半导体装置的制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107204298A

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201710129004.3

    申请日:2017-03-06

    发明人: 佐野雄一

    IPC分类号: H01L21/60

    摘要: 本发明的实施方式提供一种半导体装置的制造方法,能有效扩大在打线接合时产生接触等的接合线间的间隔。实施方式的半导体装置的制造方法包括以下步骤:使用插有接合线的毛细管,分别用接合线将多个第1接合部与多个第2接合部之间电连接;测定相邻接合线间的间隙;及在相邻接合线间的间隙为设定值以下的一组接合线间配置毛细管,使毛细管边与至少一条接合线接触边沿接合线的接线方向移动,扩大相邻接合线间的间隙。