公开(公告)号：CN108431952A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680058261.6

申请日：2016-10-12

申请人： 英帆萨斯公司

发明人： 阿修克·S·普拉布 ,  阿比欧拉·奥佐拉 ,  惠尔·佐尼 ,  威尔马·苏比杜

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L25/10 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/552 ,  H01L24/01 ,  H01L24/42 ,  H01L24/44 ,  H01L24/45 ,  H01L24/46 ,  H01L24/47 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/42 ,  H01L2224/44 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/46 ,  H01L2224/47 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014

摘要： 大致相关于一种垂直整合的微电子封装的设备被揭示。在本揭示的设备中，基板具有上表面以及与该上表面相对的下表面。第一微电子装置耦接至该基板的该上表面。该第一微电子装置是被动微电子装置。第一引线接合线耦接至该基板的该上表面，并且从该基板的该上表面延伸离开。第二引线接合线耦接至该第一微电子装置的上表面，并且从该第一微电子装置的该上表面延伸离开。该些第二引线接合线是比该些第一引线接合线短。第二微电子装置耦接至该些第一引线接合线以及该些第二引线接合线的上末端。该第二微电子装置是位在该第一微电子装置上方，并且至少部分地重叠该第一微电子装置。

公开(公告)号：CN105679746A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610239672.7

申请日：2016-04-15

申请人： 东莞铭普光磁股份有限公司

发明人： 杨智 ,  黄劲威

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/48137 ,  H01L2224/48463 ,  H01L25/00 ,  H01L21/50 ,  H01L24/47 ,  H01L2224/4901

摘要： 本发明公开了一种APD-TIA同轴型光电组件，用于提高光电组件的灵敏度，该APD-TIA同轴型光电组件的管座上设置有跨阻放大器、雪崩二极管以及二极管滤波电容，各电器元件间采用金丝引线进行电连接，其中，对性能有关键性影响的金丝引线包括PD+线、信号线和地线，PD+线的水平长度小于等于0.3毫米，PD+线的弧高小于等于0.15毫米，信号线的水平长度小于等于1毫米，信号线的弧高小于等于0.2毫米，地线的水平长度小于等于0.4毫米，地线的弧高小于等于0.15毫米。本发明实施例通过优化敏感位置的金丝引线的结构，即对金丝引线的长度和弧高作出定量的限制，从而更好的降低金丝引线的寄生电阻和电感。

公开(公告)号：CN106711113A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610145000.X

申请日：2016-03-14

申请人： 意法半导体公司

发明人： E·M·卡达格 ,  J·塔利多

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L23/4952 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/367 ,  H01L23/488 ,  H01L24/10 ,  H01L24/15 ,  H01L24/42 ,  H01L24/47 ,  H01L2224/17 ,  H01L2224/491

摘要： 一个或多个实施例涉及具有集成散热片的半导体封装体以及形成这些半导体封装体的方法。在一个实施例中，封装体包括多根引线，这些引线支撑并封闭该半导体裸片的多个周边部分。这些引线具有形成该封装体的多个外表面的第一和第二相对的表面。这些引线的第一表面可以形成散热片而这些引线的第二表面形成该封装体的用于耦接至另一个器件、衬底或板上的多个焊区。该封装体包括包封材料，该包封材料包围该半导体裸片并且位于这些引线的这些上部部分之间。该封装体进一步包括后部填充材料(或绝缘材料)，该后部填充材料在该半导体裸片下方并且在这些引线的这些下部部分之间。

公开(公告)号：CN104038680A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310726117.3

申请日：2013-12-25

申请人： 太阳诱电株式会社

发明人： 宫崎政志 ,  杉山裕一 ,  猿渡达郎 ,  横田英树 ,  秦丰

IPC分类号： H04N5/225

CPC分类号： H04N5/2257 ,  H01L24/47 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H04N5/2253 ,  H04N5/2254 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明提供一种能够满足薄型化要求的摄像机组件。该摄像机组件在部件内置基板（10）的表面（上表面）设置有具有大于摄像元件（15）的厚度的深度的凹部（CP），摄像元件（15）以其表面（上表面）与部件内置基板（10）的表面（上表面）之间存在间隙（GA）的方式安装于凹部（CP）的底面（CPa），并且摄像元件（15）的连接焊盘（15b）通过在空隙（GA）中经过的键合丝（BW）与设置于部件内置基板（10）的表面（上表面）的导体焊盘（12d）连接。

公开(公告)号：CN104038680B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201310726117.3

申请日：2013-12-25

申请人： 太阳诱电株式会社

发明人： 宫崎政志 ,  杉山裕一 ,  猿渡达郎 ,  横田英树 ,  秦丰

IPC分类号： H04N5/225

CPC分类号： H04N5/2257 ,  H01L24/47 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H04N5/2253 ,  H04N5/2254 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明提供一种能够满足薄型化要求的摄像机组件。该摄像机组件在部件内置基板(10)的表面(上表面)设置有具有大于摄像元件(15)的厚度的深度的凹部(CP)，摄像元件(15)以其表面(上表面)与部件内置基板(10)的表面(上表面)之间存在空隙(GA)的方式安装于凹部(CP)的底面(CPa)，并且摄像元件(15)的连接焊盘(15b)通过在空隙(GA)中经过的键合丝(BW)与设置于部件内置基板(10)的表面(上表面)的导体焊盘(12d)连接。

公开(公告)号：CN105529319A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201510673980.6

申请日：2015-10-16

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 石山祐介 ,  井本裕儿 ,  藤野纯司 ,  浅田晋助 ,  石原三纪夫

