公开(公告)号：US08754508B2

公开(公告)日：2014-06-17

申请号：US13598196

申请日：2012-08-29

申请人： Hsien-Wei Chen ,  Hung-Jui Kuo

发明人： Hsien-Wei Chen ,  Hung-Jui Kuo

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： A semiconductor device includes a recess in a polymer layer between two adjacent metal lines and over passivation layer or anti-electromigration layers on redistribution metal lines to increase the resistance to electromigration.

摘要翻译： 半导体器件包括位于两个相邻金属线之间的聚合物层中的凹槽，以及在再分布金属线上的钝化层或抗电迁移层上，以增加对电迁移的抵抗力。

公开(公告)号：US20140061923A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13598196

申请日：2012-08-29

申请人： Hsien-Wei Chen ,  Hung-Jui Kuo

发明人： Hsien-Wei Chen ,  Hung-Jui Kuo

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： A semiconductor device includes a recess in a polymer layer between two adjacent metal lines and over passivation layer or anti-electromigration layers on redistribution metal lines to increase the resistance to electromigration.

摘要翻译： 半导体器件包括位于两个相邻金属线之间的聚合物层中的凹槽，以及在再分布金属线上的钝化层或抗电迁移层上，以增加对电迁移的抵抗力。

公开(公告)号：US08748306B2

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US13198767

申请日：2011-08-05

申请人： Yi-Yang Lei ,  Hung-Jui Kuo ,  Chung-Shi Liu ,  Mirng-Ji Lii ,  Chen-Hua Yu

发明人： Yi-Yang Lei ,  Hung-Jui Kuo ,  Chung-Shi Liu ,  Mirng-Ji Lii ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L23/22 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： A method of forming wafer-level chip scale packaging solder bumps on a wafer substrate involves cleaning the surface of the solder bumps using a laser to remove any residual molding compound from the surface of the solder bumps after the solder bumps are reflowed and a liquid molding compound is applied and cured.

摘要翻译： 在晶片衬底上形成晶片级芯片级封装焊料凸块的方法包括使用激光清洗焊料凸块的表面，以在焊料凸点回流之后从焊料凸块的表面去除残留的模塑料，并且液态模塑 化合物被施用和固化。

公开(公告)号：US20140008785A1

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：US13542528

申请日：2012-07-05

申请人： Tsung-Shu Lin ,  Hung-Jui Kuo ,  Yi-Wen Wu

发明人： Tsung-Shu Lin ,  Hung-Jui Kuo ,  Yi-Wen Wu

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/50 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/73 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5389 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A package-on-package (PoP) device comprises a bottom package on a substrate and a first set of conductive elements coupling the bottom package and the substrate. The PoP device further comprises a top package over the bottom package and a redistribution layer coupling the top package to the substrate. A method of forming a PoP device comprises coupling a first package to a substrate; and forming a redistribution layer over the first package and a top surface of the substrate. The method further comprises coupling a second package to the redistribution layer, wherein the redistribution layer couples the second package to the substrate.

摘要翻译： 封装封装（PoP）器件包括在衬底上的底部封装和耦合底部封装和衬底的第一组导电元件。 PoP器件还包括在底部封装上的顶部封装以及将顶部封装耦合到衬底的再分配层。 形成PoP器件的方法包括将第一封装耦合到衬底; 以及在所述第一封装和所述衬底的顶表面上形成再分布层。 该方法还包括将第二包装物耦合到再分配层，其中再分配层将第二包装物耦合到基底。

公开(公告)号：US08446007B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US12784327

申请日：2010-05-20

申请人： Hung-Jui Kuo ,  Chung-Shi Liu ,  Chen-Hua Yu

发明人： Hung-Jui Kuo ,  Chung-Shi Liu ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H05K1/111 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/09427 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit structure includes a work piece selected from the group consisting of a semiconductor chip and a package substrate. The work piece includes a plurality of under bump metallurgies (UBMs) distributed on a major surface of the work piece; and a plurality of metal bumps, with each of the plurality of metal bumps directly over, and electrically connected to, one of the plurality of UBMs. The plurality of UBMs and the plurality of metal bumps are allocated with an overlay offset, with at least some of the plurality of UBMs being misaligned with the respective overlying ones of the plurality of metal bumps.

