公开(公告)号：US08072071B2

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：US12389103

申请日：2009-02-19

申请人： Rainer Steiner ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Markus Brunnbauer ,  Gottfried Beer

发明人： Rainer Steiner ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Markus Brunnbauer ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a chip comprising a contact element, a structured dielectric layer over the chip, and a conductive element coupled to the contact element. The conductive element comprises a first portion embedded in the structured dielectric layer, a second portion at least partially spaced apart from the first portion and embedded in the structured dielectric layer, and a third portion contacting a top of the structured dielectric layer and extending at least vertically over the first portion and the second portion.

摘要翻译： 半导体器件包括芯片，其包括接触元件，芯片上方的结构化介电层以及耦合到接触元件的导电元件。 导电元件包括​​嵌入结构化电介质层中的第一部分，与第一部分至少部分间隔开并嵌入结构化介电层的第二部分，以及接触结构化介电层顶部并至少延伸的第三部分 垂直于第一部分和第二部分。

公开(公告)号：US20100207272A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12389103

申请日：2009-02-19

申请人： Rainer Steiner ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Markus Brunnbauer ,  Gottfried Beer

发明人： Rainer Steiner ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Markus Brunnbauer ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a chip comprising a contact element, a structured dielectric layer over the chip, and a conductive element coupled to the contact element. The conductive element comprises a first portion embedded in the structured dielectric layer, a second portion at least partially spaced apart from the first portion and embedded in the structured dielectric layer, and a third portion contacting a top of the structured dielectric layer and extending at least vertically over the first portion and the second portion.

摘要翻译： 半导体器件包括芯片，其包括接触元件，芯片上方的结构化介电层以及耦合到接触元件的导电元件。 导电元件包括​​嵌入结构化电介质层中的第一部分，与第一部分至少部分间隔开并嵌入结构化介电层的第二部分，以及接触结构化介电层顶部并至少延伸的第三部分 垂直于第一部分和第二部分。

公开(公告)号：US20080284035A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：US11749293

申请日：2007-05-16

申请人： Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl ,  Rainer Steiner

发明人： Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl ,  Rainer Steiner

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

摘要： A semiconductor device and method is disclosed. In one embodiment, the method includes placing a first semiconductor over an electrically conductive carrier. The first semiconductor is covered with a molding compound. A through hole is formed in the molding compound. A first material is deposited in the through hole.

摘要翻译： 公开了半导体器件和方法。 在一个实施例中，该方法包括将第一半导体放置在导电载体上。 第一半导体被模塑料覆盖。 在模塑料中形成通孔。 第一种材料沉积在通孔中。

公开(公告)号：US08330273B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12904628

申请日：2010-10-14

申请人： Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl ,  Rainer Steiner

发明人： Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl ,  Rainer Steiner

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

摘要： A semiconductor device and method is disclosed. In one embodiment, the method includes placing a first semiconductor over an electrically conductive carrier. The first semiconductor is covered with a molding compound. A through hole is formed in the molding compound. A first material is deposited in the through hole.

摘要翻译： 公开了半导体器件和方法。 在一个实施例中，该方法包括将第一半导体放置在导电载体上。 第一半导体被模塑料覆盖。 在模塑料中形成通孔。 第一种材料沉积在通孔中。

公开(公告)号：US07863088B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US11749293

申请日：2007-05-16

申请人： Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl ,  Rainer Steiner

发明人： Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl ,  Rainer Steiner

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

摘要： A semiconductor device and method is disclosed. In one embodiment, the method includes placing a first semiconductor over an electrically conductive carrier. The first semiconductor is covered with a molding compound. A through hole is formed in the molding compound. A first material is deposited in the through hole.

摘要翻译： 公开了半导体器件和方法。 在一个实施例中，该方法包括将第一半导体放置在导电载体上。 第一半导体被模塑料覆盖。 在模塑料中形成通孔。 第一种材料沉积在通孔中。

公开(公告)号：US20110024915A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：US12904628

申请日：2010-10-14

申请人： Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl ,  Rainer Steiner

发明人： Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl ,  Rainer Steiner

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

摘要： A semiconductor device and method is disclosed. In one embodiment, the method includes placing a first semiconductor over an electrically conductive carrier. The first semiconductor is covered with a molding compound. A through hole is formed in the molding compound. A first material is deposited in the through hole.

