公开(公告)号：US09552902B2

公开(公告)日：2017-01-24

申请号：US14484208

申请日：2014-09-11

Applicant: ISIS Innovation Limited

Inventor： Peter P. Edwards ,  Martin Owen Jones ,  Malek Moshari Al-Mamouri ,  John Stuart Abell

IPC: H01B1/08 ,  H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  C03C17/245 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  H01L33/42 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01B1/08 ,  C03C17/245 ,  C03C2217/213 ,  C03C2217/216 ,  C03C2217/23 ,  C03C2217/24 ,  C03C2217/241 ,  C03C2217/242 ,  C03C2217/944 ,  C23C14/086 ,  C23C14/28 ,  H01B5/14 ,  H01B13/003 ,  H01L33/42 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5215 ,  Y10T428/10 ,  Y10T428/1055 ,  Y10T428/24 ,  Y10T428/24479

Abstract: The invention provides a transparent conducting film which comprises a compound of formula (I): Zn1-x[M]xO1-y[X]y(I) wherein: x is greater than 0 and less than or equal to 0.25; y is from 0 to 0.1; [X] is at least one dopant element which is a halogen; and [M] is: (a) a dopant element which is selected from: a group 14 element other than carbon; a lanthanide element which has an oxidation state of +4; and a transition metal which has an oxidation state of +4 and which is other than Ti or Zr; or (b) a combination of two or more different dopant elements, at least one of which is selected from: a group 14 element other than carbon; a lanthanide element which has an oxidation state of +4; and a transition metal which has an oxidation state of +4 and which is other than Ti or Zr. The invention further provides coatings comprising the films of the invention, processes for producing such films and coatings, and various uses of the films and coatings.

Abstract translation: 本发明提供一种透明导电膜，其包含式（I）化合物：Zn1-x [M] xO1-y [X] y（I）其中：x大于0且小于或等于0.25; y为0〜0.1; [X]是卤素中的至少一种掺杂剂元素; 和[M]是：（a）掺杂元素，其选自：除了碳以外的第14族元素; 氧化态为+4的镧系元素; 和具有+4并且不是Ti或Zr的氧化态的过渡金属; 或（b）两种或更多种不同掺杂元素的组合，其中至少一种选自：除碳以外的第14族元素; 氧化态为+4的镧系元素; 和具有+4的氧化态且不同于Ti或Zr的过渡金属。 本发明还提供了包含本发明的膜的涂层，用于生产这种膜和涂层的方法以及膜和涂层的各种用途。

公开(公告)号：US09540525B2

公开(公告)日：2017-01-10

申请号：US14145089

申请日：2013-12-31

Applicant: Hyundai Motor Company ,  Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology

Inventor： Kwang Il Chang ,  Chul Kyu Song ,  Dha Hae Kim ,  Seung Hun Hur

IPC: B05D1/00 ,  C09D5/26 ,  B05D1/02 ,  B05D1/18 ,  B05D1/28 ,  B05D1/30 ,  B05D1/40 ,  C03C17/25

CPC classification number: C09D5/26 ,  B05D1/005 ,  B05D1/02 ,  B05D1/18 ,  B05D1/28 ,  B05D1/30 ,  B05D1/40 ,  C03C17/256 ,  C03C2217/23 ,  C09D1/00

Abstract: A graphene oxide-ceramic hybrid coating layer formed from a graphene oxide-ceramic hybrid sol solution that includes graphene oxide (GO) and a ceramic sol and a method of preparing the coating layer are provided. A content of graphene oxide in the graphene oxide-ceramic hybrid coating layer is about 0.002 to about 3.0 wt % based on the total weight of the graphene oxide-ceramic hybrid coating layer.

