半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106548988B

    公开(公告)日:2021-09-03

    申请号:CN201610601007.8

    申请日:2016-07-27

    摘要: 本发明能抑制半导体装置的散热性下降。在半导体装置(100)中,在散热基底(140)的背面形成有多个凹陷,凹陷构成为多个重叠。散热基底(140)的背面的多个凹陷通过对散热基底(140)的背面进行喷丸处理而形成。作为此时的喷丸处理的处理条件,在喷丸材料为SUS304、处理时间为20秒、超声波振幅为70μm时,优选将喷丸材料的平均粒径设为0.3mm~6mm。若在进行了基于上述处理条件的喷丸处理的散热基底(140)的背面隔着导热膏(160)设置散热片(170),则散热基底(140)的重叠的多个凹陷相对于导热膏(160)的密接性因固着效果而得到提高。

    半导体装置及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN105612614B

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201580002155.1

    申请日:2015-02-20

    IPC分类号: H01L23/36 H01L23/12

    摘要: 本发明的目的是提供一种不仅能降低与冷却器接合的金属板整体的弯曲,还能降低由接合多块绝缘电路基板产生的局部弯曲的半导体装置及半导体装置的制造方法。在金属板(20)的一个面上多块绝缘电路基板(21)相互间隔地配置并焊接接合的半导体装置中,在金属板(20)的与配置绝缘电路基板(21)的面相反侧的面上,具备对应于绝缘电路基板(21)的金属部(26)的配置的第一区域(13),在第一区域(13)的至少一部分上具备表面加工硬化层(11)。通过利用表面加工硬化层(11)的压缩应力降低由绝缘电路基板(21)和金属板(20)的热膨胀差引起的局部的弯曲。