公开(公告)号：US08616821B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US12869171

申请日：2010-08-26

申请人： Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Ming-Tsao Chiang ,  Yu-Fen Tzeng ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Ming-Tsao Chiang ,  Yu-Fen Tzeng ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67011 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67703 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/67778 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/139

摘要： The present disclosure provides a system and method for processing a semiconductor substrate wherein a substrate is received at a load lock interface. The substrate is transferred from the load lock interface to a process module using a first module configured for unprocessed substrates. A manufacturing process is performed on the substrate within the process module. Thereafter, the substrate is transferred from the process module to the load lock interface using a second module configured for processed substrates.

摘要翻译： 本公开提供了一种用于处理半导体衬底的系统和方法，其中在负载锁定接口处接收衬底。 使用配置为未处理基板的第一模块将基板从加载锁定接口传送到处理模块。 在处理模块内的基板上进行制造工艺。 此后，使用配置成处理的基板的第二模块将基板从处理模块传送到加载锁定接口。

公开(公告)号：US20130335109A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：US13495421

申请日：2012-06-13

申请人： Jui-Long Chen ,  Chien-Chih Liao ,  Tseng Chin Lo ,  Hui-Yun Chao ,  Ta-Yung Lee ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Jui-Long Chen ,  Chien-Chih Liao ,  Tseng Chin Lo ,  Hui-Yun Chao ,  Ta-Yung Lee ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： G01R31/26 ,  H01L29/06

CPC分类号： G01R1/07364 ,  G01R1/06705 ,  G01R31/2887 ,  G01R31/2891 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

摘要： A system and method for aligning a probe, such as a wafer-level test probe, with wafer contacts is disclosed. An exemplary method includes receiving a wafer containing a plurality of alignment contacts and a probe card containing a plurality of probe points at a wafer test system. A historical offset correction is received. Based on the historical offset correct, an orientation value for the probe card relative to the wafer is determined. The probe card is aligned to the wafer using the orientation value in an attempt to bring a first probe point into contact with a first alignment contact. The connectivity of the first probe point and the first alignment contact is evaluated. An electrical test of the wafer is performed utilizing the aligned probe card, and the historical offset correction is updated based on the orientation value.

摘要翻译： 公开了一种用于将诸如晶片级测试探针之类的探针与晶片接点对准的系统和方法。 一种示例性方法包括在晶片测试系统处接收包含多个对准触点的晶片和包含多个探针点的探针卡。 接收到历史偏移校正。 基于历史偏移校正，确定探针卡相对于晶片的取向值。 使用取向值将探针卡与晶片对准，以试图使第一探针点与第一对准触点接触。 评估第一探针点和第一对准接触点的连接性。 使用对准的探针卡进行晶片的电气测试，并且基于取向值更新历史偏移校正。

公开(公告)号：US08592785B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US13240951

申请日：2011-09-22

申请人： Nai-Han Cheng ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chi-Ming Yang ,  Chun-Lin Chang ,  Chih-Hong Hwang

发明人： Nai-Han Cheng ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chi-Ming Yang ,  Chun-Lin Chang ,  Chih-Hong Hwang

IPC分类号： H01J37/317

CPC分类号： H01J37/3171 ,  G21K5/00 ,  H01J3/14 ,  H01J37/05 ,  H01J37/147

摘要： An multi-ion beam implantation apparatus and method are disclosed. An exemplary apparatus includes an ion beam source that emits at least two ion beams; an ion beam analyzer; and a multi-ion beam angle incidence control system. The ion beam analyzer and the multi-ion beam angle incidence control system are configured to direct the emitted at least two ion beams to a wafer.

摘要翻译： 公开了一种多离子束注入装置和方法。 示例性装置包括发射至少两个离子束的离子束源; 离子束分析仪; 和多离子束角度入射控制系统。 离子束分析仪和多离子束角入射控制系统被配置为将发射的至少两个离子束引导到晶片。

公开(公告)号：US20130174982A1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：US13343857

申请日：2012-01-05

申请人： Su-Horng Lin ,  Lin-Jung Wu ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Su-Horng Lin ,  Lin-Jung Wu ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18

CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/32051

摘要： The present disclosure provides for methods of fabricating a metal hard mask and a metal hard mask fabricated by such methods. A method includes flowing at least one metal reactant gas into a reaction chamber configured to perform chemical vapor deposition (CVD), wherein the at least one metal reactant gas includes a metal-halogen gas or a metal-organic gas. The method further includes depositing a hard mask metal layer by CVD using the at least one metal reactant gas.