Abstract translation: 提供由包括氧化石墨烯（GO）和陶瓷溶胶的氧化石墨烯 - 陶瓷混合溶胶溶液形成的氧化石墨烯 - 陶瓷混合涂层和制备涂层的方法。 基于石墨烯氧化物 - 陶瓷混合涂层的总重量，氧化石墨烯 - 陶瓷混合涂层中的氧化石墨烯的含量为约0.002至约3.0重量％。

公开(公告)号：US09530640B2

公开(公告)日：2016-12-27

申请号：US14749340

申请日：2015-06-24

Applicant: Tsinghua University ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

Inventor： Da-Ming Zhuang ,  Ming Zhao ,  Ming-Jie Cao ,  Li Guo ,  Ze-Dong Gao ,  Yao-Wei Wei

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/02 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L21/324 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/086 ,  C03C17/245 ,  C03C2217/23 ,  C03C2218/154 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/50 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/324 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: An oxide semiconductor film includes indium (In), cerium (Ce), zinc (Zn) and oxygen (O) elements, and a molar ratio of the In, Ce, and Zn as In:Ce:Zn is in a range of 2:(0.5 to 2):1. A method for making a oxide semiconductor film includes a step of forming an oxide film on a substrate by using a sputtering method and a sputtering target comprising In2CexZnO4+2x, wherein x=0.5˜2.

Abstract translation: 氧化物半导体膜包括铟（In），铈（Ce），锌（Zn）和氧（O）元素，In：Ce：Zn的In，Ce和Zn的摩尔比在2 ：（0.5〜2）：1。 制造氧化物半导体膜的方法包括通过使用溅射法在衬底上形成氧化膜的步骤和包括In2CexZnO4 + 2x的溅射靶，其中x = 0.5〜2。

公开(公告)号：US20160329209A1

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：US14749340

申请日：2015-06-24

Applicant: Tsinghua University ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

Inventor： DA-MING ZHUANG ,  MING ZHAO ,  MING-JIE CAO ,  LI GUO ,  ZE-DONG GAO ,  YAO-WEI WEI

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  H01L21/324 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66

CPC classification number: C23C14/086 ,  C03C17/245 ,  C03C2217/23 ,  C03C2218/154 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/50 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/324 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: An oxide semiconductor film includes indium (In), cerium (Ce), zinc (Zn) and oxygen (0) elements, and a molar ratio of the In, Ce, and Zn as In:Ce:Zn is in a range of 2:(0.5 to 2):1. A method for making a oxide semiconductor film includes a step of forming an oxide film on a substrate by using a sputtering method and a sputtering target comprising In2CexZnO4+2x, wherein x=0.5˜2.

Abstract translation: 氧化物半导体膜包括铟（In），铈（Ce），锌（Zn）和氧（0）元素，In：Ce：Zn的In，Ce和Zn的摩尔比在2 ：（0.5〜2）：1。 制造氧化物半导体膜的方法包括通过使用溅射法在衬底上形成氧化膜的步骤和包括In2CexZnO4 + 2x的溅射靶，其中x = 0.5〜2。

公开(公告)号：US20160257610A1

公开(公告)日：2016-09-08

申请号：US15033167

申请日：2013-12-04

Applicant: HITACHI, LTD.

Inventor： Motomune KODAMA ,  Masanori MIYAGI ,  Takuya AOYAGI ,  Takashi NAITO

IPC: C03C17/04 ,  C03C3/12 ,  C03C8/24 ,  B32B38/00 ,  B32B7/14 ,  B32B17/06 ,  C03C17/00 ,  B32B37/14 ,  C03C3/21 ,  B32B1/02

CPC classification number: C03C17/04 ,  B32B1/02 ,  B32B7/14 ,  B32B17/06 ,  B32B37/14 ,  B32B38/0008 ,  B32B2250/02 ,  B32B2255/20 ,  B32B2307/304 ,  B32B2307/412 ,  B32B2419/00 ,  B32B2439/40 ,  B32B2457/00 ,  B32B2605/00 ,  C03C3/122 ,  C03C3/21 ,  C03C8/02 ,  C03C8/08 ,  C03C8/18 ,  C03C8/24 ,  C03C17/003 ,  C03C17/007 ,  C03C17/008 ,  C03C27/06 ,  C03C2217/218 ,  C03C2217/23 ,  C03C2218/32 ,  E06B3/66 ,  E06B3/6612 ,  E06B3/66357 ,  Y02B80/22 ,  Y02B80/24

Abstract: A sealed structural body has an internal space and is made of glass, wherein at least a part of a boundary between the internal space of the sealed structural body and the outside is separated by a sealing material containing a metal material and a lead-free oxide glass. The lead-free oxide glass contains at least one of element Ag or P, Te, and V.

