公开(公告)号：US08492911B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US12840016

申请日：2010-07-20

申请人： Mark A. Bachman ,  John W. Osenbach ,  Sailesh M. Merchant

发明人： Mark A. Bachman ,  John W. Osenbach ,  Sailesh M. Merchant

IPC分类号： H01L23/28

CPC分类号： H01L23/367 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/34 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/0201 ,  H01L2924/00

摘要： An electronic device includes an integrated circuit and a heat spreader. The integrated circuit includes a substrate with an active via located therein. The heat spreader includes a thermally conductive core. The active via is connected to a corresponding heat spreader via that passes through the thermally conductive core.

摘要翻译： 电子设备包括集成电路和散热器。 集成电路包括其中具有有源通孔的衬底。 散热器包括导热芯。 有源通孔经由导热芯通过相应的散热器连接。

公开(公告)号：US20120020028A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US12840016

申请日：2010-07-20

申请人： Mark A. Bachman ,  John W. Osenbach ,  Sailesh M. Merchant

发明人： Mark A. Bachman ,  John W. Osenbach ,  Sailesh M. Merchant

IPC分类号： H05K7/20 ,  F28F7/00 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/367 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/34 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/0201 ,  H01L2924/00

摘要： An electronic device includes an integrated circuit and a heat spreader. The integrated circuit includes a substrate with an active via located therein. The heat spreader includes a thermally conductive core. The active via is connected to a corresponding heat spreader via that passes through the thermally conductive core.

摘要翻译： 电子设备包括集成电路和散热器。 集成电路包括其中具有有源通孔的衬底。 散热器包括导热芯。 有源通孔经由导热芯通过相应的散热器连接。

公开(公告)号：US07973544B2

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：US12194706

申请日：2008-08-20

申请人： Vance D. Archer, III ,  Daniel P. Chesire ,  Warren K. Gladden ,  Seung H. Kang ,  Taeho Kook ,  Sailesh M. Merchant ,  Vivian Ryan

发明人： Vance D. Archer, III ,  Daniel P. Chesire ,  Warren K. Gladden ,  Seung H. Kang ,  Taeho Kook ,  Sailesh M. Merchant ,  Vivian Ryan

IPC分类号： G01R31/00

CPC分类号： G01R31/3187 ,  H01L22/34 ,  H01L23/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The invention, in one aspect, provides a semiconductor device (100), including transistors (105), dielectric layers (115, 120) located over the transistors (105), interconnects (122) formed within the dielectric layers (115, 120), and a test structure (130) located adjacent a hot-spot (125) of the semiconductor device (100) and configured to monitor a real-time operational parameter of at least one of the transistors (105) or interconnects (122).

摘要翻译： 本发明在一个方面提供了一种半导体器件（100），包括位于晶体管（105）上方的晶体管（105），电介质层（115,120），形成在电介质层（115,120）内的互连（122） 以及位于半导体器件（100）的热点（125）附近并被配置为监视至少一个晶体管（105）或互连（122）的实时操作参数的测试结构（130）。

公开(公告)号：US07952206B2

公开(公告)日：2011-05-31

申请号：US11459249

申请日：2006-07-21

申请人： Mark A. Bachman ,  Donald S. Bitting ,  Sailesh Chittipeddi ,  Seung H. Kang ,  Sailesh M. Merchant

发明人： Mark A. Bachman ,  Donald S. Bitting ,  Sailesh Chittipeddi ,  Seung H. Kang ,  Sailesh M. Merchant

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： The invention provides, in one aspect, a semiconductor device that comprises an interconnect layer located over a semiconductor substrate. A passivation layer is located over the interconnect layer and having a solder bump support opening formed therein. Support pillars that comprise a conductive material are located within the solder bump support opening.