摘要翻译： 本公开提供了通过这种方法制造的金属硬掩模和金属硬掩模的制造方法。 一种方法包括将至少一种金属反应物气体流入被配置为进行化学气相沉积（CVD）的反应室，其中所述至少一种金属反应物气体包括金属卤素气体或金属有机气体。 该方法还包括使用至少一种金属反应物气体通过CVD沉积硬掩模金属层。

公开(公告)号：US20130110276A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13286337

申请日：2011-11-01

申请人： Nai-Han Cheng ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chi-Ming Yang ,  Chun-Lin Chang ,  Chih-Hong Hwang

发明人： Nai-Han Cheng ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chi-Ming Yang ,  Chun-Lin Chang ,  Chih-Hong Hwang

IPC分类号： G06F19/00 ,  G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5063 ,  G06F2217/10

摘要： A method and system for integrated circuit fabrication is disclosed. In an example, the method includes determining a first process parameter of a wafer and a second process parameter of the wafer, the first process parameter and the second process parameter corresponding to different wafer characteristics; determining a variation of a device parameter of the wafer based on the first process parameter and the second process parameter; constructing a model for the device parameter as a function of the first process parameter and the second process parameter based on the determined variation of the device parameter of the wafer; and performing a fabrication process based on the model.

摘要翻译： 公开了一种用于集成电路制造的方法和系统。 在一个示例中，该方法包括确定晶片的第一工艺参数和晶片的第二工艺参数，对应于不同晶片特性的第一工艺参数和第二工艺参数; 基于所述第一处理参数和所述第二处理参数确定所述晶片的设备参数的变化; 基于确定的晶片的器件参数的变化，构造作为第一工艺参数和第二工艺参数的函数的器件参数的模型; 并基于该模型执行制造过程。

公开(公告)号：US20130075624A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13241392

申请日：2011-09-23

申请人： Chih-Hong Hwang ,  Chun-Lin Chang ,  Nai-Han Cheng ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Chih-Hong Hwang ,  Chun-Lin Chang ,  Nai-Han Cheng ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01J3/26

CPC分类号： H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24542

摘要： A beam monitoring device, method, and system is disclosed. An exemplary beam monitoring device includes a one dimensional (1D) profiler. The 1D profiler includes a Faraday having an insulation material and a conductive material. The beam monitoring device further includes a two dimensional (2D) profiler. The 2D profiler includes a plurality of Faraday having an insulation material and a conductive material. The beam monitoring device further includes a control arm. The control arm is operable to facilitate movement of the beam monitoring device in a longitudinal direction and to facilitate rotation of the beam monitoring device about an axis.

摘要翻译： 公开了一种光束监测装置，方法和系统。 示例性束监测装置包括一维（1D）轮廓仪。 1D轮廓仪包括具有绝缘材料和导电材料的法拉第。 光束监测装置还包括二维（2D）轮廓仪。 2D轮廓仪包括具有绝缘材料和导电材料的多个法拉第。 光束监视装置还包括控制臂。 控制臂可操作以便于在纵向方向上使光束监视装置的移动，并且便于光束监视装置围绕轴的旋转。

公开(公告)号：US20130068248A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13233568

申请日：2011-09-15

申请人： Ming-Hsi Yeh ,  Kuo-Sheng Chuang ,  Ying-Hsueh Chang Chien ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Ming-Hsi Yeh ,  Kuo-Sheng Chuang ,  Ying-Hsueh Chang Chien ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/00 ,  C23G1/02 ,  B08B5/02 ,  B08B3/08

CPC分类号： H01L21/02057 ,  H01L21/67051

摘要： The present disclosure provides a method including providing a chamber having a first inlet and a second inlet. A solution of a de-ionized (DI) water and an acid (e.g., a dilute acid) is provided to the chamber via the first inlet. A carrier gas (e.g., N2) is provided to the chamber via the second inlet. The solution and the carrier gas are in the chamber and then from the chamber onto a single semiconductor wafer. In an embodiment, the solution includes a dilute HCl and DI water.