Abstract translation: 密封结构体具有内部空间并由玻璃制成，其中密封结构体的内部空间与外部之间的边界的至少一部分由包含金属材料和无铅氧化物的密封材料分开 玻璃。 无铅氧化物玻璃含有元素Ag或P，Te和V中的至少一种。

公开(公告)号：US09315414B2

公开(公告)日：2016-04-19

申请号：US14701053

申请日：2015-04-30

Applicant: Intermolecular Inc.

Inventor： Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Richard Blacker ,  Guowen Ding ,  Jingyu Lao ,  Minh Huu Le ,  Yiwei Lu ,  Minh Anh Nguyen ,  Zhi-Wen Sun

IPC: C03C17/02 ,  C03C17/245 ,  C03C17/36 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34

CPC classification number: C03C17/36 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C03C2217/21 ,  C03C2217/228 ,  C03C2217/23 ,  C03C2217/26 ,  C03C2217/281

Abstract: Embodiments provided herein describe a low-e panel and a method for forming a low-e panel. A transparent substrate is provided. A metal oxide layer is formed over the transparent substrate. The metal oxide layer includes a first element, a second element, and a third element. A reflective layer is formed over the transparent substrate. The first element may include tin or zinc. The second element and the third element may each include tin, zinc, antimony, silicon, strontium, titanium, niobium, zirconium, magnesium, aluminum, yttrium, lanthanum, hafnium, or bismuth. The metal oxide layer may also include nitrogen.

Abstract translation: 本文提供的实施例描述了低e面板和形成低e面板的方法。 提供透明基板。 在透明基板上形成金属氧化物层。 金属氧化物层包括第一元件，第二元件和第三元件。 在透明基板上形成反射层。 第一元素可以包括锡或锌。 第二元素和第三元素可以各自包括锡，锌，锑，硅，锶，钛，铌，锆，镁，铝，钇，镧，铪或铋。 金属氧化物层也可以包括氮。

公开(公告)号：US09187842B2

公开(公告)日：2015-11-17

申请号：US13640760

申请日：2011-04-12

Applicant: Tomohiko Nakajima ,  Tetsuo Tsuchiya ,  Takaaki Manabe

Inventor： Tomohiko Nakajima ,  Tetsuo Tsuchiya ,  Takaaki Manabe

IPC: C30B29/24 ,  C30B1/02 ,  C03C17/00 ,  C03C17/23 ,  C04B35/465 ,  C04B35/468 ,  C04B35/495 ,  C30B7/06 ,  C30B29/30 ,  H01L41/187 ,  C30B1/04 ,  C30B1/10

CPC classification number: C30B1/023 ,  C03C17/001 ,  C03C17/23 ,  C03C2217/23 ,  C04B35/465 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/665 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  C30B1/04 ,  C30B1/10 ,  C30B7/06 ,  C30B29/30 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/1873

Abstract: A thin film which comprises an organic metal salt or an alkoxide salt or an amorphous thin film is formed on a substrate, wherein each of the thin films enables the formation of a Dion-Jacobson perovskite-type metal oxide represented by the composition formula A(Bn−1MnO3n+1) (wherein n is a natural number of 2 or greater; A represents one or more monovalent cations selected from Na, K, Rb and Cs; B comprises one or more components selected from a trivalent rare earth ion, Bi, a divalent alkaline earth metal ion and a monovalent alkali metal ion; and M comprises one or more of Nb and Ta; wherein a solid solution may be formed with Ti and Zr) on a non-oriented substrate. The resulting product is maintained at the temperature between room temperature and 600° C.; and crystallization is achieved while irradiating the amorphous thin film or the thin film comprising the organic metal salt or the alkoxide salt on the substrate with ultraviolet light such as ultraviolet laser. In this manner, it becomes possible to produce an oriented Dion-Jacobson perovskite-type oxide thin film characterized in that thin film can be oriented on the substrate in a (001) direction.

