公开(公告)号：EP3167481A1

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：EP15729156.8

申请日：2015-06-15

申请人： Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG

发明人： WIESELER, Elisa ,  KRÜGER, Frank ,  BLEIFUSS, Martin ,  SCHÄFER, Michael ,  HINRICH, Andreas ,  KLEIN, Andreas Steffen

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L21/48 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40491 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599

摘要： The invention relates to a method for producing a substrate adapter (27), which is used in particular to contact semiconductor elements (32), comprising the following steps: - applying a contacting material (13) to one side (12) of a carrier (10), - structuring an electrically conductive metal element, - positioning the structured metal element (15) on the carrier (10) in such a way that a first side (17) of the metal element (15) and the side (12) of the carrier (10) provided with the contacting material (13) are arranged facing each other, - joining the structured metal element (15) to the carrier (10) provided with contacting material (13), - applying a transfer element (22) to a second side (20) of the structured metal element (15), and - separating the transfer element (22) and/or the structured metal element (15), which is joined by means of contacting material (13), for further processing.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造其特别用于接触半导体元件（32），其包括以下步骤的基片的适配器（27）全部： - 将接触材料（13）到载体的一侧（12） （10） - 导电金属元件的结构， - 所述载体（10）上的结构的金属元件（15）定位在寻求一种方法所做的金属元件（15）和侧部的第一侧（17）（12 ）提供与所述接触材料（13）的载体（10）被布置成面对海誓山盟， - 接合结构的金属元件（15），以提供具有接触材料（13载体（10））， - 将传递元件（ 22）到所述结构化金属元件（15），和的第二侧（20） - 其通过接触材料而接合分离的传送元件（22）和/或结构化金属元件（15），所有（13） 用于进一步处理。

公开(公告)号：EP2648212A4

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：EP10860383

申请日：2010-11-29

申请人： TOYOTA MOTOR CO LTD

发明人： TANAKA HIROAKI

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L23/52 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L23/498 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48132 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device disclosed in this description has a semiconductor substrate including an element region in which a semiconductor element is formed, and an upper surface electrode formed on an upper surface of the element region of the semiconductor substrate. The upper surface electrode has a first thickness region and a second thickness region which is thicker than the first thickness region, and a bonding wire is bonded on the second thickness region.

公开(公告)号：EP0152818A2

公开(公告)日：1985-08-28

申请号：EP85100886.2

申请日：1985-01-29

申请人： Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft

发明人： Nippert, Georg, Dipl.-Phys. ,  Hahn, Bertold ,  Gobrecht, Jens, Dr. Dipl.-Phys.

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L25/04

CPC分类号： H01L24/49 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： Zur Vermeidung aufwendiger Lötformen für die Herstellung von Modulen mit gesteuerten Leistungshalbleiterbauelementen wird ein Leistungshalbleitermodul (1) mit mindestens zwei parallelen Substraten (2, 3) vorgeschlagen, wobei zwischen jeweils zwei Substraten (2, 3) mindestens ein gesteuertes Leistungshalbleiterbauelement (5) angeordnet ist, das direkt oder über Ausgleichstücke (7) mit einer Metallisierung (4) auf den Substraten (2, 3) über und unter dem gesteuerten Leistungshalbleiterbauelement (5) kontaktiert ist. Sämtliche Leitungsverbindungen lassen sich dabei in Form von Leiterbahnen (9) auf keramische Platten (2, 3) oder Hülsen (17) oder Kontaktstempel (10) zwischen Substraten (2, 3) realisieren, so daß Kontaktbügel entfallen.

摘要翻译： 半导体功率模块包括至少两个相互平行的陶瓷衬底，每个陶瓷衬底具有两个侧面，金属化层设置在每个衬底的至少一侧上，至少一个被控制的半导体功率部件设置在每个两个相应的衬底之间并且被上述的金属化部分接触， 在部件下方，部件上方的基板具有形成在部件上方的至少一个孔，用于容纳到部件的控制连接。

公开(公告)号：EP0081135A3

公开(公告)日：1984-07-25

申请号：EP82110816

申请日：1982-11-23

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Marks, Robert ,  Phelps, Douglas Wallace, Jr. ,  Ward, William Carroll

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L23/538 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/91 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/4823 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H05K3/4015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00

摘要： A novel substrate (10) is disclosed which can mount either flip-chip solder bonded IC chips (12) or wire bonded chips (18), or both chips, or a single chip having both solder bonds and wire bond. The substrate has an array of solder pads (26,28) which will accept solder bonds. Those pads (28) which are to be used for wire bonding have mounted thereon a trimetallic pedestal (30). Each pedestal has a layer (32) of solder metal bonded to the solder pad, a top layer metal (34) suitable for wire bonding, such as, aluminum or gold, and an intermediate layer (36) of metal, such as nickel, which is impervious to both solder metal and the top layer metal.

