公开(公告)号：US09126252B2

公开(公告)日：2015-09-08

申请号：US13458883

申请日：2012-04-27

申请人： Kyong-Chan Lim ,  Mike Adams

发明人： Kyong-Chan Lim ,  Mike Adams

IPC分类号： B21D11/08 ,  B21D28/26 ,  B21D51/06 ,  B21D51/52 ,  G09F7/00

CPC分类号： B21D11/08 ,  B21D28/26 ,  B21D51/06 ,  B21D51/52 ,  G09F7/00 ,  G09F7/16 ,  Y10T29/49906 ,  Y10T428/24777 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24917

摘要： Forming a channel letter box using a profile, including: determining an incision position on one surface of the profile where at least one surface incision is to be made; surface incising at the determined position; folding the profile at the incision position to form the channel letter box, wherein the profile comprises at least one protruding rib on one surface of the profile; and cutting and attaching a top plate to the channel letter box, wherein a thickness of the top plate is substantially close to a distance from the top of the profile to the top of a top rib of the at least one rib.

摘要翻译： 使用轮廓形成通道信箱，包括：确定要在其上形成至少一个表面切口的轮廓的一个表面上的切口位置; 表面切割在确定的位置; 在所述切口位置处折叠所述轮廓以形成所述通道信箱，其中所述轮廓包括在所述轮廓的一个表面上的至少一个突出肋; 并且将顶板切割并附接到通道信箱，其中所述顶板的厚度基本上接近从所述轮廓的顶部到所述至少一个肋的顶部肋的顶部的距离。

公开(公告)号：US09056939B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US13980741

申请日：2012-01-27

申请人： Yong-Ho Lee ,  Man-Seong Jeon ,  Jeong-Min Kim ,  Heon-Yong Kwon ,  Min-Seok Cho ,  Seon-Kyoung Kim ,  Dae-Sik Hong ,  Ki-Soo Lee ,  Kyoung-Chan Lim

发明人： Yong-Ho Lee ,  Man-Seong Jeon ,  Jeong-Min Kim ,  Heon-Yong Kwon ,  Min-Seok Cho ,  Seon-Kyoung Kim ,  Dae-Sik Hong ,  Ki-Soo Lee ,  Kyoung-Chan Lim

IPC分类号： C08F210/16 ,  C08F210/06 ,  C08F297/08 ,  C08F297/06 ,  C08F4/6392 ,  C08F4/6592 ,  C08F210/14 ,  C08F210/08 ,  C08L23/16

CPC分类号： C08F297/06 ,  C08F4/63927 ,  C08F4/65927 ,  C08F210/06 ,  C08F210/08 ,  C08F210/14 ,  C08F210/16 ,  C08F297/08 ,  C08F297/083 ,  C08L23/16 ,  C08F2500/08

摘要： The present description relates to an olefin block copolymer with enhanced processability as well as excellences in elasticity and heat resistance, and a preparation method for the same. The olefin block copolymer includes first and second segments, each containing an ethylene or propylene repeating unit and an α-olefin repeating unit at different mole fractions, where the second segment is dispersed in the form of a closed curve as a dispersed phase on the first segment according to a TEM (Transmission Electron Microscope) image.

摘要翻译： 本发明涉及具有增强的加工性以及优异的弹性和耐热性的烯烃嵌段共聚物及其制备方法。 烯烃嵌段共聚物包括第一和第二链段，每个链段包含不同摩尔分数的乙烯或丙烯重复单元和α-烯烃重复单元，其中第二链段以闭合曲线的形式作为分散相分散在第一 根据TEM（透射电子显微镜）图像。

公开(公告)号：US09018768B2

公开(公告)日：2015-04-28

申请号：US13627790

申请日：2012-09-26

申请人： Byung-lyul Park ,  Gil-heyun Choi ,  Suk-chul Bang ,  Kwang-jin Moon ,  Dong-chan Lim ,  Deok-young Jung

发明人： Byung-lyul Park ,  Gil-heyun Choi ,  Suk-chul Bang ,  Kwang-jin Moon ,  Dong-chan Lim ,  Deok-young Jung

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/02 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L21/768 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/76801 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565

摘要： A semiconductor device includes a circuit pattern over a first surface of a substrate, an insulating interlayer covering the circuit pattern, a TSV structure filling a via hole through the insulating interlayer and the substrate, an insulation layer structure on an inner wall of the via hole and on a top surface of the insulating interlayer, a buffer layer on the TSV structure and the insulation layer structure, a conductive structure through the insulation layer structure and a portion of the insulating interlayer to be electrically connected to the circuit pattern, a contact pad onto a bottom of the TSV structure, and a protective layer structure on a second surface the substrate to surround the contact pad.

