半导体器件的制造方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101154606B

    公开(公告)日:2011-04-13

    申请号:CN200710154192.1

    申请日:2007-09-24

    Abstract: 本发明公开一种半导体器件的制造方法,在平面图中所述半导体器件的尺寸与半导体芯片的尺寸大致相同,半导体芯片以倒装方式结合到配线图案上,本发明的目的是提供一种半导体器件的制造方法,该制造方法能够减少制造步骤的数量,以实现制造成本的最小化。形成绝缘树脂(13)以覆盖多个内部连接端子(12)、以及多个半导体芯片(11)的形成有所述内部连接端子的表面,然后在绝缘树脂(13)之上形成用于形成配线图案的金属层(33),并且通过按压金属层(33)而使金属层(33)与多个内部连接端子(12)压力结合。

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