公开(公告)号：US20060033678A1

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：US11192993

申请日：2005-07-29

申请人： Dmitry Lubomirsky ,  Arulkumar Shanmugasundram ,  Allen D'Ambra ,  Timothy Weidman ,  Eugene Rabinovich ,  Svetlana Sherman ,  Manoocher Birang ,  Yaxin Wang ,  Michael Yang ,  Bradley Hansen

发明人： Dmitry Lubomirsky ,  Arulkumar Shanmugasundram ,  Allen D'Ambra ,  Timothy Weidman ,  Eugene Rabinovich ,  Svetlana Sherman ,  Manoocher Birang ,  Yaxin Wang ,  Michael Yang ,  Bradley Hansen

IPC分类号： G09G3/00 ,  H05H1/24 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/67167 ,  C23C16/06 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4488 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1653 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/288 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877

摘要： Embodiments of the invention provide a cluster tool configured to deposit a material onto a substrate surface by using one or more electroless, electrochemical plating, CVD and/or ALD processing chambers. In one aspect, a ruthenium-containing catalytic layer is formed. Embodiments of the invention provide a hybrid deposition system configured to deposit a seed layer on a substrate with an electroless process and to subsequently fill interconnect features on the substrate with an ECP cell. Other aspects provide an electroless deposition system configured to deposit a seed layer on a substrate, fill interconnect features on a substrate, or sequentially deposit both a seed layer and fill interconnect features on the substrate. One embodiment provides an electroless deposition system configured to form a capping layer over substrate interconnects. The system includes a vapor dryer for pre- and post-deposition cleaning of substrates as well as a brush box chamber for post-deposition cleaning.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了一种集群工具，其被配置为通过使用一个或多个化学镀，CVD和/或ALD处理室将材料沉积到衬底表面上。 一方面，形成含钌催化剂层。 本发明的实施例提供了一种混合沉积系统，其被配置为利用无电解方法将种子层沉积在衬底上，并随后用ECP单元填充衬底上的互连特征。 其它方面提供一种无电镀沉积系统，其被配置为将衬底层沉积在衬底上，填充衬底上的互连特征，或者顺序地沉积衬底上的晶种层和填充互连特征。 一个实施例提供了一种配置成在衬底互连上形成覆盖层的无电沉积系统。 该系统包括蒸发干燥器，用于底物的沉积前和沉积后清洁以及用于后沉积清洁的刷盒室。

公开(公告)号：US06935466B2

公开(公告)日：2005-08-30

申请号：US09797459

申请日：2001-03-01

申请人： Dmitry Lubomirsky ,  Sheshraj Tulshibagwale ,  Donald Olgado ,  Avi Tepman

发明人： Dmitry Lubomirsky ,  Sheshraj Tulshibagwale ,  Donald Olgado ,  Avi Tepman

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/68742 ,  Y10S414/135

摘要： A lifting mechanism includes a plurality of lift pins which may be driven separately and independently upward to engage an alignment surface of the chamber using ambient atmospheric pressure as the chamber is evacuated by a pump. In the illustrated embodiment, each lift pin includes a piston which is exposed to the internal chamber pressure on one side of the piston, and is exposed to the external ambient pressure on the other side of the piston. As the pump evacuates the chamber, the internal chamber pressure decreases, causing each lift pin piston to drive the associated lift pin upward. Once all the lift pins have securely engaged the alignment surface, the lift pins may be clamped to a linking mechanism to permit a motor to actuate the lift pins during processing operations.

摘要翻译： 提升机构包括多个提升销，所述提升销可以单独驱动并且独立地向上驱动，以便当所述室被泵排空时，使用环境大气压与室的对准表面接合。 在所示的实施例中，每个提升销包括活塞，该活塞暴露于活塞的一侧上的内部室压力，并且暴露于活塞另一侧的外部环境压力。 当泵排空室时，内部室压力降低，导致每个升降销活塞向上驱动相关联的升降销。 一旦所有升降销牢固地接合到对准表面上，升降销可以被夹紧到连接机构，以允许马达在加工操作期间致动提升销。

公开(公告)号：US20050101130A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：US10703769

