的散热基底(140)的背面隔着导热膏(160)设置散热片(170)，则散热基底(140)的重叠的多个凹陷相对于导热膏(160)的密接性因固着效果而得到提高。(140)的背面的多个凹陷通过对散热基底(140)
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公开(公告)号：CN105612614A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201580002155.1
申请日：2015-02-20
申请人： 富士电机株式会社
CPC分类号： H01L23/367 , H01L21/4875 , H01L21/4882 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/49838 , H01L23/49861 , H01L23/49894 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明的目的是提供一种不仅能降低与冷却器接合的金属板整体的弯曲，还能降低由接合多块绝缘电路基板产生的局部弯曲的半导体装置及半导体装置的制造方法。在金属板(20)的一个面上多块绝缘电路基板(21)相互间隔地配置并焊接接合的半导体装置中，在金属板(20)的与配置绝缘电路基板(21)的面相反侧的面上，具备对应于绝缘电路基板(21)的金属部(26)的配置的第一区域(13)，在第一区域(13)的至少一部分上具备表面加工硬化层(11)。通过利用表面加工硬化层(11)的压缩应力降低由绝缘电路基板(21)和金属板(20)的热膨胀差引起的局部的弯曲。
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公开(公告)号：CN104205301A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201280071499.4
申请日：2012-08-17
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/603 , H01L29/78
CPC分类号： H01L24/33 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L2224/0346 , H01L2224/04026 , H01L2224/05023 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/27332 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32014 , H01L2224/32225 , H01L2224/32238 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/33505 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48229 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/00015 , H01L2924/00014 , H01L2224/83205 , H01L2924/00
摘要： 本发明中，在成为半导体元件的正面电极的导电部(1)的表面对以铜为主要成分的第1金属膜(2)进行成膜。在第1金属膜(2)的表面对以银为主要成分的第2金属膜(3)进行成膜。在第2金属膜(3)的表面，经由含有银粒子的接合层(4)接合有金属板(5)，该金属板(5)用于电连接导电部(1)与其他构件(例如绝缘基板(23)的电路图案(24))。在第2金属膜(3)中不包含会使第2金属膜(3)与含有银粒子的接合层(4)的接合强度下降的镍。由此，能够提供具有较高的接合强度及优异的耐热性和散热性的电子元器件(10)以及电子元器件(10)的制造方法。
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公开(公告)号：CN103415918A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201280012452.0
申请日：2012-03-08
申请人： 富士电机株式会社
CPC分类号： H01L24/29 , C23C18/165 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/36 , C23C18/54 , C23C28/02 , C23C28/022 , C23C28/023 , C25D5/12 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/84 , H01L2224/29 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/371 , H01L2224/40091 , H01L2224/40225 , H01L2224/73263 , H01L2224/83203 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/84203 , H01L2224/84801 , H01L2224/8484 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011
摘要： 在设置于半导体晶片上的导电部（1）的表面上执行电镀工艺前执行电镀预先处理。然后，通过NiP合金电镀工艺，在导电部（1）的表面上形成第一金属膜（2）。随后，通过替换Ag电镀工艺在第一金属膜（2）室的表面上形成第二金属膜（3）。然后半导体晶片被划块且切割为半导体芯片（20）。此后，向已经形成在半导体芯片（20）的前表面上的第二金属膜（3）的表面上施加包含Ag颗粒的导电组合物。通过加热来烧结该导电组合物来形成包含Ag颗粒的结合层（4），且然后经由包含Ag颗粒的结合层（4）来将金属板（5）结合至第二金属膜（3）的表面。因此，可以提供具有高结合强度、良好耐热性、和热辐射性质的电子组件，以及制造电子组件的方法。
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