公开(公告)号：EP0081135A2

公开(公告)日：1983-06-15

申请号：EP82110816.4

申请日：1982-11-23

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Marks, Robert ,  Phelps, Douglas Wallace, Jr. ,  Ward, William Carroll

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L23/538 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/91 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/4823 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H05K3/4015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00

摘要： A novel substrate (10) is disclosed which can mount either flip-chip solder bonded IC chips (12) or wire bonded chips (18), or both chips, or a single chip having both solder bonds and wire bond. The substrate has an array of solder pads (26,28) which will accept solder bonds. Those pads (28) which are to be used for wire bonding have mounted thereon a trimetallic pedestal (30). Each pedestal has a layer (32) of solder metal bonded to the solder pad, a top layer metal (34) suitable for wire bonding, such as, aluminum or gold, and an intermediate layer (36) of metal, such as nickel, which is impervious to both solder metal and the top layer metal.

公开(公告)号：EP3385983A1

公开(公告)日：2018-10-10

申请号：EP17164700.1

申请日：2017-04-04

申请人： Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG

发明人： KLEIN, Andreas ,  HINRICH, Andreas ,  DIETRICH, Peter

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/06 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06165 ,  H01L2224/4013 ,  H01L2224/40491 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2924/00012

摘要： Ein Adaptersystem zur Kontaktbereichsvergrößerung zumindest einer Kontaktoberfläche (11, 11a', 11b', 11c', 11d', 11e', 11f', 11") auf zumindest einem Elektronikbauteil (9, 9', 9") (z.B. einem Leistungshalbleiter) weist auf: zumindest ein Substrat (3, 3a', 3b', 3") mit einer ersten Seite und einer der ersten Seite gegenüberliegenden zweiten Seite; und zumindest ein Kontaktierungselement (5, 5a', 5"), das zumindest bereichsweise auf der ersten Seite des Substrats (3, 3a', 3b', 3") angeordnet ist, wobei das Kontaktierungselement (5, 5a', 5") angepasst ist, die erste Seite mit der Kontaktoberfläche (11, 11a', 11b', 11c', 11d', 11e', 11f', 11") des Elektronikbauteils (9, 9', 9") elektrisch zu verbinden, wobei eine Oberfläche der zweiten Seite des Substrats (3, 3a', 3b', 3") größer ist als die Kontaktoberfläche (11, 11a', 11b', 11c', 11d', 11e', 11") des Elektronikbauteils (9, 9', 9"). Das Adaptersystem kann weiter zumindest ein Fixierungselement (7, 7a', 7") aufweisen, das auf der ersten Seite des Substrats (3, 3a', 3b', 3") zumindest bereichsweise um das Kontaktierungselement (5, 5a', 5") herum angeordnet ist, wobei das Fixierungselement (7, 7a', 7") angepasst ist das Elektronikbauteil (9, 9', 9") mechanisch zu kontaktieren, insbesondere die erste Seite des Substrats (3, 3a', 3b', 3") mit dem Elektronikbauteil (9, 9', 9") mechanisch zu verbinden. Die zweite Seite des Substrats (3, 3a', 3b', 3") kann zum Verbinden mit einem Verbindungselement, insbesondere mit einem Bonddraht, angepasst sein. Das Substrat (3, 3a', 3b', 3") kann ein elektrisch leitendes Material aufweisen. Das Kontaktierungselement (5, 5a', 5") kann eine Sinterpaste aufweisen. Es können zumindest zwei Substrate (3a', 3b') zumindest bereichsweise auf dem Elektronikbauteil (9') angeordnet sein und/oder mindestens zwei Kontaktoberflächen (11b', 11c', 11d', 11e', 11f') mit einem einzelnen Kontaktierungselement (5, 5a', 5") elektrisch verbunden sein.