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/29

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L24/47

摘要： 目的在于提供一种半导体装置，其通过减小与由冷热循环引起的引线端子的膨胀收缩相伴的对封装树脂的应力，从而能够抑制在封装树脂产生裂纹，实现高寿命及高可靠性。半导体装置具有：半导体元件(1)，其下表面与绝缘基板(4a)侧接合；以及板状的引线端子(3a)，其与半导体元件(1)的上表面接合，具有沿水平方向延伸的部分，引线端子(3a)的沿水平方向延伸的部分包含与半导体元件(1)接合且在俯视观察时直线式地延伸的部分，半导体装置还具有将半导体元件(1)与引线端子(3a)的直线式地延伸的部分一起进行封装的封装树脂(5)，封装树脂(5)的线膨胀系数是引线端子(3a)的线膨胀系数和半导体元件(1)的线膨胀系数之间的中间值，引线端子(3a)具有将直线式地延伸的部分在水平方向上局部地断开的凹部(7b)或凸部(7a)。

公开(公告)号：CN105097748B

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201410165198.9

申请日：2014-04-23

申请人： 北京富纳特创新科技有限公司

发明人： 王昱权 ,  潜力

IPC分类号： H01L23/49

CPC分类号： H01L24/49 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4885 ,  H01L21/4889 ,  H01L23/04 ,  H01L23/49 ,  H01L23/52 ,  H01L23/552 ,  H01L24/42 ,  H01L24/44 ,  H01L24/45 ,  H01L24/46 ,  H01L24/47 ,  H01L24/48 ,  H01L29/413 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45193 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/4556 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种半导体封装件，其包括：一基板，该基板设置有多个导电迹线；一半导体预封装件，该半导体预封装件包括一半导体芯片和多个键合线，该半导体芯片表面设置有多个压焊点，且该多个键合线将所述半导体芯片的压焊点与所述基板上对应的导电迹线电性连接；一电磁屏蔽层，该电磁屏蔽层设置于所述半导体预封装件，并将整个半导体预封装件覆盖；一保护层，该保护层覆盖于所述电磁屏蔽层；所述键合线为碳纳米管复合线，该碳纳米管复合线包括碳纳米管单纱和包覆于该纳米管单纱的金属层，该碳纳米管单纱由多个碳纳米管加捻构成，该多个碳纳米管基本平行排列并沿该碳纳米管单纱轴向旋转。另外，本发明还提供一种键合线。

公开(公告)号：CN106469659A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610676908.3

申请日：2016-08-16

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 桑沢和伸 ,  新田博明 ,  远藤刚廣 ,  関泽充生

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L23/13

CPC分类号： H01L24/04 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/07 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/15 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/43 ,  H01L24/47 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明提供一种即使在元件上形成衬垫也能够防止元件的破坏的半导体装置。半导体装置包括：元件，其被配置于基板上；第一绝缘层；第一衬垫(a)以及第二衬垫(b)，其被配置于第一绝缘层上，且位于元件的上方；第二绝缘层，其被配置于第一绝缘层上、所述第一以及第二衬垫的各自的侧面上及上表面上，第二绝缘层具有位于所述第一以及第二衬垫的各自的上表面上的开口部。所述第一以及第二衬垫的各自的厚度为2μm以上，所述第二绝缘层的厚度为所述第一以及第二衬垫的各自的厚度的2/5倍以下，所述第一衬垫与所述第二衬垫之间的距离为所述第一以及第二衬垫的各自的厚度的4倍以上。

公开(公告)号：CN105529320A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201610046289.X

申请日：2016-01-25

申请人： 山东晶导微电子有限公司

发明人： 孔凡伟 ,  段花山 ,  贺先忠

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L2224/40245 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/47

摘要： 本发明的内嵌散热片的表面贴装功率器件封装结构，包括塑封体，塑封体内设置有引脚且引脚伸出至塑封体外，所述引脚位于塑封体内部分的上表面设置有散热片。本发明在不改变表面贴装功率器件外形的情况下，内嵌散热片，在保证兼容大多数类似封装的情况下，提高了散热效果，使得封装的产品有更低的热阻，较同外形尺寸的其它封装形式的稳态热阻减少大约5%，瞬态热阻减少大约50%，封装的功率密度（W/mm2）装提高大约12%，提高了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN105097748A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410165198.9

申请日：2014-04-23

申请人： 北京富纳特创新科技有限公司

发明人： 王昱权 ,  潜力

IPC分类号： H01L23/49

CPC分类号： H01L24/49 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4885 ,  H01L21/4889 ,  H01L23/04 ,  H01L23/49 ,  H01L23/52 ,  H01L23/552 ,  H01L24/42 ,  H01L24/44 ,  H01L24/45 ,  H01L24/46 ,  H01L24/47 ,  H01L24/48 ,  H01L29/413 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45193 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/4556 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种半导体封装件，其包括：一基板，该基板设置有多个导电迹线；一半导体预封装件，该半导体预封装件包括一半导体芯片和多个键合线，该半导体芯片表面设置有多个压焊点，且该多个键合线将所述半导体芯片的压焊点与所述基板上对应的导电迹线电性连接；一电磁屏蔽层，该电磁屏蔽层设置于所述半导体预封装件，并将整个半导体预封装件覆盖；一保护层，该保护层覆盖于所述电磁屏蔽层；所述键合线为碳纳米管复合线，该碳纳米管复合线包括碳纳米管单纱和包覆于该纳米管单纱的金属层，该碳纳米管单纱由多个碳纳米管加捻构成，该多个碳纳米管基本平行排列并沿该碳纳米管单纱轴向旋转。另外，本发明还提供一种键合线。