摘要翻译： 本发明在一个方面提供一种半导体器件，其包括位于半导体衬底之上的互连层。 钝化层位于互连层上并且具有形成在其中的焊料凸块支撑开口。 包括导电材料的支撑柱位于焊料凸块支撑开口内。

公开(公告)号：US07397103B2

公开(公告)日：2008-07-08

申请号：US11237633

申请日：2005-09-28

申请人： Vance D. Archer ,  Daniel P. Chesire ,  Seung H. Kang ,  Taeho Kook ,  Sailesh M. Merchant

发明人： Vance D. Archer ,  Daniel P. Chesire ,  Seung H. Kang ,  Taeho Kook ,  Sailesh M. Merchant

IPC分类号： H01L23/485

CPC分类号： G01R31/2884

摘要： Disclosed herein are novel damage detection circuitries implemented on the periphery of a semiconductor device. The circuitries disclosed herein enable the easy identification of cracks and deformation, and other types of damage that commonly occur during test and assembly processes of semiconductor devices.

摘要翻译： 这里公开了在半导体器件的外围实现的新的损伤检测电路。 这里公开的电路使得能够容易地识别裂纹和变形以及在半导体器件的测试和组装过程中通常发生的其它类型的损坏。

公开(公告)号：US07301231B2

公开(公告)日：2007-11-27

申请号：US11448560

申请日：2006-06-07

申请人： Joze E. Antol ,  Philip William Seitzer ,  Daniel Patrick Chesire ,  Rafe Carl Mengel ,  Vance Dolvan Archer ,  Thomas B. Gans ,  Taeho Kook ,  Sailesh M. Merchant

发明人： Joze E. Antol ,  Philip William Seitzer ,  Daniel Patrick Chesire ,  Rafe Carl Mengel ,  Vance Dolvan Archer ,  Thomas B. Gans ,  Taeho Kook ,  Sailesh M. Merchant

IPC分类号： H01L23/522

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00015

摘要： Disclosed herein are novel support structures for pad reinforcement in conjunction with new bond pad designs for semiconductor devices. The new bond pad designs avoid the problems associated with probe testing by providing a probe region that is separate from a wire bond region. Separating the probe region 212 from the wire bond region 210 and forming the bond pad 211 over active circuitry has several advantages. By separating the probe region 212 from the wire bond region 210, the wire bond region 210 is not damaged by probe testing, allowing for more reliable wire bonds. Also, forming the bond pad 211 over active circuitry, including metal interconnect layers, allows the integrated circuit to be smaller.

摘要翻译： 这里公开了用于衬垫加强的新型支撑结构以及用于半导体器件的新的接合焊盘设计。 新的焊盘设计通过提供与引线键合区域分离的探针区域来避免与探针测试相关的问题。 将探针区域212与引线接合区域210分离并通过有源电路形成接合焊盘211具有若干优点。 通过将探针区域212与引线键合区域210分离，引线键合区域210不会被探针测试所损坏，从而允许更可靠的引线键合。 此外，在包括金属互连层的有源电路上形成接合焊盘211允许集成电路更小。

公开(公告)号：US07221173B2

公开(公告)日：2007-05-22

申请号：US10953291

申请日：2004-09-29

申请人： Mark Adam Bachman ,  Daniel Patrick Chesire ,  Taeho Kook ,  Sailesh M. Merchant

发明人： Mark Adam Bachman ,  Daniel Patrick Chesire ,  Taeho Kook ,  Sailesh M. Merchant

IPC分类号： G01R31/02

CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L22/32 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： An interface assembly (20) and method for testing a semiconductor wafer prior to performing a flip chip bumping process are provided. The interface assembly includes a flip chip bonding pad (24) having a region (28) for performing the bumping process. A test pad (22) is integrally constructed with the bonding pad and includes a probe region (26) for performing wafer-level testing prior to performing the bumping process. The integral construction of the bonding and testing pads avoids, for example, an introduction of propagation delays to test signals passing therethrough, thereby improving the accuracy and reliability of wafer test results.