Abstract translation: 在基材上形成包含有机金属盐或醇盐或非晶态薄膜的薄膜，其中每个薄膜能够形成由组成式A表示的Dion-Jacobson钙钛矿型金属氧化物（ Bn-1MnO3n + 1）（其中n为2或更大的自然数; A表示选自Na，K，Rb和Cs中的一种或多种一价阳离子; B包含一种或多种选自三价稀土离子，Bi ，二价碱土金属离子和一价碱金属离子; M包括Nb和Ta中的一种或多种;其中在非取向基底上可以用Ti和Zr形成固溶体）。 所得产物保持在室温至600℃之间的温度。 并且在用紫外线激光等紫外线照射基板上的非晶质薄膜或由有机金属盐或醇盐构成的薄膜的同时进行结晶化。 以这种方式，可以制备定向的Dion-Jacobson钙钛矿型氧化物薄膜，其特征在于薄膜可以在（001）方向上在基板上取向。

公开(公告)号：US09045363B2

公开(公告)日：2015-06-02

申请号：US13338018

申请日：2011-12-27

Applicant: Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Richard Blacker ,  Guowen Ding ,  Jingyu Lao ,  Hien Minh Huu Le ,  Yiwei Lu ,  Minh Anh Nguyen ,  Zhi-Wen Sun

Inventor： Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Richard Blacker ,  Guowen Ding ,  Jingyu Lao ,  Hien Minh Huu Le ,  Yiwei Lu ,  Minh Anh Nguyen ,  Zhi-Wen Sun

IPC: C03C17/23 ,  C03C17/34 ,  C03C17/36

CPC classification number: C03C17/36 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C03C2217/21 ,  C03C2217/228 ,  C03C2217/23 ,  C03C2217/26 ,  C03C2217/281

Abstract: Embodiments provided herein describe a low-e panel and a method for forming a low-e panel. A transparent substrate is provided. A metal oxide layer is formed over the transparent substrate. The metal oxide layer includes a first element, a second element, and a third element. A reflective layer is formed over the transparent substrate. The first element may include tin or zinc. The second element and the third element may each include tin, zinc, antimony, silicon, strontium, titanium, niobium, zirconium, magnesium, aluminum, yttrium, lanthanum, hafnium, or bismuth. The metal oxide layer may also include nitrogen.

Abstract translation: 本文提供的实施例描述了低e面板和形成低e面板的方法。 提供透明基板。 在透明基板上形成金属氧化物层。 金属氧化物层包括第一元件，第二元件和第三元件。 在透明基板上形成反射层。 第一元素可以包括锡或锌。 第二元素和第三元素可以各自包括锡，锌，锑，硅，锶，钛，铌，锆，镁，铝，钇，镧，铪或铋。 金属氧化物层也可以包括氮。

公开(公告)号：US20140349041A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：US14458280

申请日：2014-08-13

Applicant: Guardian Industries Corp.

Inventor： Jean-Marc LEMMER ,  Nestor P. MURPHY ,  David D. McLEAN ,  Richard BLACKER ,  Herbert LAGE ,  Jose FERREIRA ,  Pierre PALLOTTA

IPC: C03C17/36 ,  C03C17/34

CPC classification number: C03C17/3417 ,  B32B17/06 ,  B32B2255/20 ,  B32B2419/00 ,  B32B2509/10 ,  B32B2605/08 ,  B60J1/02 ,  C03C17/3435 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3642 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C03C17/3681 ,  C03C2217/21 ,  C03C2217/211 ,  C03C2217/212 ,  C03C2217/216 ,  C03C2217/23 ,  C03C2217/231 ,  C03C2217/256 ,  C03C2217/26 ,  C03C2217/261 ,  C03C2217/27 ,  C03C2217/281 ,  C03C2217/70 ,  C03C2217/948 ,  C03C2218/152 ,  C03C2218/365 ,  E04D13/033 ,  E06B3/66 ,  F25D21/04 ,  F25D23/02 ,  Y10T428/24975