申请日：2003-11-07

申请人： Sergey Lopatin ,  Arulkumar Shanmugasundram ,  Dmitry Lubomirsky ,  Ian Pancham

发明人： Sergey Lopatin ,  Arulkumar Shanmugasundram ,  Dmitry Lubomirsky ,  Ian Pancham

IPC分类号： C23C18/16 ,  C23C18/18 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288 ,  H01L21/44 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76846 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76874

摘要： A method for fabricating a capping layer with enhanced barrier resistance to both copper and oxygen diffusion, comprises forming a capping layer on a conductive surface of an interconnect, wherein the capping layer comprises cobalt (Co), tungsten (W), rhenium (Re), and at least one of phosphorus (P) and boron (B). In an embodiment of the invention, forming the capping layer comprises exposing the conductive surface to an electroless capping solution comprising a cobalt source, a tungsten source, a rhenium source, and at least one of a phosphorus source and a boron source, and annealing the capping layer.

摘要翻译： 一种用于制造具有对铜和氧扩散的阻挡性能增强的覆盖层的方法，包括在互连的导电表面上形成覆盖层，其中所述覆盖层包括钴（Co），钨（W），铼（Re） ，和磷（P）和硼（B）中的至少一种。 在本发明的一个实施方案中，形成覆盖层包括将导电表面暴露于包含钴源，钨源，铼源和磷源和硼源中的至少一个的无电覆盖溶液中，并将 盖层

公开(公告)号：US20050085031A1

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：US10967099

申请日：2004-10-15

申请人： Sergey Lopatin ,  Arulkumar Shanmugasundram ,  Yosef Shacham-Diamand ,  Timothy Weidman ,  Dmitry Lubomirsky

发明人： Sergey Lopatin ,  Arulkumar Shanmugasundram ,  Yosef Shacham-Diamand ,  Timothy Weidman ,  Dmitry Lubomirsky

IPC分类号： C23C18/18 ,  C23C18/50 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/76849 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/50 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76874

摘要： Embodiments of the invention generally provide compositions of activation-alloy solutions, methods to deposit activation-alloys and electronic devices including activation-alloys and capping layers. In one embodiment, a method for depositing a capping layer for a semiconductor device is provided which includes exposing a conductive layer on a substrate surface to an activation-alloy solution, forming an activation-alloy layer on the conductive layer using the activation-alloy solution, and depositing the capping layer on the activation-alloy layer using an electroless deposition solution.

摘要翻译： 本发明的实施方案通常提供活化合金溶液的组合物，沉积活化合金的方法和包括活化合金和覆盖层的电子器件。 在一个实施例中，提供了一种用于沉积半导体器件的覆盖层的方法，其包括将基板表面上的导电层暴露于活化合金溶液，使用活化合金溶液在导电层上形成活化合金层 ，并使用无电镀沉积溶液将所述封盖层沉积在所述活化合金层上。

公开(公告)号：US20050084615A1

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：US10794592

申请日：2004-03-05

申请人： Timothy Weidman ,  Dmitry Lubomirsky

发明人： Timothy Weidman ,  Dmitry Lubomirsky

IPC分类号： B05C3/00 ,  B05C19/02 ,  C23C18/16 ,  C23C18/28 ,  C23F1/00 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76838 ,  C23C18/1601 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1682 ,  C23C18/1872 ,  C23C18/28 ,  H01L21/288 ,  Y10S134/902

摘要： Embodiments of the invention generally provide a fluid processing chamber, sensors and a controller and method for using the same. The fluid processing chamber includes an inlet region, a processing region and an outlet region. The inlet region generally contains one or more sensors and an external controller to monitor the characteristics of the processing fluid at the inlet to the processing region. The outlet region generally contains one or more sensors and an external controller to monitor the characteristics of the processing fluid leaving the processing region of the chamber. In one embodiment the processing region contains one or more sensors and an external controller to monitor the characteristics of the processing fluid in the processing region. The sensors may include, for example, an ORP probe, a temperature sensor, a conductivity sensor, a dissolved hydrogen sensor, a dissolved oxygen sensor, and a pH sensor. The fluid processing chamber is generally useful for all process steps done to deposit an electroless deposited film on a substrate including, for example, all pre-clean process steps (substrate preparation steps), all electroless activation process steps, all electroless deposition steps, and all post electroless deposition cleaning steps.

