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    Method of fabricating a robust gate dielectric using a replacement gate flow
    34.
    发明授权
    Method of fabricating a robust gate dielectric using a replacement gate flow 有权
    使用更换栅流制造坚固的栅极电介质的方法

    公开(公告)号：US06864145B2

    公开(公告)日：2005-03-08

    申请号：US10611109

    申请日：2003-06-30

    申请人： Scott A. Hareland ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

    发明人： Scott A. Hareland ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

    IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51

    CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545

    摘要： A method is described for selectively treating the properties of a gate dielectric near corners of the gate without altering the gate dielectric in a center region of a gate channel. The method includes providing a structure having a gate opening and depositing a layer of dielectric with a high dielectric constant on a bottom surface and side walls of the gate opening. The corner regions of the high dielectric constant layer formed adjacent to the bottom surface and the side walls of the gate opening are selectively treated without altering the center region of the high dielectric constant layer formed at the bottom surface of the gate opening.

    摘要翻译： 描述了一种方法，用于选择性地处理在栅极角附近的栅极电介质的性质，而不改变栅极沟道的中心区域中的栅极电介质。 该方法包括提供具有栅极开口并且在栅极开口的底表面和侧壁上沉积具有高介电常数的电介质层的结构。 选择性地处理邻近底表面和栅极开口形成的高介电常数层的角区域，而不改变形成在栅极开口底表面处的高介电常数层的中心区域。

    Conductive oxide random access memory (CORAM) cell and method of fabricating same
    36.
    发明授权
    Conductive oxide random access memory (CORAM) cell and method of fabricating same 有权
    导电氧化物随机存取存储器（CORAM）单元及其制造方法

    公开(公告)号：US09548449B2

    公开(公告)日：2017-01-17

    申请号：US13925951

    申请日：2013-06-25

    申请人： Elijah V. Karpov ,  Brian S. Doyle ,  Uday Shah ,  Robert S. Chau

    发明人： Elijah V. Karpov ,  Brian S. Doyle ,  Uday Shah ,  Robert S. Chau

    IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

    CPC分类号： H01L45/146 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266

    摘要： Conductive oxide random access memory (CORAM) cells and methods of fabricating CORAM cells are described. For example, a material layer stack for a memory element includes a first conductive electrode. An insulating layer is disposed on the first conductive oxide and has an opening with sidewalls therein that exposes a portion of the first conductive electrode. A conductive oxide layer is disposed in the opening, on the first conductive electrode and along the sidewalls of the opening. A second electrode is disposed in the opening, on the conductive oxide layer.

    摘要翻译： 描述了导电氧化物随机存取存储器（CORAM）单元和制造CORAM单元的方法。 例如，用于存储元件的材料层堆叠包括第一导电电极。 绝缘层设置在第一导电氧化物上并且具有露出第一导电电极的一部分的侧壁的开口。 导电氧化物层设置在开口中，在第一导电电极上并且沿着开口的侧壁。 第二电极设置在开口中，在导电氧化物层上。

    WRITE CURRENT REDUCTION IN SPIN TRANSFER TORQUE MEMORY DEVICES
    39.
    发明申请
    WRITE CURRENT REDUCTION IN SPIN TRANSFER TORQUE MEMORY DEVICES 有权
    旋转转矩记忆装置中的写入电流减小

    公开(公告)号：US20140299953A1

    公开(公告)日：2014-10-09

    申请号：US14312125

    申请日：2014-06-23

    申请人： Brian S. Doyle ,  David L. Kencke ,  Charles C. Kuo ,  Dmitri E. Nikonov ,  Robert S. Chau

    发明人： Brian S. Doyle ,  David L. Kencke ,  Charles C. Kuo ,  Dmitri E. Nikonov ,  Robert S. Chau

    IPC分类号： H01L27/22 ,  H01L43/02

    CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

    摘要： The present disclosure relates to the fabrication of spin transfer torque memory elements for non-volatile microelectronic memory devices. The spin transfer torque memory element may include a magnetic tunneling junction connected with specifically sized and/or shaped fixed magnetic layer that can be positioned in a specific location adjacent a free magnetic layer. The shaped fixed magnetic layer may concentrate current in the free magnetic layer, which may result in a reduction in the critical current needed to switch a bit cell in the spin transfer torque memory element.

    摘要翻译： 本公开涉及用于非易失性微电子存储器件的自旋转移转矩存储元件的制造。 自旋转移转矩存储元件可以包括与特定尺寸和/或形状的固定磁性层连接的磁性隧道结，其可以定位在与自由磁性层相邻的特定位置。 成形的固定磁性层可以将电流集中在自由磁性层中，这可能导致在自旋转移转矩存储元件中切换位单元所需的临界电流的降低。