摘要翻译： 集成电路结构包括从由半导体芯片和封装基板构成的组中选择的工件。 工件包括分布在工件的主表面上的多个凸块下金属（UBM）; 以及多个金属凸块，其中所述多个金属凸块中的每一个直接在所述多个UBM中的一个上，并且电连接到所述多个UBM中的一个。 多个UBM和多个金属凸块被分配有覆盖偏移，多个UBM中的至少一些与多个金属凸块中相应的上覆的UBM不对准。

公开(公告)号：US20120319270A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13162394

申请日：2011-06-16

申请人： Yu-Feng Chen ,  Yu-Ling Tsai ,  Han-Ping Pu ,  Hung-Jui Kuo ,  Yu Yi Huang

发明人： Yu-Feng Chen ,  Yu-Ling Tsai ,  Han-Ping Pu ,  Hung-Jui Kuo ,  Yu Yi Huang

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

摘要： A structure includes a metal pad over a semiconductor substrate, a passivation layer having a portion over the metal pad, and a first polyimide layer over the passivation layer, wherein the first polyimide layer has a first thickness and a first Young's modulus. A post-passivation interconnect (PPI) includes a first portion over the first polyimide layer, and a second portion extending into the passivation layer and the first polyimide layer. The PPI is electrically coupled to the metal pad. A second polyimide layer is over the PPI. The second polyimide layer has a second thickness and a second Young's modulus. At least one of a thickness ratio and a Young's modulus ratio is greater than 1.0, wherein the thickness ratio is the ratio of the first thickness to the second thickness, and the Young's modulus ratio is the ratio of the second Young's modulus to the first Young's modulus.

摘要翻译： 一种结构包括半导体衬底上的金属焊盘，具有金属焊盘上方的一部分的钝化层以及钝化层上的第一聚酰亚胺层，其中第一聚酰亚胺层具有第一厚度和第一杨氏模量。 后钝化互连（PPI）包括在第一聚酰亚胺层之上的第一部分，以及延伸到钝化层和第一聚酰亚胺层中的第二部分。 PPI电耦合到金属垫。 第二个聚酰亚胺层位于PPI之上。 第二聚酰亚胺层具有第二厚度和第二杨氏模量。 厚度比和杨氏模量比中的至少一个大于1.0，其中厚度比是第一厚度与第二厚度的比率，杨氏模量比是第二杨氏模量与第一杨氏模量之比 模数。

公开(公告)号：US08237272B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US12706086

申请日：2010-02-16

申请人： Hung-Jui Kuo ,  Chung-Shi Liu ,  Chen-Hua Yu

发明人： Hung-Jui Kuo ,  Chung-Shi Liu ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5256 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099

摘要： A semiconductor component formed on a semiconductor substrate is provided. The semiconductor substrate has a first surface and a second surface. The semiconductor substrate includes a plurality of devices on the first surface. A plurality of through silicon vias (TSVs) in the semiconductor substrate extends from the first surface to the second surface. A protection layer overlies the devices on the first surface of the semiconductor substrate. A plurality of active conductive pillars on the protection layer have a first height. Each of the active conductive pillars is electrically connected to at least one of the plurality of devices. A plurality of dummy conductive pillars on the protection layer have a second height. Each of the dummy conductive pillars is electrically isolated from the plurality of devices. The first height and the second height are substantially equal.

摘要翻译： 设置形成在半导体基板上的半导体部件。 半导体衬底具有第一表面和第二表面。 半导体衬底包括在第一表面上的多个器件。 半导体衬底中的多个贯通硅通孔（TSV）从第一表面延伸到第二表面。 保护层覆盖半导体衬底的第一表面上的器件。 保护层上的多个有源导电柱具有第一高度。 每个有源导电柱电连接到多个装置中的至少一个。 保护层上的多个虚设导电柱具有第二高度。 每个虚拟导电柱与多个装置电隔离。 第一高度和第二高度基本相等。

公开(公告)号：US08101340B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US11746202