摘要翻译： 半导体器件包括在衬底的第一表面上的电路图案，覆盖电路图案的绝缘夹层，填充通过绝缘夹层和衬底的通孔的TSV结构，在通孔的内壁上的绝缘层结构 并且在绝缘中间层的上表面上，具有TSV结构和绝缘层结构的缓冲层，通过绝缘层结构的导电结构和电连接到电路图案的绝缘夹层的一部分，接触垫 到TSV结构的底部，以及在第二表面上的保护层结构，以包围接触垫。

公开(公告)号：US08958491B2

公开(公告)日：2015-02-17

申请号：US14237779

申请日：2012-08-08

申请人： Myung Kyu Lee ,  Kyeong Cheol Yang ,  Seung Chan Lim

发明人： Myung Kyu Lee ,  Kyeong Cheol Yang ,  Seung Chan Lim

IPC分类号： H04K1/10 ,  H04L27/28 ,  H04L25/03 ,  H04L27/26

CPC分类号： H04L25/03821 ,  H04L27/2601 ,  H04L27/2657 ,  H04L27/2691

摘要： The present invention relates to a receiving apparatus in an OFDM communication system and a phase noise mitigation method thereof which are configured to estimate and compensate for phase noise from a received OFDM symbol, unlike the conventional receiver which uses a pilot symbol for mitigating phase noise, and thus can improve the transmission efficiency and error rate performance in an OFDM system.

摘要翻译： 本发明涉及一种OFDM通信系统中的接收装置及其相位噪声抑制方法，其被配置为从接收的OFDM符号估计和补偿相位噪声，与使用用于减轻相位噪声的导频符号的常规接收机不同， 从而可以提高OFDM系统的传输效率和错误率性能。

公开(公告)号：US20130048078A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13695984

申请日：2010-12-22

申请人： Dong Chan Lim ,  Kyu Hwan Lee ,  Yong Soo Jeong ,  Won Hyun Shim ,  Sun Young Park ,  Sung-Woo Cho

发明人： Dong Chan Lim ,  Kyu Hwan Lee ,  Yong Soo Jeong ,  Won Hyun Shim ,  Sun Young Park ,  Sung-Woo Cho

IPC分类号： H01L51/46 ,  H01L21/36 ,  H01L51/44 ,  B32B3/20 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L51/4273 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/444 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549

摘要： The present invention relates to a carbon nanotube-invaded metal oxide composite film used as an N-type metal oxide conductive film of an organic solar cell, a manufacturing method thereof, and the organic solar cell with an improved photoelectric conversion efficiency and improved durability using the same, and more specifically, to a metal oxide-carbon nanotube composite film, a manufacturing method thereof, and an organic solar cell with an improved photoelectric conversion efficiency and improved durability using the same, characterized in that a single-wall carbon nanotube which has been surface-treated by a metal oxide is uniformly dispersed and is combined with the metal oxide.

摘要翻译： 本发明涉及用作有机太阳能电池的N型金属氧化物导电膜的碳纳米管侵入的金属氧化物复合膜，其制造方法和具有改善的光电转换效率和改进的耐久性的有机太阳能电池 更具体地说，涉及金属氧化物 - 碳纳米管复合膜，其制造方法和具有改善的光电转换效率和改进的耐久性的有机太阳能电池，其特征在于，使用单壁碳纳米管 已被金属氧化物表面处理均匀分散并与金属氧化物结合。

公开(公告)号：US08293617B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US13282563

申请日：2011-10-27

申请人： Arthur J. McGinnis ,  Sachin Joshi ,  Chan Lim

发明人： Arthur J. McGinnis ,  Sachin Joshi ,  Chan Lim

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/31608 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76885

摘要： Among various methods, devices, and apparatuses, a number of methods are provided for forming a gap between circuitry. One such method includes depositing a first oxide precursor material on at least two conductive lines having at least one gap between the at least two conductive lines, and forming a breadloaf configuration with the first oxide precursor material on a top of each of the at least two conductive lines that leaves a space between a closest approach of at least two adjacent breadloaf configurations. The method also includes depositing a second oxide precursor material over the first oxide precursor material, where depositing the second oxide precursor material results in closing the space between the closest approach of the at least two adjacent breadloaf configurations.

摘要翻译： 在各种方法中，设备和装置提供了用于在电路之间形成间隙的多种方法。 一种这样的方法包括在至少两条导线之间沉积第一氧化物前体材料，所述至少两条导线在至少两条导电线之间具有至少一个间隙，并且在至少两条导线中的每一条的顶部上形成具有第一氧化物前体材料的面包构型 在至少两个相邻的面包构造的最接近的方式之间留下空间的导电线。 该方法还包括在第一氧化物前体材料上沉积第二氧化物前体材料，其中沉积第二氧化物前体材料导致封闭至少两个相邻的面包构型的最接近的方式之间的空间。

公开(公告)号：US20120196985A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：US13359022

申请日：2012-01-26

申请人： Yong-Ho LEE ,  Manseong Jeon ,  Heon-Yong Kwon ,  Min-Seok Cho ,  Seon Kyoung Kim ,  Dae-Sik Hong ,  Se Hui Sohn ,  Ki-Soo Lee ,  Kyoung-Chan Lim

