公开(公告)号：US20110102968A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12838296

申请日：2010-07-16

申请人： Jae-Hyoung CHOI ,  Youn-Soo Kim ,  Jung-Hyeon Kim ,  Wan-Don Kim ,  Jae-Soon Lim ,  Sang-Yeol Kang

发明人： Jae-Hyoung CHOI ,  Youn-Soo Kim ,  Jung-Hyeon Kim ,  Wan-Don Kim ,  Jae-Soon Lim ,  Sang-Yeol Kang

IPC分类号： H01G4/008 ,  B32B9/04 ,  B05D5/12 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L23/53261 ,  H01L28/56 ,  H01L28/91 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/518 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In a multilayer structure and a method of forming the same, a conductive layer including a metal nitride and a dielectric layer positioned on a surface of the conductive layer and having a high dielectric constant. The metal nitride comprises one of niobium, vanadium and compositions thereof. Thus, the EOT and leakage current of the multilayer structure may be sufficiently improved.

摘要翻译： 在多层结构及其形成方法中，包括位于导电层表面上并具有高介电常数的金属氮化物和电介质层的导电层。 金属氮化物包括铌，钒及其组合物中的一种。 因此，可以充分提高多层结构的EOT和漏电流。

公开(公告)号：US20080268653A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US12133683

申请日：2008-06-05

申请人： Kyoung-seok KIM ,  Hong-bae PARK ,  Bong-hyun KIM ,  Sung-tae KIM ,  Jong-wan KWON ,  Jung-hyun LEE ,  Ki-chul KIM ,  Jae-soon LIM ,  Gab-jin NAM ,  Young-sun KIM

发明人： Kyoung-seok KIM ,  Hong-bae PARK ,  Bong-hyun KIM ,  Sung-tae KIM ,  Jong-wan KWON ,  Jung-hyun LEE ,  Ki-chul KIM ,  Jae-soon LIM ,  Gab-jin NAM ,  Young-sun KIM

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/308 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31645

摘要： A method of forming a high dielectric film using atomic layer deposition (ALD), and a method of manufacturing a capacitor having the high dielectric film, include supplying a precursor containing a metal element to a semiconductor substrate and purging a reactor; supplying an oxidizer and purging the reactor; and supplying a reaction source containing nitrogen and purging the reactor.

摘要翻译： 使用原子层沉积（ALD）形成高电介质膜的方法以及制造具有高电介质膜的电容器的方法包括将含有金属元素的前体供应到半导体衬底并清洗反应器; 供应氧化剂并清洗反应器; 并供应含氮的反应源并清洗反应器。

公开(公告)号：US20070040207A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：US11586291

申请日：2006-10-25

申请人： Gab-jin Nam ,  Seung-hwan Lee ,  Ki-chul Kim ,  Jae-soon Lim ,  Sung-tae Kim ,  Young-sun Kim

发明人： Gab-jin Nam ,  Seung-hwan Lee ,  Ki-chul Kim ,  Jae-soon Lim ,  Sung-tae Kim ,  Young-sun Kim

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L21/02186 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： Methods of forming an electronic device include providing a fist electrode, providing a dielectric oxide layer on the first electrode, and providing a second electrode on the dielectric oxide layer so that the dielectric oxide layer is between the first and second electrodes. More particularly, a first portion of the dielectric oxide layer adjacent the first electrode can have a first density of titanium, and a second portion of the dielectric oxide layer opposite the first electrode can have a second density of titanium different than the first density. Related structures are also discussed.

摘要翻译： 形成电子器件的方法包括提供第一电极，在第一电极上提供电介质氧化物层，并在电介质氧化物层上提供第二电极，使得电介质氧化物层位于第一和第二电极之间。 更具体地，与第一电极相邻的电介质氧化物层的第一部分可以具有第一密度的钛，并且与第一电极相对的电介质氧化物层的第二部分可具有不同于第一密度的钛的第二密度。 还讨论了相关结构。

公开(公告)号：US20070031597A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：US11460485

申请日：2006-07-27

申请人： Kyu-Ho Cho ,  Seung-Ho Yoo ,  Byung-Soo Kim ,  Jae-Sun Jung ,  Han-Jin Lim ,  Ki-Chul Kim ,  Jae-Soon Lim

发明人： Kyu-Ho Cho ,  Seung-Ho Yoo ,  Byung-Soo Kim ,  Jae-Sun Jung ,  Han-Jin Lim ,  Ki-Chul Kim ,  Jae-Soon Lim

IPC分类号： C23C16/00 ,  C07F3/02

CPC分类号： C23C16/40 ,  C07C217/08 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553

摘要： The present invention provides organometallic precursors and methods of forming thin films including using the same. The organometallic precursors include a metal and a ligand linked to the metal. The ligand can be represented by the following formula (1): wherein R1 and R2 are each independently hydrogen or an alkyl group. The thin films may be applied to semiconductor structures such as a gate insulation layer of a gate structure and a dielectric layer of a capacitor.