摘要翻译： 本发明的实施例通常提供流体处理室，传感器以及使用该流体处理室的控制器和方法。 流体处理室包括入口区域，处理区域和出口区域。 入口区域通常包含一个或多个传感器和外部控制器，以监控处理区域入口处的处理流体的特性。 出口区域通常包含一个或多个传感器和外部控制器，以监测离开室的处理区域的处理流体的特性。 在一个实施例中，处理区域包含一个或多个传感器和外部控制器，用于监视处理区域中处理流体的特性。 传感器可以包括例如ORP探针，温度传感器，电导率传感器，溶解氢传感器，溶解氧传感器和pH传感器。 流体处理室通常可用于在基底上沉积无电沉积膜的所有工艺步骤，包括例如所有预清洁工艺步骤（衬底制备步骤），所有无电解激活工艺步骤，所有无电沉积步骤和 所有后期无电沉积清洗步骤。

公开(公告)号：US06869516B2

公开(公告)日：2005-03-22

申请号：US10273539

申请日：2002-10-18

申请人： Dmitry Lubomirsky ,  Michael X. Yang ,  Girish A. Dixit ,  Vincent E. Burkhart ,  Allen L. D'Ambra ,  Yeuk-Fai Edwin Mok ,  Harald Herchen

发明人： Dmitry Lubomirsky ,  Michael X. Yang ,  Girish A. Dixit ,  Vincent E. Burkhart ,  Allen L. D'Ambra ,  Yeuk-Fai Edwin Mok ,  Harald Herchen

IPC分类号： C25D7/12 ,  C25D21/00 ,  H01L21/288 ,  C25D5/48

CPC分类号： C25D7/12 ,  C25D21/00 ,  H01L21/2885

摘要： A method for cleaning the electrical contact areas or substrate contact areas of an electrochemical plating contact ring is provided. Embodiments of the method include positioning a substrate on a substrate support member having one or more electrical contacts, chemically plating a metal layer on at least a portion of a surface of the substrate, removing the processed substrate from the support member, and cleaning the one or more electrical contacts with a vapor mixture comprising an alcohol. In another aspect, the method includes spraying the vapor mixture on the electrical contacts while rotating the substrate support member.

摘要翻译： 提供了一种用于清洁电化学电镀接触环的电接触区域或衬底接触区域的方法。 该方法的实施例包括将基板定位在具有一个或多个电触点的基板支撑构件上，在基板表面的至少一部分上化学镀覆金属层，从处理基板移除经处理的基板，并清洁该基板 或更多的与包含醇的蒸汽混合物的电接触。 在另一方面，该方法包括在旋转衬底支撑构件的同时将蒸气混合物喷射到电触点上。

公开(公告)号：US20050056538A1

公开(公告)日：2005-03-17

申请号：US10664277

申请日：2003-09-17

申请人： Nicolay Kovarsky ,  Dmitry Lubomirsky ,  Yevgeniy Rabinovich

发明人： Nicolay Kovarsky ,  Dmitry Lubomirsky ,  Yevgeniy Rabinovich

IPC分类号： B01D61/44 ,  B01D71/36 ,  C25D3/38 ,  C25D7/12 ,  C25D17/00 ,  C25D17/02 ,  C25D17/10 ,  C25D17/12 ,  C25D21/00 ,  C25D21/18 ,  C25B9/00

CPC分类号： C25D17/12 ,  B01D61/44 ,  B01D71/36 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/10 ,  C25D21/12

摘要： A method and apparatus for plating a metal onto a substrate. The apparatus includes a fluid basin configured to contain a plating solution, an anode fluid volume positioned in a lower portion of the fluid basin, a cathode fluid volume positioned in an upper portion of the fluid basin, an ionic membrane positioned to separate the anode fluid volume from the cathode fluid volume, a plating electrode centrally positioned in the anode fluid volume, and a deplating electrode positioned adjacent the plating electrode in the anode fluid volume.