发明人： Yong-Ho LEE ,  Manseong Jeon ,  Heon-Yong Kwon ,  Min-Seok Cho ,  Seon Kyoung Kim ,  Dae-Sik Hong ,  Se Hui Sohn ,  Ki-Soo Lee ,  Kyoung-Chan Lim

IPC分类号： C08F293/00 ,  C08F2/00

CPC分类号： C08F210/14 ,  C08F4/65912 ,  C08F4/65927 ,  C08F210/16 ,  C08F297/083 ,  C08F2500/03 ,  C08F2500/08

摘要： The present description relates to olefin block copolymers having excellent elasticity and processability in conjunction with enhanced heat resistance, and to a preparation method thereof. The olefin block copolymers comprise a plurality of blocks or segments that comprise ethylene or propylene repeating units and α-olefin repeating units at different mole fractions from one another, wherein the block copolymer shows peaks at the 2θ of 21.5±0.5° and 23.7±0.5° in a wide-angle x-ray diffraction (WAXD) pattern, and the peak ratio defined by (the peak area at 21.5±0.5°)/(the peak area at 23.7±0.5°) is no more than 3.0.

摘要翻译： 本发明涉及具有优异的弹性和加工性以及增强的耐热性的烯烃嵌段共聚物及其制备方法。 烯烃嵌段共聚物包含多个嵌段或链段，其包含不同摩尔分数的乙烯或丙烯重复单元和α-烯烃重复单元，其中嵌段共聚物在2℃下显示峰; 在广角x射线衍射（WAXD）图案中为21.5±0.5°和23.7±0.5°，由（21.5±0.5°）峰值面积（23.7±0.5°）的峰面积 ）不超过3.0。

公开(公告)号：US20120142185A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13240040

申请日：2011-09-22

申请人： Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Suk-Chul Bang ,  Kwang-Jin Moon ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

发明人： Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Suk-Chul Bang ,  Kwang-Jin Moon ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： In methods of manufacturing a semiconductor device, a substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface is prepared. A sacrificial layer pattern is formed in a region of the substrate that a through electrode will be formed. The sacrificial layer pattern extends from the first surface of the substrate in a thickness direction of the substrate. An upper wiring layer is formed on the first surface of the substrate. The upper wiring layer includes a wiring on the sacrificial layer pattern. The second surface of the substrate is partially removed to expose the sacrificial layer pattern. The sacrificial layer pattern is removed from the second surface of the substrate to form an opening that exposes the wiring. A through electrode is formed in the opening to be electrically connected to the wiring.

摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，制备具有与第一表面相对的第一表面和第二表面的衬底。 在基板的形成有通孔的区域中形成牺牲层图案。 牺牲层图案在基板的厚度方向上从基板的第一表面延伸。 在衬底的第一表面上形成上部布线层。 上部布线层包括在牺牲层图案上的布线。 部分去除衬底的第二表面以暴露牺牲层图案。 牺牲层图案从基板的第二表面移除以形成露出布线的开口。 通孔形成在开口中以与布线电连接。

公开(公告)号：US20120119376A1

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：US13289624

申请日：2011-11-04

申请人： Dong-Chan Lim ,  Gilheyun Choi ,  Kwangjin Moon ,  Deok-Young Jung ,  Byung-Lyul Park ,  Dosun Lee

发明人： Dong-Chan Lim ,  Gilheyun Choi ,  Kwangjin Moon ,  Deok-Young Jung ,  Byung-Lyul Park ,  Dosun Lee

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a semiconductor chip and a method of manufacturing the same. The semiconductor chip includes a substrate having a first side and a second side facing each other, and a through electrode being disposed in a hole penetrating the substrate, wherein an opening surrounded by the through electrode is disposed in the hole, wherein the opening comprises a first end adjacent to the first side of the substrate and a second end adjacent to the second side of the substrate

摘要翻译： 提供一种半导体芯片及其制造方法。 半导体芯片包括具有彼此相对的第一侧和第二侧的基板，以及设置在穿透基板的孔中的贯通电极，其中，由贯通电极包围的开口设置在孔中，其中，开口包括 与基板的第一侧相邻的第一端和与基板的第二侧相邻的第二端

公开(公告)号：US20120043666A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：US13287317

申请日：2011-11-02

申请人： Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Suk-Chul Bang ,  Kwang-Jin Moon ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

发明人： Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Suk-Chul Bang ,  Kwang-Jin Moon ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/76801 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541

摘要： For forming a semiconductor device, a via structure is formed through at least one dielectric layer and at least a portion of a substrate. In addition, a protective buffer layer is formed onto the via structure. Furthermore, a conductive structure for an integrated circuit is formed over the substrate after forming the via structure and the protective buffer layer, with the conductive structure not being formed over the via structure. Thus, deterioration of the conductive and via structures is minimized.

摘要翻译： 为了形成半导体器件，通过至少一个电介质层和至少一部分衬底形成通孔结构。 此外，在通孔结构上形成保护缓冲层。 此外，在形成通孔结构和保护缓冲层之后，在衬底上形成用于集成电路的导电结构，其中导电结构不在过孔结构上形成。 因此，导电和通孔结构的劣化被最小化。