摘要翻译： 本发明提供了有机金属前体和形成薄膜的方法，包括使用它们。 有机金属前体包括与金属连接的金属和配体。 配体可以由下式（1）表示：其中R 1和R 2各自独立地为氢或烷基。 薄膜可以应用于诸如栅极结构的栅极绝缘层和电容器的电介质层的半导体结构。

公开(公告)号：US20050031495A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：US10844136

申请日：2004-05-12

申请人： Han-Mei Choi ,  Thomas Kwon ,  Jae-Soon Lim ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

发明人： Han-Mei Choi ,  Thomas Kwon ,  Jae-Soon Lim ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L21/30 ,  B01B1/00 ,  B01J4/02 ,  B01L3/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/448 ,  B01B1/005 ,  B01J4/02 ,  B01J2219/0011 ,  B01J2219/00164 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/0329 ,  Y10T436/2575

摘要： Liquid chemical delivery systems are provided which include a liquid chemical storage canister, a pressurized gas source that feeds a pressurized gas into the storage canister, a vaporizer that may be used to vaporize the liquid chemical supplied from the storage canister, a delivery line that connects the storage canister to the vaporizer, a liquid mass flow controller that controls the flow rate of the liquid chemical through the delivery line, a reaction chamber that is connected to the vaporizer, and a liquid chemical recycling element that collects at least some of the chemical flowing through the system during periods when the liquid chemical delivery system is isolated from the reaction chamber.

摘要翻译： 提供了液体化学输送系统，其包括液体化学品储存罐，将加压气体进料到储存罐中的加压气体源，可用于蒸发从储存罐供应的液体化学品的蒸发器，连接 储存罐到蒸发器，液体质量流量控制器，其通过输送管线控制液体化学品的流速;连接到蒸发器的反应室;以及液体化学品循环元件，其收集至少一些化学物质 在液体化学品输送系统与反应室隔离的期间流经系统。

公开(公告)号：US09349583B2

公开(公告)日：2016-05-24

申请号：US13775595

申请日：2013-02-25

申请人： Min-Young Park ,  Youn-Soo Kim ,  Sang-Yeol Kang ,  Cha-Young Yoo ,  Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi

发明人： Min-Young Park ,  Youn-Soo Kim ,  Sang-Yeol Kang ,  Cha-Young Yoo ,  Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C16/045 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28282 ,  H01L28/40

摘要： Methods of fabricating a semiconductor device include forming a deposited film on a semiconductor substrate in a process chamber by repeatedly forming unit layers on the semiconductor substrate. The unit layer is formed by forming a preliminary unit layer on the semiconductor substrate by supplying a process material including a precursor material and film-control material into the process chamber, purging the process chamber, forming a unit layer from the preliminary unit layer, and again purging the process chamber. The precursor material includes a central atom and a ligand bonded to the central atom, and the film-control material includes a hydride of the ligand.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括通过在半导体衬底上重复形成单位层，在处理室中的半导体衬底上形成沉积膜。 单元层通过在半导体基板上形成预备单元层而形成，该方法是将包括前体材料和薄膜控制材料的处理材料供给到处理室中，从处理室中清除处理室，从预备单元层形成单元层，以及 再次清洗处理室。 前体材料包括中心原子和与中心原子键合的配体，膜控制材料包括配体的氢化物。

公开(公告)号：US20150031186A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：US14510302

申请日：2014-10-09

申请人： Youn-soo KIM ,  Jae-hyoung CHOI ,  Kyu-ho CHO ,  Wan-don KIM ,  Jae-soon LIM ,  Sang-yeol KANG

发明人： Youn-soo KIM ,  Jae-hyoung CHOI ,  Kyu-ho CHO ,  Wan-don KIM ,  Jae-soon LIM ,  Sang-yeol KANG

IPC分类号： H01L49/02

CPC分类号： H01L28/56 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/318 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

摘要： A semiconductor device having a dielectric layer with improved electrical characteristics and associated methods, the semiconductor device including a lower metal layer, a dielectric layer, and an upper metal layer sequentially disposed on a semiconductor substrate and an insertion layer disposed between the dielectric layer and at least one of the lower metal layer and the upper metal layer, wherein the dielectric layer includes a metal oxide film and the insertion layer includes a metallic material film.