摘要翻译： 提供了一种用于在执行倒装芯片碰撞处理之前测试半导体晶片的界面组件（20）和方法。 接口组件包括具有用于执行碰撞处理的区域（28）的倒装芯片焊盘（24）。 测试焊盘（22）与接合焊盘一体构成，并且包括用于在执行碰撞过程之前进行晶片级测试的探针区域（26）。 焊接和测试焊盘的整体结构避免了例如引入传播延迟来测试通过其的信号，从而提高了晶片测试结果的准确性和可靠性。

公开(公告)号：US5461005A

公开(公告)日：1995-10-24

申请号：US814844

申请日：1991-12-27

申请人： Ajit Manocha ,  Sailesh M. Merchant ,  Ranbir Singh

发明人： Ajit Manocha ,  Sailesh M. Merchant ,  Ranbir Singh

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L29/78 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L21/76889 ,  H01L21/76877 ,  Y10S148/019

摘要： Electrical discontinuities in a silicide formed on a patterned surface are prevented by forming metal fillets in the recesses of the patterned polysilicon covered surface, and then depositing a metal layer and reacting with silicon to form the silicide. The fillet provides extra metal at a place where there is typically a deficiency in conventional deposition techniques.

摘要翻译： 通过在图案化多晶硅被覆表面的凹部中形成金属片，然后沉积金属层并与硅反应以形成硅化物，来防止在图案化表面上形成的硅化物中的电中断。 圆角在常规沉积技术中通常存在缺陷的地方提供额外的金属。

公开(公告)号：US08742535B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US12969852

申请日：2010-12-16

申请人： Mark A. Bachman ,  Sailesh M. Merchant ,  John Osenbach

发明人： Mark A. Bachman ,  Sailesh M. Merchant ,  John Osenbach

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/76 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2221/1005 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing an IC, comprising providing a substrate having a first side and a second opposite side, forming a STI opening in the first side of the substrate and forming a partial TSV opening in the first side of the substrate and extending the partial TSV opening. The extended partial TSV opening is deeper into the substrate than the STI opening. The method also comprises filling the STI opening with a first solid material and filling the extended partial TSV opening with a second solid material. Neither the STI opening, the partial TSV opening, nor the extended partial TSV opening penetrate an outer surface of the second side of the substrate. At least either: the STI opening and the partial TSV opening are formed simultaneously, or, the STI opening and the extended partial TSV opening are filled simultaneously.

摘要翻译： 一种制造IC的方法，包括提供具有第一侧和第二相对侧的衬底，在衬底的第一侧中形成STI开口，并在衬底的第一侧形成部分TSV开口，并延伸部分TSV 开放 扩展的部分TSV开口比STI开口更深入衬底。 该方法还包括用第一固体材料填充STI开口并用第二固体材料填充延伸的部分TSV开口。 STI打开，部分TSV打开，也不延伸部分TSV开口都不穿透基板的第二侧的外表面。 至少同时形成STI开口和部分TSV开口，或者同时填充STI开口和延伸部分TSV开口。

公开(公告)号：US08507317B2

公开(公告)日：2013-08-13

申请号：US13093032

申请日：2011-04-25

申请人： Mark A. Bachman ,  Donald S. Bitting ,  Sailesh Chittipeddi ,  Seung H. Kang ,  Sailesh M. Merchant

发明人： Mark A. Bachman ,  Donald S. Bitting ,  Sailesh Chittipeddi ,  Seung H. Kang ,  Sailesh M. Merchant

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： The invention provides, in one aspect, a semiconductor device that comprises an interconnect layer located over a semiconductor substrate. A passivation layer is located over the interconnect layer and having a solder bump support opening formed therein. Support pillars that comprise a conductive material are located within the solder bump support opening.

摘要翻译： 本发明在一个方面提供一种半导体器件，其包括位于半导体衬底之上的互连层。 钝化层位于互连层上并且具有形成在其中的焊料凸块支撑开口。 包括导电材料的支撑柱位于焊料凸块支撑开口内。