公开(公告)号：CN101911294B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200980101924.8

申请日：2009-01-07

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 妹尾贤

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L21/607

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/06 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/4899 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2224/78318 ,  H01L2224/85007 ,  H01L2224/85138 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

摘要： 一种形成在半导体装置的表面上的保护层。所述表面位于连接到所述半导体装置的焊盘上的电线的延长部被牵引到的一侧上。所述保护层被形成为使得其高度朝所述焊盘减小。

公开(公告)号：CN107464823A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201610383335.5

申请日：2016-06-02

申请人： 上海和辉光电有限公司

发明人： 王春梅

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  G06F3/041

CPC分类号： H01L27/323 ,  G06F3/0412 ,  G06F2203/04102 ,  G06F2203/04103 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/85007 ,  H01L2224/85951

摘要： 本发明提供一种显示装置及其制作方法，该显示装置包括：盖板，具有上表面和下表面，所述盖板包括形成于周缘的非可视区和围设于所述非可视区内的可视区；显示面板，设置于所述盖板的下表面，包含显示区和位于所述显示区外的外引脚接合区；柔性印刷电路板，电性连接至所述显示面板的外引脚接合区；所述盖板和所述显示面板之间还包括胶体，设置于所述显示面板的外引脚接合区。通过在显示面板的外引脚接合区填充胶体，使盖板与显示面板的外引脚接合区连接在一起，可有效提高外引脚接合区的强度，增强了显示装置的抗震动、抗落摔等性能。

公开(公告)号：CN104576599B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201410454274.8

申请日：2014-09-09

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 林子闳 ,  洪建州

IPC分类号： H01L23/522

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/02181 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08123 ,  H01L2224/08265 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/4502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/85007 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19051 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明公开一种半导体结构。半导体结构包括：基底；第一钝化层，设置于所述基底上；导电垫，设置于所述第一钝化层上；第二钝化层，设置于所述第一钝化层上；被动元件，设置于所述导电垫上，并穿过所述第二钝化层；以及有机可焊性保护膜，覆盖所述被动元件。本发明所公开的半导体结构，有机可焊性保护膜可以防止表面效应的发生，此外，能够减小电阻并具有较高的品质因数。

公开(公告)号：CN105075408A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480017971.5

申请日：2014-03-25

申请人： 赛姆布兰特有限公司

发明人： 伊丽莎白·邓肯

IPC分类号： H05K3/28

CPC分类号： H05K3/282 ,  H01L21/32138 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L2224/80007 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/82007 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/84007 ,  H01L2224/85007 ,  H01L2224/86007 ,  H05K1/181 ,  H05K3/285 ,  H05K2201/09872 ,  H05K2203/095 ,  H05K2203/1322 ,  H05K2203/1333 ,  H05K2203/1377

摘要： 本发明涉及具有共形涂层的电组件，其中所述共形涂层通过包括以下的方法是可获得的：(a)使式(I)的化合物和氟代烃进行等离子体聚合，其中，式(I)的化合物与氟代烃的摩尔比是从5:95至50:50，并且将所得聚合物沉积至电组件的至少一个表面上：其中：R1代表C1-C3烷基或C2-C3烯基；R2代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基；R3代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基；R4代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基；R5代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基；并且R6代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基，以及(b)使式(I)的化合物进行等离子体聚合并且将所得聚合物沉积至在步骤(a)中形成的聚合物上。

公开(公告)号：CN104576599A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410454274.8

申请日：2014-09-09

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 林子闳 ,  洪建州

IPC分类号： H01L23/522

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/02181 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08123 ,  H01L2224/08265 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/4502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/85007 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19051 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明公开一种半导体结构。半导体结构包括：基底；第一钝化层，设置于所述基底上；导电垫，设置于所述第一钝化层上；第二钝化层，设置于所述第一钝化层上；被动元件，设置于所述导电垫上，并穿过所述第二钝化层；以及有机可焊性保护膜，覆盖所述被动元件。本发明所公开的半导体结构，有机可焊性保护膜可以防止表面效应的发生，此外，能够减小电阻并具有较高的品质因数。

公开(公告)号：CN107731782A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710946975.7

申请日：2014-09-09

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 林子闳 ,  洪建州

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L23/66 ,  H01L49/02 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/02181 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08123 ,  H01L2224/08265 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/4502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/85007 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19051 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明公开一种半导体结构。半导体结构包括：基底；第一钝化层，设置于所述基底上；导电垫，设置于所述第一钝化层上；第二钝化层，设置于所述第一钝化层上；导电结构，设置于所述导电垫上；被动元件，设置于所述导电垫上，其中所述被动元件具有位于所述第二钝化层上的第一部分以及穿过所述第二钝化层的第二部分；可焊性保护膜，覆盖所述被动元件的所述第一部分；第一凸块下金属层，覆盖所述被动元件的所述第二部分；以及第二凸块下金属层，覆盖所述导电结构的一部分；其中，所述第一凸块下金属层与所述有机可焊性保护膜一起将所述被动元件包围起来；其中，所述第一凸块下金属层延伸至所述第二钝化层的上表面，并且所述有机可焊性保护膜不与所述第二钝化层相接触。本发明所公开的半导体结构，有机可焊性保护膜可以防止表面效应的发生，此外，能够减小电阻并具有较高的品质因数。

公开(公告)号：CN107230668A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710172477.1

申请日：2017-03-22

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： D·B·麦洛 ,  M·G·R·皮恩拉克 ,  B·J·L·维拉卡洛斯 ,  J·G·卡亚拜 ,  J·C·A·里曼多

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49582 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/05 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85043 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/8582 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01403 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/17724 ,  H01L2924/17747 ,  H01L2924/1776 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01029 ,  H01L23/4952 ,  H01L21/4821 ,  H01L23/49503 ,  H01L2224/85007 ,  H01L2224/86138

摘要： 一种半导体器件具有引线框架，该引线框架包括由细长引线(110)包围的焊盘(101)，这些引线(110)通过间隙(113)与焊盘隔开并且延伸到框架，焊盘和引线具有第一厚度并且具有第一表面和与第一表面相对且平行的第二表面；引线具有接近间隙的第一厚度的第一部分(112)和接近框架的第一厚度的第二部分(111)，以及在第一部分与第二部分之间的减小的第二厚度的区域；第一引线部分的第二表面与第二部分的第二表面(111a)共面。具有端子的半导体芯片被附连到焊盘。从端子到相邻引线的金属导线连接包括附连到引线的第一表面的针脚式键合。

公开(公告)号：CN101911294A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200980101924.8

申请日：2009-01-07

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 妹尾贤

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L21/607

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/06 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/4899 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2224/78318 ,  H01L2224/85007 ,  H01L2224/85138 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

摘要： 一种形成在半导体装置的表面上的保护层。所述表面位于连接到所述半导体装置的焊盘上的电线的延长部被牵引到的一侧上。所述保护层被形成为使得其高度朝所述焊盘减小。