申请日：2007-05-09

申请人： Ching-Yu Chang ,  Heng-Jen Lee ,  Chin-Hsiang Lin ,  Hua-Tai Lin ,  Kuei Shun Chen ,  Bang-Chein Ho ,  Li-Kong Turn ,  Hung-Jui Kuo ,  Ko-Bin Kao ,  Tsung-Chih Chien

发明人： Ching-Yu Chang ,  Heng-Jen Lee ,  Chin-Hsiang Lin ,  Hua-Tai Lin ,  Kuei Shun Chen ,  Bang-Chein Ho ,  Li-Kong Turn ,  Hung-Jui Kuo ,  Ko-Bin Kao ,  Tsung-Chih Chien

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： G03F7/40

摘要： A method of inhibiting photoresist pattern collapse which includes the steps of providing a substrate; providing a photoresist layer on the substrate; exposing and developing the photoresist layer; applying a top anti-reflective coating layer to the photoresist layer; rinsing the photoresist layer; and drying the photoresist layer.

摘要翻译： 一种抑制光致抗蚀剂图案塌陷的方法，包括提供基底的步骤; 在衬底上提供光致抗蚀剂层; 曝光和显影光致抗蚀剂层; 将顶部抗反射涂层施加到光致抗蚀剂层上; 冲洗光刻胶层; 并干燥光刻胶层。

公开(公告)号：US20110198747A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US12706086

申请日：2010-02-16

申请人： Hung-Jui Kuo ,  Chung-Shi Liu ,  Chen-Hua Yu

发明人： Hung-Jui Kuo ,  Chung-Shi Liu ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5256 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099

摘要： A semiconductor component formed on a semiconductor substrate is provided. The semiconductor substrate has a first surface and a second surface. The semiconductor substrate includes a plurality of devices on the first surface. A plurality of through silicon vias (TSVs) in the semiconductor substrate extends from the first surface to the second surface. A protection layer overlies the devices on the first surface of the semiconductor substrate. A plurality of active conductive pillars on the protection layer have a first height. Each of the active conductive pillars is electrically connected to at least one of the plurality of devices. A plurality of dummy conductive pillars on the protection layer have a second height. Each of the dummy conductive pillars is electrically isolated from the plurality of devices. The first height and the second height are substantially equal.

摘要翻译： 设置形成在半导体基板上的半导体部件。 半导体衬底具有第一表面和第二表面。 半导体衬底包括在第一表面上的多个器件。 半导体衬底中的多个贯通硅通孔（TSV）从第一表面延伸到第二表面。 保护层覆盖半导体衬底的第一表面上的器件。 保护层上的多个有源导电柱具有第一高度。 每个有源导电柱电连接到多个装置中的至少一个。 保护层上的多个虚设导电柱具有第二高度。 每个虚拟导电柱与多个装置电隔离。 第一高度和第二高度基本相等。

公开(公告)号：US20140015122A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：US13546300

申请日：2012-07-11

申请人： Meng-Wei Chou ,  Hung-Jui Kuo ,  Ming-Che Ho ,  Chung-Shi Liu

发明人： Meng-Wei Chou ,  Hung-Jui Kuo ,  Ming-Che Ho ,  Chung-Shi Liu

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L23/525 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming post passivation interconnects comprises forming a passivation layer over a substrate, wherein a metal pad is embedded in the passivation layer, depositing a first dielectric layer on the passivation layer, applying a first patterning process to the first dielectric layer to form a first opening, forming a first seed layer over the first opening, filling the first opening with a conductive material, depositing a second dielectric layer on the first dielectric layer, applying a second patterning process to the second dielectric layer to form a second opening, forming an under bump metallization structure over the second opening and mounting an interconnect bump over the under bump metallization structure.

摘要翻译： 形成后钝化互连的方法包括在衬底上形成钝化层，其中金属焊盘嵌入钝化层中，在钝化层上沉积第一介电层，将第一图案化工艺应用于第一介电层以形成 第一开口，在第一开口上形成第一种子层，用导电材料填充第一开口，在第一介电层上沉积第二介电层，向第二介电层施加第二图案化工艺以形成第二开口，形成 在第二开口上方的凸块下金属化结构，并且在凸块下金属化结构之上安装互连凸块。