公开(公告)号：US20080284035A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：US11749293

申请日：2007-05-16

申请人： Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl ,  Rainer Steiner

发明人： Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl ,  Rainer Steiner

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

摘要： A semiconductor device and method is disclosed. In one embodiment, the method includes placing a first semiconductor over an electrically conductive carrier. The first semiconductor is covered with a molding compound. A through hole is formed in the molding compound. A first material is deposited in the through hole.

摘要翻译： 公开了半导体器件和方法。 在一个实施例中，该方法包括将第一半导体放置在导电载体上。 第一半导体被模塑料覆盖。 在模塑料中形成通孔。 第一种材料沉积在通孔中。

公开(公告)号：US20070117424A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：US11601540

申请日：2006-11-17

申请人： Michael Bauer ,  Markus Brunnbauer ,  Irmgard Escher-Poeppel ,  Jens Pohl ,  Christian Stuempfl

发明人： Michael Bauer ,  Markus Brunnbauer ,  Irmgard Escher-Poeppel ,  Jens Pohl ,  Christian Stuempfl

IPC分类号： H05K1/00

CPC分类号： H05K3/4015 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49816 ,  H01L25/105 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/0379 ,  H05K2201/10242 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2203/0597 ,  Y02P70/613

摘要： For the vertical electrical connection of a number of components, an electronic structure with at least two components has solderable connecting elements, which include at least one socket element and a solder ball stacked on the socket element. The socket element has a cylindrical core of an electrically conducting first material with a lateral surface, a bottom surface and a top surface. The core is surrounded with a cladding of an electrically insulating second material in such a way that the lateral surface of the core is covered by the cladding and the top surface and the bottom surface are kept free of the cladding.

摘要翻译： 对于多个部件的垂直电连接，具有至少两个部件的电子结构具有可焊接的连接元件，其包括堆叠在插座元件上的至少一个插座元件和焊球。 插座元件具有导电的第一材料的圆柱形芯，其具有侧表面，底表面和顶表面。 芯被电绝缘的第二材料的包层围绕，使得芯的侧表面被包层覆盖，并且顶表面和底表面保持没有包层。

公开(公告)号：US08330273B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12904628

申请日：2010-10-14

申请人： Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl ,  Rainer Steiner

发明人： Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl ,  Rainer Steiner

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

摘要： A semiconductor device and method is disclosed. In one embodiment, the method includes placing a first semiconductor over an electrically conductive carrier. The first semiconductor is covered with a molding compound. A through hole is formed in the molding compound. A first material is deposited in the through hole.

摘要翻译： 公开了半导体器件和方法。 在一个实施例中，该方法包括将第一半导体放置在导电载体上。 第一半导体被模塑料覆盖。 在模塑料中形成通孔。 第一种材料沉积在通孔中。

公开(公告)号：US07863088B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US11749293

申请日：2007-05-16

申请人： Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl ,  Rainer Steiner

发明人： Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl ,  Rainer Steiner

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

摘要： A semiconductor device and method is disclosed. In one embodiment, the method includes placing a first semiconductor over an electrically conductive carrier. The first semiconductor is covered with a molding compound. A through hole is formed in the molding compound. A first material is deposited in the through hole.

摘要翻译： 公开了半导体器件和方法。 在一个实施例中，该方法包括将第一半导体放置在导电载体上。 第一半导体被模塑料覆盖。 在模塑料中形成通孔。 第一种材料沉积在通孔中。

公开(公告)号：US07666777B2

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：US11601540

申请日：2006-11-17

申请人： Michael Bauer ,  Markus Brunnbauer ,  Irmgard Escher-Poeppel ,  Jens Pohl ,  Christian Stuempfl

发明人： Michael Bauer ,  Markus Brunnbauer ,  Irmgard Escher-Poeppel ,  Jens Pohl ,  Christian Stuempfl

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H05K3/4015 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49816 ,  H01L25/105 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/0379 ,  H05K2201/10242 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2203/0597 ,  Y02P70/613

摘要： For the vertical electrical connection of a number of components, an electronic structure with at least two components has solderable connecting elements, which include at least one socket element and a solder ball stacked on the socket element. The socket element has a cylindrical core of an electrically conducting first material with a lateral surface, a bottom surface and a top surface. The core is surrounded with a cladding of an electrically insulating second material in such a way that the lateral surface of the core is covered by the cladding and the top surface and the bottom surface are kept free of the cladding.