摘要翻译： 一种半导体器件，具有具有改善的电特性和相关方法的电介质层，所述半导体器件包括顺序地设置在半导体衬底上的下金属层，电介质层和上金属层，以及设置在电介质层之间的插入层 下金属层和上金属层中的至少一个，其中电介质层包括金属氧化物膜，并且插入层包括金属材料膜。

公开(公告)号：US20120094022A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13242037

申请日：2011-09-23

申请人： Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Youn-Soo Kim ,  Min-Young Park ,  Sang-Yeol Kang

发明人： Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Youn-Soo Kim ,  Min-Young Park ,  Sang-Yeol Kang

IPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/45525

摘要： Provided is a method of forming a metal thin film which can reduce leakage current while improving electric properties by improving step coverage of a device. The method of forming a metal thin film includes supplying a metal precursor including chlorine, purging byproducts produced after the supplying of the metal precursor by injecting a purge gas, supplying a reactant to allow the reactant and the metal precursor to react with each other to form a thin film layer, and purging the byproducts produced after the reaction by injecting a purge gas, wherein before the supplying of the metal precursor, the method further includes supplying a reactant to be adsorbed on a treated product.

摘要翻译： 提供一种形成金属薄膜的方法，其可以通过改善器件的台阶覆盖而改善电特性，从而降低漏电流。 形成金属薄膜的方法包括：供给包含氯的金属前体，通过注入吹扫气体，在供给金属前体之后产生的副产物，供应反应物以允许反应物和金属前体彼此反应形成 薄膜层，并且通过注入吹扫气体来净化反应后产生的副产物，其中在供给金属前体之前，所述方法还包括供给被处理产物上被吸附的反应物。

公开(公告)号：US20110136317A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：US12659830

申请日：2010-03-23

申请人： Sang-Yeol Kang ,  Youn-Soo Kim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Min-Young Park ,  Suk-Jin Chung

发明人： Sang-Yeol Kang ,  Youn-Soo Kim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Min-Young Park ,  Suk-Jin Chung

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/10852 ,  H01L29/40114

摘要： Example embodiments relate to a semiconductor device including an oxide dielectric layer and a non-oxide dielectric layer, a method of fabricating the device, and a semiconductor module, an electronic circuit board, and an electronic system including the device. The semiconductor device may include a lower electrode, an oxide dielectric layer disposed on the lower electrode, a non-oxide dielectric layer disposed on the oxide dielectric layer, and an upper electrode disposed on the non-oxide dielectric layer.

摘要翻译： 示例性实施例涉及包括氧化物介电层和非氧化物介电层的半导体器件，制造器件的方法，以及包括该器件的半导体模块，电子电路板和电子系统。 半导体器件可以包括下电极，设置在下电极上的氧化物介电层，设置在氧化物电介质层上的非氧化物介电层，以及设置在非氧化物介电层上的上电极。

公开(公告)号：US20100196592A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12699576

申请日：2010-02-03

申请人： Wan-Don Kim ,  Kyu-Ho Cho ,  Jin-Yong Kim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Oh-Seong Kwon ,  Beom-Seok Kim ,  Yong-Suk Tak

发明人： Wan-Don Kim ,  Kyu-Ho Cho ,  Jin-Yong Kim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Oh-Seong Kwon ,  Beom-Seok Kim ,  Yong-Suk Tak

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： H01G4/33 ,  H01G4/008 ,  H01G4/12 ,  H01G4/224 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： In a method of fabricating a capacitor, a lower electrode is formed, and a dielectric layer is formed on the lower electrode. An upper electrode is foamed on the dielectric layer opposite the lower electrode. A low-temperature capping layer is formed on the upper electrode at a temperature of less than about 300° C. Related devices and fabrication methods are also discussed.

摘要翻译： 在制造电容器的方法中，形成下电极，并且在下电极上形成电介质层。 上电极在与下电极相对的电介质层上发泡。 在小于约300℃的温度下，在上电极上形成低温覆盖层。还讨论了相关装置和制造方法。