摘要翻译： 一种用于将金属电镀到基底上的方法和装置。 该装置包括流体池，其构造成容纳镀液，位于流体槽的下部的阳极流体体积，位于流体池的上部的阴极流体体积，定位成将阳极流体分离的离子膜 来自阴极流体体积的体积，位于阳极流体体积中心的电镀电极，以及位于阳极流体体积内的电镀电极附近的脱镀电极。

公开(公告)号：US06770565B2

公开(公告)日：2004-08-03

申请号：US10043561

申请日：2002-01-08

申请人： Donald J. K. Olgado ,  Avi Tepman ,  Dmitry Lubomirsky ,  Timothy R. Webb

发明人： Donald J. K. Olgado ,  Avi Tepman ,  Dmitry Lubomirsky ,  Timothy R. Webb

IPC分类号： H01L2302

CPC分类号： H01L21/6708 ,  C23F1/18 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/7684

摘要： A method of planarizing a metal conductive layer on a substrate is provided. In one embodiment, a substrate having a metal conductive layer disposed on a top surface of the substrate is provided on a substrate support. The substrate support is rotated and the top surface of the substrate is contacted with a liquid etching composition. The metal conductive layer is then exposed to an etchant gas in order to planarize the top surface of the metal conductive layer. Also provided is an apparatus for etching a metal conductive layer on a substrate. The apparatus comprises a container, a substrate support disposed in the container, a rotation actuator attached to the substrate support, and a fluid delivery assembly disposed in the container.

摘要翻译： 提供了在基板上平面化金属导电层的方法。 在一个实施例中，在衬底支架上设置具有设置在衬底顶表面上的金属导电层的衬底。 衬底支撑件旋转并且衬底的顶表面与液体蚀刻组合物接触。 然后将金属导电层暴露于蚀刻剂气体，以平坦化金属导电层的顶表面。 还提供了一种用于在基板上蚀刻金属导电层的装置。 该装置包括容器，设置在容器中的基板支撑件，附接到基板支撑件的旋转致动器以及设置在容器中的流体输送组件。

公开(公告)号：US06444040B1

公开(公告)日：2002-09-03

申请号：US09565150

申请日：2000-05-05

申请人： Harald Herchen ,  David Palagashvili ,  Dmitry Lubomirsky ,  Alex Schreiber

发明人： Harald Herchen ,  David Palagashvili ,  Dmitry Lubomirsky ,  Alex Schreiber

IPC分类号： C23C1600

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67017

摘要： An apparatus for use in a substrate processing system. The apparatus is generally a fluid distribution plate comprising an inner disk and an outer ring. The fluid distribution plate has a plurality of openings for fluid distribution and at least one slot defined therein.

摘要翻译： 一种用于基板处理系统的装置。 该装置通常是包括内盘和外圈的流体分配板。 流体分配板具有用于流体分配的多个开口和限定在其中的至少一个狭槽。

公开(公告)号：US06369493B1

公开(公告)日：2002-04-09

申请号：US09300182

申请日：1999-04-27

申请人： Dmitry Lubomirsky ,  Harald Herchen ,  Simon Yavelberg ,  David Palagashvili ,  Donald J. Olgado

发明人： Dmitry Lubomirsky ,  Harald Herchen ,  Simon Yavelberg ,  David Palagashvili ,  Donald J. Olgado

IPC分类号： H01J1726

CPC分类号： G03F7/70016 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32522

摘要： A plasma applicator having a tube that is surrounded by a cooling jacket such that a volume is defined proximate the tube. The volume is filled with a thermal transfer medium to couple heat from the tube to the cooling jacket. The cooling jacket contains an aperture through which energy is transmitted to a process gas contained in the tube. As such, the process gas is infused with energy and a plasma is formed in the tube.

摘要翻译： 一种等离子体施加器，其具有由冷却套包围的管，使得容积限定在管附近。 体积填充有热传递介质，以将热量从管耦合到冷却套管。 冷却套包含孔，通过该孔将能量传递到管中包含的处理气体。 因此，工艺气体注入能量，并且在管中形成等离子体。