摘要翻译： 本公开提供了一种方法，包括提供具有第一入口和第二入口的室。 通过第一入口向腔室提供去离子（DI）水和酸（例如稀酸）的溶液。 载气（例如，N2）经由第二入口提供给腔室。 溶液和载气在室中，然后从室到单个半导体晶片。 在一个实施方案中，溶液包括稀HCl和去离子水。

公开(公告)号：US20120181669A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：US13409517

申请日：2012-03-01

申请人： Chin-Ming LIN ,  Chia-hung Huang ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin ,  Yung-Cheng Chen ,  Chih-Wei Lin

发明人： Chin-Ming LIN ,  Chia-hung Huang ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin ,  Yung-Cheng Chen ,  Chih-Wei Lin

IPC分类号： H01L23/544 ,  G06F17/50

CPC分类号： G03F7/70433

摘要： A method includes establishing an initial shot layout in which a number of shots are arranged in vertically aligned columns and horizontally aligned rows to cover a semiconductor wafer. At least one of a row of shots or a column of shots is shifted relative to an adjacent row or column of shots to establish at least one additional shot layout that differs from the initial shot layout in that shots in the at least one shifted row or column of shots are not aligned with the shots in the adjacent row or column of shots with which they were aligned in the initial shot layout. One of the initial shot layout and the at least one additional shot layout is selected as a final shot layout. The wafer is exposed to light using the final shot layout.

摘要翻译： 一种方法包括建立初始照片布局，其中多个照片布置在垂直排列的列和水平排列的行中以覆盖半导体晶片。 一排照片或一列照片中的至少一列相对于相邻的行或列发射位移，以建立与至少一个移位行中的拍摄中的初始镜头布局不同的至少一个附加镜头布局，或 一列照片不与在初始镜头布局中对齐的相邻行或照片列中的镜头对齐。 选择初始镜头布局和至少一个附加镜头布局之一作为最终镜头布局。 使用最终镜头布局将晶片曝光。

公开(公告)号：US08088685B2

公开(公告)日：2012-01-03

申请号：US12702525

申请日：2010-02-09

申请人： Simon Su-Horng Lin ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Simon Su-Horng Lin ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L29/78 ,  C23C14/022 ,  C23C14/046 ,  C23C14/18 ,  C23C14/221 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  C23C16/48 ,  C23C16/484 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

摘要： The described embodiments of methods of bottom-up metal deposition to fill interconnect and replacement gate structures enable gap-filling of fine features with high aspect ratios without voids and provide metal films with good film quality. In-situ pretreatment of metal film(s) deposited by gas cluster ion beam (GCIB) allows removal of surface impurities and surface oxide to improve adhesion between an underlying layer with the deposited metal film(s). Metal films deposited by photo-induced chemical vapor deposition (PI-CVD) using high energy of low-frequency light source(s) at relatively low temperature exhibit liquid-like nature, which allows the metal films to fill fine feature from bottom up. The post deposition annealing of metal film(s) deposited by PI-CVD densifies the metal film(s) and removes residual gaseous species from the metal film(s). For advanced manufacturing, such bottom-up metal deposition methods address the challenges of gap-filling of fine features with high aspect ratios.

摘要翻译： 自下而上金属沉积以填充互连和替代栅极结构的方法的所述实施例使得能够在没有空隙的情况下间隙填充具有高纵横比的精细特征，并提供具有良好膜质量的金属膜。 通过气体簇离子束（GCIB）沉积的金属膜的原位预处理允许去除表面杂质和表面氧化物以改善下层与沉积的金属膜之间的粘附。 通过使用高能量的低频光源在较低温度下通过光致化学气相沉积（PI-CVD）沉积的金属膜表现出液体性质，这允许金属膜从下向上填充精细特征。 通过PI-CVD沉积的金属膜的后沉积退火致密化金属膜并从金属膜去除残留的气态物质。 对于先进的制造，这种自下而上的金属沉积方法解决了具有高纵横比的精细特征的间隙填充的挑战。

公开(公告)号：US20110204491A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US13102060

申请日：2011-05-06

申请人： Chin-Hsiang Lin

发明人： Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  Y10T428/12479

摘要： A dielectric layer structure includes an interlayer dielectric (ILD) layer covering at least a metal interconnect structure and a single tensile film. The ILD layer further includes a low-k dielectric layer, and the single tensile film is positioned on the low-k dielectric layer for counteracting at least a part of a stress of the low-k dielectric layer.

摘要翻译： 电介质层结构包括覆盖至少金属互连结构和单张拉伸膜的层间电介质（ILD）层。 ILD层还包括低k电介质层，并且单个拉伸膜位于低k电介质层上，以抵消低k电介质层的应力的至少一部分。