摘要翻译： 对于多个部件的垂直电连接，具有至少两个部件的电子结构具有可焊接的连接元件，其包括堆叠在插座元件上的至少一个插座元件和焊球。 插座元件具有导电的第一材料的圆柱形芯，其具有侧表面，底表面和顶表面。 芯被电绝缘的第二材料的包层围绕，使得芯的侧表面被包层覆盖，并且顶表面和底表面保持没有包层。

公开(公告)号：US09093322B2

公开(公告)日：2015-07-28

申请号：US11777694

申请日：2007-07-13

申请人： Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Recai Sezi

发明人： Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Recai Sezi

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/12 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/00301 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/013

摘要： A semiconductor device is disclosed. One embodiment includes a semiconductor substrate and at least two insulating elements located above the semiconductor substrate or above a mold compound embedding the semiconductor substrate. The at least two insulating elements have a first face facing the semiconductor substrate or the mold compound and a second face facing away from the semiconductor substrate or the mold compound. A conductive element for each of the at least two insulating elements extends from the first face of the insulating element to the second face of the insulating element.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件。 一个实施例包括半导体衬底和位于半导体衬底之上或在嵌入半导体衬底的模具化合物上方的至少两个绝缘元件。 所述至少两个绝缘元件具有面对半导体衬底或模具化合物的第一面和背离半导体衬底或模具化合物的第二面。 用于至少两个绝缘元件中的每一个的导电元件从绝缘元件的第一面延伸到绝缘元件的第二面。

公开(公告)号：US08093711B2

公开(公告)日：2012-01-10

申请号：US12364340

申请日：2009-02-02

申请人： Frank Zudock ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Andreas Wolter

发明人： Frank Zudock ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Andreas Wolter

IPC分类号： H01L23/04

CPC分类号： H01L24/82 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/25 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2224/82

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor chip having a through-connection extending between a first main face of the semiconductor chip and a second main face of the semiconductor chip opposite the first main face, encapsulation material at least partially encapsulating the semiconductor chip, and a first metal layer disposed over the encapsulation material and connected with the through-connection.

摘要翻译： 一种半导体器件包括半导体芯片，其具有在半导体芯片的第一主面之间延伸的贯通连接和与第一主面相对的半导体芯片的第二主面，至少部分地封装半导体芯片的封装材料，以及第一 金属层设置在封装材料上并与通孔连接。

公开(公告)号：US07906860B2

公开(公告)日：2011-03-15

申请号：US11925312

申请日：2007-10-26

申请人： Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Marcus Kastner ,  Stephan Bradl

发明人： Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Marcus Kastner ,  Stephan Bradl

IPC分类号： H01L23/29

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device is disclosed. One embodiment provides an arrangement of a plurality of semiconductor chips arranged side by side in a spaced apart relationship. A first material fills at least partly the spacings between adjacent semiconductor chips. A second material is arranged over the semiconductor chips and the first material. A coefficient of thermal expansion of the first material is selected to adapt the lateral thermal expansion of the arrangement in a plane intersecting the first material and the semiconductor chips to the lateral thermal expansion of the arrangement in a plane intersecting the second material.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件。 一个实施例提供了以间隔开的关系并排布置的多个半导体芯片的布置。 第一材料至少部分地填充相邻半导体芯片之间的间距。 第二材料布置在半导体芯片和第一材料上。 选择第一材料的热膨胀系数以使布置的横向热膨胀在与第一材料和半导体芯片相交的平面中适应布置在与第二材料相交的平面中的横向热膨胀。

公开(公告)号：US20100193928A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12364340

申请日：2009-02-02

申请人： Frank Zudock ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Andreas Wolter

发明人： Frank Zudock ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Andreas Wolter

IPC分类号： H01L25/11 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/82 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/25 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2224/82

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor chip having a through-connection extending between a first main face of the semiconductor chip and a second main face of the semiconductor chip opposite the first main face, encapsulation material at least partially encapsulating the semiconductor chip, and a first metal layer disposed over the encapsulation material and connected with the through-connection.

摘要翻译： 一种半导体器件包括半导体芯片，其具有在半导体芯片的第一主面之间延伸的贯通连接和与第一主面相对的半导体芯片的第二主面，至少部分地封装半导体芯片的封装材料，以及第一 金属层设置在封装材料上并与通孔连接。

公开(公告)号：US20090261468A1

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：US12105837

申请日：2008-04-18

申请人： Werner Kroeninger ,  Josef Schwaiger ,  Ludwig Schneider ,  Ottmar Geitner ,  Markus Brunnbauer ,  Thorsten Meyer ,  Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Helmut Strack ,  Xaver Schloegel

发明人： Werner Kroeninger ,  Josef Schwaiger ,  Ludwig Schneider ,  Ottmar Geitner ,  Markus Brunnbauer ,  Thorsten Meyer ,  Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Helmut Strack ,  Xaver Schloegel

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/072 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor module. One embodiment provides at least two semiconductor chips placed on a carrier. The at least two semiconductor chips are then covered with a molding material to form a molded body. The molded body is thinned until the at least two semiconductor chips are exposed. Then, the carrier is removed from the at least two semiconductor chips. The at least two semiconductor chips are singulated.

摘要翻译： 半导体模块。 一个实施例提供放置在载体上的至少两个半导体芯片。 然后将至少两个半导体芯片用模制材料覆盖以形成模制体。 成型体变薄，直到暴露出至少两个半导体芯片。 然后，从至少两个半导体芯片移除载体。 将至少两个半导体芯片分割。