摘要翻译： 公开了半导体器件和方法。 在一个实施例中，该方法包括将第一半导体放置在导电载体上。 第一半导体被模塑料覆盖。 在模塑料中形成通孔。 第一种材料沉积在通孔中。

公开(公告)号：US20140332937A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：US14330066

申请日：2014-07-14

申请人： Markus Brunnbauer ,  Thorsten Meyer ,  Stephan Bradl ,  Ralf Plieninger ,  Jens Pohl ,  Klaus Pressel ,  Recai Sezi

发明人： Markus Brunnbauer ,  Thorsten Meyer ,  Stephan Bradl ,  Ralf Plieninger ,  Jens Pohl ,  Klaus Pressel ,  Recai Sezi

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/48 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L23/60 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1617 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A workpiece has at least two semiconductor chips, each semiconductor chip having a first main surface, which is at least partially exposed, and a second main surface. The workpiece also comprises an electrically conducting layer, arranged on the at least two semiconductor chips, the electrically conducting layer being arranged at least on regions of the second main surface, and a molding compound, arranged on the electrically conducting layer.

摘要翻译： 工件具有至少两个半导体芯片，每个半导体芯片具有至少部分暴露的第一主表面和第二主表面。 所述工件还包括布置在所述至少两个半导体芯片上的导电层，所述导电层至少布置在所述第二主表面的区域上，所述模制化合物布置在所述导电层上。

公开(公告)号：US20070117424A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：US11601540

申请日：2006-11-17

申请人： Michael Bauer ,  Markus Brunnbauer ,  Irmgard Escher-Poeppel ,  Jens Pohl ,  Christian Stuempfl

发明人： Michael Bauer ,  Markus Brunnbauer ,  Irmgard Escher-Poeppel ,  Jens Pohl ,  Christian Stuempfl

IPC分类号： H05K1/00

CPC分类号： H05K3/4015 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49816 ,  H01L25/105 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/0379 ,  H05K2201/10242 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2203/0597 ,  Y02P70/613

摘要： For the vertical electrical connection of a number of components, an electronic structure with at least two components has solderable connecting elements, which include at least one socket element and a solder ball stacked on the socket element. The socket element has a cylindrical core of an electrically conducting first material with a lateral surface, a bottom surface and a top surface. The core is surrounded with a cladding of an electrically insulating second material in such a way that the lateral surface of the core is covered by the cladding and the top surface and the bottom surface are kept free of the cladding.

摘要翻译： 对于多个部件的垂直电连接，具有至少两个部件的电子结构具有可焊接的连接元件，其包括堆叠在插座元件上的至少一个插座元件和焊球。 插座元件具有导电的第一材料的圆柱形芯，其具有侧表面，底表面和顶表面。 芯被电绝缘的第二材料的包层围绕，使得芯的侧表面被包层覆盖，并且顶表面和底表面保持没有包层。

公开(公告)号：US08829663B2

公开(公告)日：2014-09-09

申请号：US11772539

申请日：2007-07-02

申请人： Jens Pohl ,  Markus Brunnbauer ,  Irmgard Escher-Poeppel ,  Thorsten Meyer

发明人： Jens Pohl ,  Markus Brunnbauer ,  Irmgard Escher-Poeppel ,  Thorsten Meyer

IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L23/12 ,  H01L23/053 ,  H01L23/04 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A description is given of a device comprising a first semiconductor chip, a molding compound layer embedding the first semiconductor chip, a first electrically conductive layer applied to the molding compound layer, a through hole arranged in the molding compound layer, and a solder material filling the through hole.

摘要翻译： 对包括第一半导体芯片，嵌入第一半导体芯片的成型化合物层，施加到模塑料层的第一导电层，配置在模塑料层中的通孔和焊料填充材料的装置进行说明 通孔。

公开(公告)号：US08604622B2

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：US13495687

申请日：2012-06-13

申请人： Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl

发明人： Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/565 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H05K1/185 ,  H05K2201/09118 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/1316 ,  H05K2203/1469 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating a device, a semiconductor chip package, and a semiconductor chip assembly is disclosed. One embodiment includes applying at least one semiconductor chip on a first form element. At least one element is applied on a second form element. A material is applied on the at least one semiconductor chip and on the at least one element.

摘要翻译： 公开了一种制造器件，半导体芯片封装和半导体芯片组件的方法。 一个实施例包括在第一成形元件上施加至少一个半导体芯片。 至少一个元素被应用在第二个表单元素上。 在至少一个半导体芯片上和该至少一个元件上施加材料。