公开(公告)号：EP3341965A1

公开(公告)日：2018-07-04

申请号：EP17705928.4

申请日：2017-02-23

申请人： ABB Schweiz AG ,  AUDI AG

发明人： MOHN, Fabian ,  SCHUDERER, Jürgen ,  TRAUB, Felix

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/498 ,  H01L23/13 ,  H01L25/07 ,  H05K1/18 ,  H01L23/14

CPC分类号： H01L23/49822 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/5383 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0204 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/0263 ,  H05K1/183 ,  H05K3/0061 ,  H05K2201/10166 ,  H05K2201/10318

摘要： A power module comprises at least one power semiconductor device with an electrical top contact area on a top side; and a multi-layer circuit board with multiple electrically conducting layers which are separated by multiple electrically isolating layers, the electrically isolating layers being laminated together with the electrically conducting layers; wherein the multi-layer circuit board has at least one cavity, which is opened to a top side of the multi-layer circuit board, which cavity reaches through at least two electrically conducting layers; wherein the power semiconductor device is attached with a bottom side to a bottom of the cavity; and wherein the power semiconductor device is electrically connected to a top side of the multi-layer circuit board with a conducting member bonded to the top contact area and bonded to the top side of the multi-layer circuit board.

公开(公告)号：EP1772900A3

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：EP06020799.0

申请日：2006-10-04

申请人： Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung

发明人： Heidenreich, Dirk ,  Stockmeier, Thomas, Dr.

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L23/492

CPC分类号： H01L23/492 ,  H01L24/27 ,  H01L24/33 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40491 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/37099

摘要： Die Erfindung beschreibt eine Anordnung mit mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement (70) und einem elektrisch isolierenden Gehäuse (3), sowie mit nach außen führenden Anschlusselementen (42,44,46) und mit einem vom Gehäuse zumindest teilweise umschlossenen Substrat (5). Das Leistungshalbleiterbauelement weist auf seiner dem Substrat abgewandten ersten Hauptfläche mindestens eine Kontaktfläche mit einer Metallisierungsschicht aus einem Edelmetall auf. Der Metallformkörper (76) weist auf seiner dem Leistungshalbleiterbauelement zugewandeten zweiten Hauptfläche ebenfalls eine Edelmetallschicht auf. Mittels einer Drucksinterverbindung sind diese miteinander verbunden.
Das zugehörige Herstellungsverfahren ist durch den wesentlichen Schritt gekennzeichnet, dass die Metallformkörper (76) auf den Leistungshalbleiterbauelementen (70) im Waferverbund angeordnet sind und eine Mehrzahl dieser Anordnungen gleichzeitig mit Druck (82) beaufschlagt werden und somit für mehrere dieser Anordnungen die Drucksinterverbindung gleichzeitig erzeugt wird.

公开(公告)号：EP1009026A3

公开(公告)日：2000-12-13

申请号：EP99124238.9

申请日：1999-12-03

申请人： MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA

发明人： Kikuchi, Takumi ,  Fujioka, Hirofumi ,  Kinunaga, Toshiyuki ,  Muto, Hirotaka

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/051 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/72 ,  H01L23/49579 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： An object is to obtain long-term reliability of an electric connection in a power semiconductor module. In a power semiconductor module, the main circuit interconnection directly connected to a power semiconductor chip (3) is formed of a busbar (6) and the power semiconductor chip (3) and the busbar electrode (6a) of the busbar (6) are electrically connected through a conductive resin (12). A member (13) having lower thermal expansion than the busbar electrode (6a) is joined to the busbar electrode (6a) in the part adjacent to said power semiconductor chip (3).

摘要翻译： 目的是获得功率半导体模块中的电连接的长期可靠性。 在功率半导体模块中，直接连接到功率半导体芯片（3）的主电路互连由母线（6）和母线（6）的功率半导体芯片（3）和母线电极（6a）形成 通过导电树脂（12）电连接。 具有比母线电极（6a）低的​​热膨胀的部件（13）在与所述功率半导体芯片（3）相邻的部分中与汇流条电极（6a）接合。

公开(公告)号：EP0520294B1

公开(公告)日：1998-08-26

申请号：EP92110136.6

申请日：1992-06-16

申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： Kuhnert, Reinhold, Dr. rer.nat. ,  Türkes, Peter, Dr. rer.nat.

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/492

CPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/3736 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399