Abstract: Certain example embodiments of this invention relate to articles including anticondensation and/or low-E coatings that are exposed to an external environment, and/or methods of making the same. In certain example embodiments, the anticondensation and/or low-E coatings may be survivable in an outside environment. The coatings also may have a sufficiently low sheet resistance and hemispherical emissivity such that the glass surface is more likely to retain heat from the interior area, thereby reducing (and sometimes completely eliminating) the presence condensation thereon. The articles of certain example embodiments may be, for example, skylights, vehicle windows or windshields, IG units, VIG units, refrigerator/freezer doors, and/or the like.

Abstract translation: 本发明的某些示例性实施方案涉及包含暴露于外部环境的抗缩合和/或低E涂层的制品和/或其制备方法。 在某些示例性实施方案中，抗缩合和/或低E涂层可以在外部环境中存活。 涂层还可以具有足够低的薄层电阻和半球形辐射率，使得玻璃表面更可能保持来自内部区域的热量，从而减少（并且有时完全消除）其上的存在冷凝。 某些示例性实施例的物品可以是例如天窗，车窗或挡风玻璃，IG单元，VIG单元，冰箱/冷冻门和/或类似物。

公开(公告)号：US08859104B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US12920083

申请日：2009-02-26

Applicant: Peter P. Edwards ,  Martin Owen Jones ,  Malek Moshari Al-Mamouri ,  John Stuart Abell

Inventor： Peter P. Edwards ,  Martin Owen Jones ,  Malek Moshari Al-Mamouri ,  John Stuart Abell

IPC: B32B3/30 ,  B32B3/10 ,  B32B9/00 ,  C23C14/28 ,  C09K19/00 ,  B05D3/10 ,  B32B17/06 ,  H01B1/02 ,  C09K11/61 ,  C03C17/245 ,  H01B1/08 ,  C23C14/08 ,  H01L33/42 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01B1/08 ,  C03C17/245 ,  C03C2217/213 ,  C03C2217/216 ,  C03C2217/23 ,  C03C2217/24 ,  C03C2217/241 ,  C03C2217/242 ,  C03C2217/944 ,  C23C14/086 ,  C23C14/28 ,  H01B5/14 ,  H01B13/003 ,  H01L33/42 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5215 ,  Y10T428/10 ,  Y10T428/1055 ,  Y10T428/24 ,  Y10T428/24479

Abstract: The invention provides a transparent conducting film which comprises a compound of formula (I): Zn1-x[M]xO1-y[X]y(I) wherein: x is greater than 0 and less than or equal to 0.25; y is from 0 to 0.1; [X] is at least one dopant element which is a halogen; and [M] is: (a) a dopant element which is selected from: a group 14 element other than carbon; a lanthanide element which has an oxidation state of +4; and a transition metal which has an oxidation state of +4 and which is other than Ti or Zr; or (b) a combination of two or more different dopant elements, at least one of which is selected from: a group 14 element other than carbon; a lanthanide element which has an oxidation state of +4; and a transition metal which has an oxidation state of +4 and which is other than Ti or Zr. The invention further provides coatings comprising the films of the invention, processes for producing such films and coatings, and various uses of the films and coatings.

Abstract translation: 本发明提供一种透明导电膜，其包含式（I）化合物：Zn1-x [M] xO1-y [X] y（I）其中：x大于0且小于或等于0.25; y为0〜0.1; [X]是卤素中的至少一种掺杂剂元素; 和[M]是：（a）掺杂元素，其选自：除了碳以外的第14族元素; 氧化态为+4的镧系元素; 和具有+4并且不是Ti或Zr的氧化态的过渡金属; 或（b）两种或更多种不同掺杂元素的组合，其中至少一种选自：除碳以外的第14族元素; 氧化态为+4的镧系元素; 和具有+4的氧化态且不同于Ti或Zr的过渡金属。 本发明还提供了包含本发明的膜的涂层，用于生产这种膜和涂层的方法以及膜和涂层的各种用途。